نوع مقاله : پژوهشی

نویسندگان

• معصومه ناصری تکیه ¹
• رستم مرادیان ²

¹ گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ملایر، ملایر، ایران

² دانشگاه رازی کرمانشاه

چکیده

لایه‌های نازک سلنیدروی و سلنیدروی/مس با موفقیت به روش تبخیر خلاء تهیه شدند. با استفاده از طیف سنجی مرئی-فرابنقش خواص نوری آن‌ها بررسی شد. در ناحیه شفاف نمونه لایه نازک سلنیدروی عبور بهتری نسبت به لایه نازک سلنیدروی/مس را از خود نشان داد. ضریب شکست نمونه سلنیدروی در طول موج‌های پایین به طول موج وابسته است اما در طول موج‌های بیشتر از 600 نانومتر بدون وابستگی به طول موج و دارای مقدار ثابت حدوداً 5/1 می‌باشد. برای نمونه سلنیدروی/مس ضریب شکست وابستگی کمی به طول موج مشاهده می‌شود و تقریبا مقدار بین 5/1 تا 6/1 را دارد. ضریب خاموشی برای هر دو نمونه با افزایش طول موج، کاهش می‌یابد. قسمت حقیقی و موهومی ثابت دی الکتریک به ترتیب رفتاری مشابه ضریب شکست و ضریب خاموشی از خود نشان دادند. از این مطالعه می توان نتیجه گرفت که هر دو لایه نازک با چنین ویژگی‌های نوری برای کاربردهای اپتوالکترونیکی مناسب هستند.

کلیدواژه‌ها

• سلنیدروی
• سلنیدروی/مس
• لایه نازک
• ضریب شکست و خاموشی
• ثابت دی الکتریک