نوع مقاله : پژوهشی

نویسنده

• ندا احمدی

گروه علوم پایه، واحد گرمسار،دانشگاه آزاد اسلامی، گرمسار، ایران

چکیده

در این مطالعه، سلول خورشیدی پروسکایت بدون سرب Cs2PtI6 (سزیوم پلاتینوم یدید) توسط نرم افزار SCAPS-1D مورد بررسی قرار گرفت و اثر ضخامت لایه پروسکایت، دما، ودانسیته نقص ها بر پارامترهای فوتوولتاییک بررسی گردید. ساختار سلول خورشیدی پیشنهادی n-i-p بوده و معماری آن به صورت ITo/Tio2/Cs2PtI6/CBTS/Au میباشد. پارامترهای محاسبه شده، ولتاژمدار باز، جریان اتصال کوتاه، ضریب پرشدگی، بازدهی، و بازدهی کوانتومی سلول خورشیدی میباشد. نتایج این تحقیق نشان میدهد افزایش ضخامت لایه پروسکایت تا حدی که از طول نفوذ حامل های بار بیشتر نشود راندمان سلول خورشیدی را 29/2% افزایش میدهد. همچنین مشخص شد که افزایش 110 کلوین دما باعث کاهش راندمان 10/7 % بازدهی سلول خورشیدی میشود. از سوی دیگر مشاهده شد که افزایش دانسیته نقص در لایه پروسکایت به شدت باعث کاهش بهره وری سلول خورشیدی به میزان 36/8 % میباشد. این یافته‌ها اهمیت بهینه‌سازی مواد و پایداری عملیاتی را در طراحی سلول‌های خورشیدی پروسکایت بدون سرب کارآمد نشان می‌دهد.

کلیدواژه‌ها

• سلول خورشیدی
• پروسکایت بدون سرب
• اسکپس یک بعدی
• بازده کوانتومی