امیرمحمد بیگ زاده؛ هادی اردینی
چکیده
فناوری هسته ای به سرعت در سراسر جهان در حال گسترش است. با این حال، مواد رادیواکتیو خطر بزرگی برای جوامع بشری و محیط زیست است. این به دلیل تهدیدات تروریسم، سوء استفاده یا حمل و نقل غیرمجاز است. بنابراین، ما نیاز به بهبود سیستم های تشخیص و ردیابی منبع رادیواکتیو داریم. این امر باعث تقویت امنیت و توقف اقدامات تروریستی خواهد شد. در این مقاله، ...
بیشتر
فناوری هسته ای به سرعت در سراسر جهان در حال گسترش است. با این حال، مواد رادیواکتیو خطر بزرگی برای جوامع بشری و محیط زیست است. این به دلیل تهدیدات تروریسم، سوء استفاده یا حمل و نقل غیرمجاز است. بنابراین، ما نیاز به بهبود سیستم های تشخیص و ردیابی منبع رادیواکتیو داریم. این امر باعث تقویت امنیت و توقف اقدامات تروریستی خواهد شد. در این مقاله، یک رویکرد جدید برای نقشهبرداری و آشکارسازی پرتوی با توسعه الگوریتمهایی بینایی ماشین و مدلسازی سامانههای آشکارسازی هستهای متشکل از آشکارسازهای کریستالی سوسوزن و لامپهای تقویتکننده نوری پیشنهاد میشود. هدف افزایش کارایی و دقت شناسایی و مکانیابی چشمههای پرتوزا خارج از کنترل در محیطهای پیچیده و داینامیک با بهرهگیری از روشهای نوین بینایی ماشین است. معادلات روش ردیابی از روش KLT پیروی میکند. سامانه مدل شده به طور همزمان تصاویر حرکتی را دریافت و پردازش کرده و مسیر حرکت اجسام را تشخیص میدهد و به طور همزمان دادههای پرتوی در آشکارساز ثبت میگردد. در نهایت با تلفیق دادههای مکانی و دادههای پرتوی با دقت خوبی چشمههای پرتوزا خارج از کنترل در میان سایر اشیای متحرک کشف گردید. ادغام این الگوریتمها در سامانههای تشخیص پرتو موجود این ظرفیت را دارد که اقدامات ایمنی را به میزان قابلتوجهی افزایش دهد و خطرات مرتبط با حوادث پرتوی را کاهش دهد.
داریوش مهرپرور؛ معصومه ناصری تکیه؛ رستم مرادیان؛ شهریار مهدوی
چکیده
در این تحقیق، نانوصفحات اکسید روی به روش سل-ژل با نمک پیش ماده نیترات روی تهیه و سپس با عناصر ناخالصی آهن و مس آلاییده شدند که نانوساختارهای خالص و آلاییده اکسید روی با مواد ارزان قیمت و به روشی آسان و در دسترس با تجهیزات آزمایشگاهی کم و در مدت زمان بسیار کوتاه سنتز شدند. خواص ساختاری و مورفولوژی نمونههای تهیه شده با پراش اشعه ایکس ...
بیشتر
در این تحقیق، نانوصفحات اکسید روی به روش سل-ژل با نمک پیش ماده نیترات روی تهیه و سپس با عناصر ناخالصی آهن و مس آلاییده شدند که نانوساختارهای خالص و آلاییده اکسید روی با مواد ارزان قیمت و به روشی آسان و در دسترس با تجهیزات آزمایشگاهی کم و در مدت زمان بسیار کوتاه سنتز شدند. خواص ساختاری و مورفولوژی نمونههای تهیه شده با پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) و طیف مادون قرمز تبدیل فوریه (FT-IR) مشخص شدند. نتایج پراش اشعه ایکس نشان داد که نانوذرات اکسیدروی در تمامینمونهها در ساختار کریستالی ورتسایت بدون مشاهده هیچ پیک اضافی شکل گرفته اند. گروه عاملی و برهمکنشهای شیمیایی نمونههای اکسیدروی نیز در پیکهای مختلف با استفاده از دادههای طیف مادون قرمز تعیین شد که گروههای عاملی مربوط به باندهای Zn-O در نمونهها به تایید طیف پراش اشعه ایکس مشاهده شد. تجزیه و تحلیل میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که ناخالصی سبب ایجاد مورفولوژیهای متفاوتی برای هر نمونه شده است. میتوان نتیجه گرفت که نوع ناخالصیها سبب تغییر مورفولوژی میشود اما ساختار بدون تغییر میباشد. برای بررسی گاف نواری از آنالیز طیف بینی جذبی فرابنفش- مرئی (UV-Visible) استفاده شد که نشان داد گاف نواری نمونهها با افزایش ناخالصیها کاهش یافت.
مجتبی غلامی؛ بهاره آذروند حسن فرد
چکیده
در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ ...
بیشتر
در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ فلزات 3d(Ti,Cr,Co) ،4d(Zr,Mo) و 5d(Hf,W,Ir,Au) سطح فرمی به داخل CBM نفوذ کرده یا اینکه بالای VBM و نزدیک آن واقع شده است در این حالت ساختار دوپینگ شده نقش نیمه هادی دهنده بازی می کند.اما ساختارالکترونی PdS2 در اثر دوپینگ فلزات 3d(Ni,Zn) ،4d(Pd,Cd) و 5d(Pt,Hg) تغییر کرده و همچنان نیمه هادی داتی باقی می ماند بگونه ای که بیشترین گاف انرژی مربوط به همین فلزات می باشد.دوپینگ فلزات 3d(V,Mn,Cu) ،4d(Nb,Tc,Ag) و5d(Ta,Re) ساختار الکترونی سیستم را به کلی تغییر داده و سیستم تبدیل به رسانا می شود.این تغییرات متنوع می تواند اساس ایده های علمی برای ساخت وسایل اسپینرونیک تلقی شود.