ابراهیم صادقی؛ سید حسین گنجی پور
چکیده
در این پژوهش یک سیستم دو اتمی بوزونی در حضور پتانسیل ناهماهنگ دو بعدی و یک پتانسیل بین اتمی کوتاه برد بطور دقیق بررسی شده است. توابع موج و انرژی قسمت هماهنگ بطور تحلیلی و تاثیر جمله ناهماهنگ پتانسیل بر انرژی به ازای شدت برهم‌کنش‌های مختلف محاسبه شده است. نتایج بدست آمده نشان دهنده رفتارهای متفاوت برای حرکت نسبی و انرژی تصحیحی بر ...
بیشتر
در این پژوهش یک سیستم دو اتمی بوزونی در حضور پتانسیل ناهماهنگ دو بعدی و یک پتانسیل بین اتمی کوتاه برد بطور دقیق بررسی شده است. توابع موج و انرژی قسمت هماهنگ بطور تحلیلی و تاثیر جمله ناهماهنگ پتانسیل بر انرژی به ازای شدت برهم‌کنش‌های مختلف محاسبه شده است. نتایج بدست آمده نشان دهنده رفتارهای متفاوت برای حرکت نسبی و انرژی تصحیحی بر حسب شدت برهم‌کنش می-باشد. جهت بررسی دینامیک سیستم، کمیت فیدلیتی معرفی و به ازای شدت جفت شدگی-های مختلف محاسبه شده است. نتایج با سایر پژوهشها در توافق خوبی هستند
نوشین داداش زاده؛ الناز پوررضا
چکیده
در این مطالعه مقایسه ای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دی الکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی مشخص کردن پلاسما و بهینه سازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. شبیه سازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان داده شده است. دستگاه DBD با دو ...
بیشتر
در این مطالعه مقایسه ای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دی الکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی مشخص کردن پلاسما و بهینه سازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. شبیه سازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان داده شده است. دستگاه DBD با دو الکترود، پوشیده شده توسط ماده دی الکتریک و با ثابت دی الکتریک متغیربین 2، 5و 8 در نظر گرفته شد، و پارامترهای تخلیه بر حسب زمان شبیه سازی شدند. در سراسر شکاف پلاسما برای یافتن یک ثابت دی الکتریک بهینه برای رسوب حداکثر توان. با استفاده از یک ولتاژ سینوسی به دستگاه DBD با ثابت دی الکتریک مختلف، پروفایل های میدان الکتریکی، الکترون چگالی، دمای الکترون، کسر جرمی اتمهای آرگون، میانگین انرژی الکترون، چگالی جریان یون، چگالی جریان الکترون، پلاسما، جریان کل و رسوب توان نشان داده شدهاند.
مریم عزیزی؛ حمدالله صالحی
چکیده
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می‌باشد، پرداخته می‌شود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه‌پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت‌ها ...
بیشتر
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می‌باشد، پرداخته می‌شود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه‌پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت‌ها مقدار گاف نواری را eV 2/1،eV 4/1 و eV 37/2 به ترتیب در تقریب LDA، LDA+U و HSE با شبه‌پتانسیل بار پایسته بدست آمد. همچنین مقدار مدول حجمی نیز بترتیب GPa 81 در LDA و GPa 4/79 در LDA+U و GPa 5/76 در HSE به دست آمده است. در نهایت به بررسی خواص اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب ، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی پرداخته شد که از بررسی خواص اپتیکی مقدار گاف اپتیکی که از ضریب جذب بهدست میآید با مقدار گاف نواری انطباق خوبی دارد که مقدار ضرایب اپتیکی در راستاهای مختلف به دلیل ناهمسانگرد بودن ساختار، متفاوت است. مقدار گاف اپتیکی که از نمودار ضریب جذب خوانده شد در تقریب LDA، LDA+U و HSE به ترتیب eV 27/1 ، eV 4/1 و eV 37/2 به دست آمده از بررسیهای اپتیکی مشخص گردید این ترکیب دارای قابلیت خوبی برای کاربرد در سلول خورشیدی و مواد اپتوالکترونیک است.