علی کاظمپور
چکیده
در زمینه برهمکنش قوی میدان-ماده، تعداد فزایندهای از پدیدهها وجود دارند که با در نظر گرفتن مدهای ارتعاشی شبکه، یعنی فونونها، به خوبی قابل درک هستند. دینامیک فونونها به عنوان نتیجهای از جفتشدگی بین درجه آزادی الکترونی و شبکه تأثیر قابلتوجهی بر ویژگیهای گذرای ماده از طریق بازتوزیع حامل های بار و تصحیح دینامیکی قدرت جفتشدگی ...
بیشتر
در زمینه برهمکنش قوی میدان-ماده، تعداد فزایندهای از پدیدهها وجود دارند که با در نظر گرفتن مدهای ارتعاشی شبکه، یعنی فونونها، به خوبی قابل درک هستند. دینامیک فونونها به عنوان نتیجهای از جفتشدگی بین درجه آزادی الکترونی و شبکه تأثیر قابلتوجهی بر ویژگیهای گذرای ماده از طریق بازتوزیع حامل های بار و تصحیح دینامیکی قدرت جفتشدگی آنها با شبکه دارد. در این مطالعه، نقش فونونهای در پدیدههای اپتیکی غیرخطی مانند تولید هارمونیک دوم و جریان جابجایی برای مواد دوبعدی بررسی شده است. نتایج نشان میدهد که تغییرات دینامیکی قوی اثر الکترون-فونون در بار موثر بورن دینامیکی برای تمامی مدهای فونونی وجود دارد. همچنین حضور فونونهای فعال شده باعث افزایش جملات مرتبه دوم هارمونیک دوم و جریان جابجایی می شود. تقویت پارامتر نور توسط فونونهای غیرخطی کنترل بیشتری بر امواج فونون-پولاریتون فراهم میکند، که برای انتقال اطلاعات در مقیاسهای زیرطولموج اصلی مورد توجه است.
یعقوب نعیمی
چکیده
چکیده
ما یک بررسی مقایسهای بر اساس نظریه تابع چگالی (DFT) را ارائه میدهیم که اثر تقریبهای مختلفی نظیر تابع تبادل-همبستگی، پتانسیل هابارد U، تصحیح TB-mBJ و کرنش ثابت شبکه بهینهشده بر روی خواص ساختاری و الکترونیکی ترکیب NaTiAs را بررسی میکند. در ابتدا، با استفاده از بستة WIEN2k مبتنی برDFT انرژی کل در برابر حجم سلول واحد را برای ساختارهای ...
بیشتر
چکیده
ما یک بررسی مقایسهای بر اساس نظریه تابع چگالی (DFT) را ارائه میدهیم که اثر تقریبهای مختلفی نظیر تابع تبادل-همبستگی، پتانسیل هابارد U، تصحیح TB-mBJ و کرنش ثابت شبکه بهینهشده بر روی خواص ساختاری و الکترونیکی ترکیب NaTiAs را بررسی میکند. در ابتدا، با استفاده از بستة WIEN2k مبتنی برDFT انرژی کل در برابر حجم سلول واحد را برای ساختارهای نیمههویسلر فرومغناطیسی، آنتیفرومغناطیسی و غیرمغناطیسی مقایسه میکنیم تا فاز پیکربندی و حالت مغناطیسی پایدارتر را بدست آوریم. محاسبات نشان میدهند که ترکیب نیمههویسلر ما در فاز و حالت فرومغناطیسی پایدارتر است. سپس، ما خواص ساختاری و الکترونیکی را با استفاده از تابعهای تبادل-همبستگیLDA ، PBEsol، WC و PBE بررسی میکنیم. پس از رسم ساختار نواری برای حالت های اسپینی بالا و پایین نتایج ما نشان میدهند که هیچ یک از تابعهای تبادل-همبستگی نمیتوانند به نیمهفلزی بودن ترکیب منجر شوند. اما وقتی از دیدگاه و با پارامترسازی PBE استفاده میکنیم، نتایج نشان میدهند که در یکی از کانالهای اسپینی ساختار نواری سطح فرمی را قطع می کند و خاصیت فلزی از خود نشان می دهد اما در کانال اسپینی دیگر، ساختار نواری داری یک گاف انرژی میباشد و شبیه به یک نیمرسانا رفتار میکند، این رفتار نیمهفلزی ترکیب را نشان میدهد و مقدار گشتاور مغناطیسی کل برابر با میباشد. علاوهبراین، با اعمال حداقل 2 درصد کرنش به ثابت شبکه بهینهشده، به نیمهفلز تبدیل میشود. بررسی ضرایب الاستیک نشان می دهد که ترکیب یک ترکیب پایدار می باشد. این نوع ترکیبات کاندیدایی جهت ساخت وسایل اسپینترونیک میباشند.
زینب حاجی جمالی آرانی؛ تایماز فتح الهی خلخالی
چکیده
در این مقاله، به طراحی ساختار نوری موجبر نازکشده خطی معکوس ساخته شده از نیترید سیلیکون به عنوان متصلکننده موجبرهای چند میکرونی با موجبرهای چند دهم میکرونی در مدارهای مجتمع نوری پرداخته شده است. از آنجا که نحوه انتشار مدهای الکترومغناطیسی در ساختار موجبرها و به ویژه در موجبر نوری نازکشده، وابسته به عوامل مختلفی از جمله شکل و ...
بیشتر
در این مقاله، به طراحی ساختار نوری موجبر نازکشده خطی معکوس ساخته شده از نیترید سیلیکون به عنوان متصلکننده موجبرهای چند میکرونی با موجبرهای چند دهم میکرونی در مدارهای مجتمع نوری پرداخته شده است. از آنجا که نحوه انتشار مدهای الکترومغناطیسی در ساختار موجبرها و به ویژه در موجبر نوری نازکشده، وابسته به عوامل مختلفی از جمله شکل و ابعاد و جنس موجبر میباشد، تاثیر جنبههای مختلف ساختار هندسی موجبر طراحی شده مورد تجزیه و تحلیل قرار میگیرد و توزیع فضایی میدان الکترومغناطیسی مدهای هدایتشده در این ساختار نیز بررسی میشود. با توجه به اهمیت میزان طیف عبوری در یک موجبر برای طراحی مدارهای مجتمع نوری در کامپیوترهای کوانتومی، این طیف با استفاده از محاسبات عددی با روش تفاضل محدود در حوزه زمان (FDTD) سهبعدی، شبیهسازی میشود و ساختار مناسب پیشنهادی با بازده بهتر از میان ساختارهایی تکمدی با ابعاد میکرونی، برای استفاده در کامپیوتر کوانتومی، ساختاری با طول μm 100 و پهنای خروجی μm 1 و پهنای ورودی μm 3/0 میباشد.
حبیب خلیل پور؛ حسین غفوریان
چکیده
خون انسان به عنوان مایع، بیشتر مواقع در هنگام عمل های جراحی که با لیزر انجام می شوند می تواند هدف تابش لیزر قرار بگیرد. در این حالت حباب ها تحت تاثیر انرژی دریافتی مایع از لیزر رشد پیدا می کنند. در این کار برای اولین بار، با استفاده از مدل واقعی گیلمور برای یک مایع تراکم پذیر، دینامیک تک حباب کروی ناشی از لیزر در خون انسان و نوسانات یک ...
بیشتر
خون انسان به عنوان مایع، بیشتر مواقع در هنگام عمل های جراحی که با لیزر انجام می شوند می تواند هدف تابش لیزر قرار بگیرد. در این حالت حباب ها تحت تاثیر انرژی دریافتی مایع از لیزر رشد پیدا می کنند. در این کار برای اولین بار، با استفاده از مدل واقعی گیلمور برای یک مایع تراکم پذیر، دینامیک تک حباب کروی ناشی از لیزر در خون انسان و نوسانات یک حباب را در داخل خون به روش عددی مورد بررسی قرار می گیرد. برای مقایسه با مایعی مشابه نتایج با آب معمولی مقایسه خواهند شد. نتایج عددی نشان می دهد که وقتی مایع پایه خون باشد شعاع نوسان و همچنین تعداد نوسان ها حباب کاهش می یابد. دیواره حباب با سرعت بسیار کمتری نسبت به آب حرکت می کند.
بهاره آذروند حسن فرد؛ مجتبی غلامی
چکیده
این پژوهش به بررسی انبساط هیدرودینامیکی پلاسماهای چگال تحت تأثیر الکترونهای تبهگن نسبیتی با استفاده از مدل هیدرودینامیک کوانتومی و روش خودتشابهی میپردازد. در این مطالعه، معادلات دینامیکی بیبعد شده و تأثیر پارامتر نسبیتی بر تغییرات چگالی، سرعت، پتانسیل الکتریکی و میدان الکتریکی پلاسما بررسی شده است. نتایج نشان داد که با افزایش ...
بیشتر
این پژوهش به بررسی انبساط هیدرودینامیکی پلاسماهای چگال تحت تأثیر الکترونهای تبهگن نسبیتی با استفاده از مدل هیدرودینامیک کوانتومی و روش خودتشابهی میپردازد. در این مطالعه، معادلات دینامیکی بیبعد شده و تأثیر پارامتر نسبیتی بر تغییرات چگالی، سرعت، پتانسیل الکتریکی و میدان الکتریکی پلاسما بررسی شده است. نتایج نشان داد که با افزایش پارامتر نسبیتی ، موقعیت لبه پلاسما گسترش یافته، پایداری چگالی افزایش یافته و سرعت انبساط یونی بهبود مییابد. همچنین، فشار تبهگنی نسبیتی منجر به تقویت پتانسیل الکتریکی و بهبود دینامیک کلی انبساط پلاسما میشود. این یافتهها نقش کلیدی فشار تبهگنی و اثرات نسبیتی را در پلاسماهای چگال برجسته میکنند و برای کاربردهای صنعتی و اخترفیزیکی، از جمله شتابدهندههای ذرات، همجوشی هستهای و تحلیل جتهای نسبیتی، اهمیت دارند. تحلیل ارائهشده ابزار تحلیلی جدیدی برای درک رفتار پلاسماهای چگال در شرایط آزمایشگاهی و کیهانی فراهم میآورد و زمینهساز توسعه فناوریهای پیشرفته مرتبط با پلاسما است.
مینا شیری؛ مهرداد قمی نژاد؛ محمدرضا پورکریمی
چکیده
در این مقاله ما یک سامانۀ دو کیوبیت بار ابررسانای یکسان را مدلسازی میکنیم که در آن اتصالات جوزفسون با یک خازن ثابت جفت شدهاند. در این مدل، تاثیرات دما، انرژی جوزفسون و انرژی جفتشدگی متقابل بین دو کیوبیت تحت افزایش یا کاهش همدوسی و ظرفیت کدگذاری چگال(DCC) مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاکی از آن است که افزایش دما به کاهش همدوسی ...
بیشتر
در این مقاله ما یک سامانۀ دو کیوبیت بار ابررسانای یکسان را مدلسازی میکنیم که در آن اتصالات جوزفسون با یک خازن ثابت جفت شدهاند. در این مدل، تاثیرات دما، انرژی جوزفسون و انرژی جفتشدگی متقابل بین دو کیوبیت تحت افزایش یا کاهش همدوسی و ظرفیت کدگذاری چگال(DCC) مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاکی از آن است که افزایش دما به کاهش همدوسی و DCC منجر میشود، درحالیکه انرژی جفتشدگی متقابل به افزایش این دو کمیت کمک میکند. از سوی دیگر انرژی جوزفسون تاثیری مخالف با انرژی جفتشدگی متقابل دارد و همدوسی و DCC را کاهش میدهد.
پریسا محمودی
چکیده
در بسیاری از فرآیندهای بیوشیمیایی، اختلاط موثر نمونه ها در زمان کم مورد نیاز می باشد. لیکن، اختلاط سریع و همگن سیال های مختلف در کانال های میکروفلوئیدیک، به دلیل عدد رینولدز پایین مرتبط با جریال سیال دشوار است. در این مقاله یک میکرومیکسر فعال با هندسۀ نامتقارن جانبی ارائه شده است، که به واسطۀ شکل آن امکان اعمال جریان الکترواسموتیک ...
بیشتر
در بسیاری از فرآیندهای بیوشیمیایی، اختلاط موثر نمونه ها در زمان کم مورد نیاز می باشد. لیکن، اختلاط سریع و همگن سیال های مختلف در کانال های میکروفلوئیدیک، به دلیل عدد رینولدز پایین مرتبط با جریال سیال دشوار است. در این مقاله یک میکرومیکسر فعال با هندسۀ نامتقارن جانبی ارائه شده است، که به واسطۀ شکل آن امکان اعمال جریان الکترواسموتیک نزدیک به ورودی و به ویژه در خروجی محفظۀ اختلاط میکسر فراهم می شود. در این پیکربندی، سیال های ورودی به ازای دامنۀ ولتاژهای بسیار کوچک، سریع تر و متمرکزتر تحت تاثیر اختلاط موثر قرار می گیرند. به این ترتیب کیفیت بالاتری از مخلوط آنها در طول محفظۀ اختلاط، تحت تاثیر گرداب های ناشی از تحریک الکترواسموتیک و همچنین لبه های تیز داخل محفظه، جاری می شود. کیفیت اختلاط حاصل بار دیگر به واسطۀ میدان الکتریکی دهانۀ خروجی محفظه، دستخوش تغییر می گردد. این عملکرد سبب کاهش زمان اختلاط موثر، کاهش دامنۀ ولتاژ اعمالی، بهبود شاخص اختلاط و ثبات و پایداری عملکرد میکسر در طول زمان می شود. طبق نتایج شبیه سازی المان محدود، به ازای ولتاژ تحریک 1/0 ولت، زمان اختلاط کمتر از 2 ثانیه و شاخص اختلاط 98/0 می باشد. درنتیجه، این طراحی برای کاربردهای آزمایشگاه بر تراشۀ میکروفلوئیدیک، که ماهیت نمونه ها در میکسرها باید بدون تغییر بماند، بسیار ایمن و کارآمد است.
هادی رحیمی؛ احمد حشمتی
چکیده
در این مقاله، به بررسی و شبیهسازی چگالی نوری در یک بلور فوتونی یکبعدی حاوی لایههای سیلیکا و زیرکونیا که روی زیرلایه پلیکربنات نشانده شدهاند میپردازیم. روش محاسباتی مبتنی بر ماتریس انتقال بوده و برای هر دو قطبش عرضی الکتریکی و مغناطیسی انجام شده است. در ساختار پیشنهادی، در محدوده طول موجی 400 تا 1600 نوار ممنوعه ای در ناحیه 750 ...
بیشتر
در این مقاله، به بررسی و شبیهسازی چگالی نوری در یک بلور فوتونی یکبعدی حاوی لایههای سیلیکا و زیرکونیا که روی زیرلایه پلیکربنات نشانده شدهاند میپردازیم. روش محاسباتی مبتنی بر ماتریس انتقال بوده و برای هر دو قطبش عرضی الکتریکی و مغناطیسی انجام شده است. در ساختار پیشنهادی، در محدوده طول موجی 400 تا 1600 نوار ممنوعه ای در ناحیه 750 تا 1200 نانومتر ایجاد شد. لبه های این نوار ممنوعه در هر دو قطبش الکتریکی عرضی و مغناطیسی عرضی، با افزایش زاویه تابش به سمت طول موج های کوتاهتر جابجا می شوند. همچنین معلوم شد که در قطبش الکتریکی عرضی، چگالی نوری با افزایش زاویه به تدریج افزایش می یابد ولی در قطبش مغناطیسی عرضی کاهش می یابد. هر چقدر ضریب انتقال کمتر باشد مقدار چگالی نوری بیشتر است و برعکس. نتایج حاصل می توانند در طیف سنجی مواد، حسگرهای نوری، طراحی پنجرههای اپتیکی، محافظت نوری و غیره بکار برده شوند.
آزاده احمدیان
چکیده
در این مقاله، اثر میدانهای ویگلر پیچشی و تخت روی شتاب الکترون در یک لیزر الکترون آزاد معکوس با بیم لیزری قطبیده دایروی در حضور میدان مغناطیسی خارجی افزایشی مورد مطالعه قرار گرفته است. تأثیر پارامترهای ویگلر ، پارامتر شیب میدان خارجی وپارامتر شدت لیزربر دینامیک و شتابگیری الکترون بررسی شده است. نتایج عددی نشان میدهند که در هر ...
بیشتر
در این مقاله، اثر میدانهای ویگلر پیچشی و تخت روی شتاب الکترون در یک لیزر الکترون آزاد معکوس با بیم لیزری قطبیده دایروی در حضور میدان مغناطیسی خارجی افزایشی مورد مطالعه قرار گرفته است. تأثیر پارامترهای ویگلر ، پارامتر شیب میدان خارجی وپارامتر شدت لیزربر دینامیک و شتابگیری الکترون بررسی شده است. نتایج عددی نشان میدهند که در هر دو حالت ویگلر پیچشی و تخت، در صورت انتخاب پارامترهای بهینه برای لیزر، میدان ویگلر و میدان مغناطیسی خارجی انرژی قابلتوجهی به الکترون منتقل میشود. افزایش انرژی الکترون در حالت ویگلر پیچشی برابر با 2.42 گیگا الکترونولت است ، در حالی که در حالت ویگلر تخت، بیشترین انرژی کسب شده توسط الکترون درحدود 1.85 گیگا الکترونولت افزایش یافته است. این بررسی مقایسهای، درک بهتری از دینامیک الکترون در لیزر الکترون آزاد معکوس ارائه میدهد و اهمیت استفاده از ویگلر پیچشی در مقایسه با ویگلر تخت را نشان میدهد.
آمنه کارگریان؛ سولماز جمالی
چکیده
امروزه بهدلیل اهمیت مصرف انرژی در کاربرد سامانههای تولید پلاسما در صنعت، مشخصهیابی پارامترهای الکتریکی آنها بسیار مهم است. در این مقاله، توان مصرفی سامانه تولید پلاسمای سد دیالکتریک سطحی با ساختار مشبک با استفاده از دو نوع دیالکتریک متفاوت، کوارتز و آلومینا، در ولتاژهای مختلف اندازهگیری و مقایسه شده است. هدف اصلی بررسی ...
بیشتر
امروزه بهدلیل اهمیت مصرف انرژی در کاربرد سامانههای تولید پلاسما در صنعت، مشخصهیابی پارامترهای الکتریکی آنها بسیار مهم است. در این مقاله، توان مصرفی سامانه تولید پلاسمای سد دیالکتریک سطحی با ساختار مشبک با استفاده از دو نوع دیالکتریک متفاوت، کوارتز و آلومینا، در ولتاژهای مختلف اندازهگیری و مقایسه شده است. هدف اصلی بررسی تأثیر جنس دیالکتریک بر میزان توان مصرفی سامانه پلاسمای سطحی مشبک در شرایط مختلف اعمال ولتاژ میباشد. برای اندازهگیری جریان تخلیه و محاسبه توان مصرفی، روش اندازهگیری جریان با استفاده از پیچه روگوفسکی بکار گرفته شده است که امکان ثبت دقیق جریانهای سریع و گذرای موجود در فرآیند تخلیه پلاسما را فراهم میسازد. نتایج نشان میدهد که نوع دیالکتریک تأثیر قابلتوجهی بر توان مصرفی سامانه دارد؛ بهطوریکه آلومینا در مقایسه با کوارتز، بهدلیل ویژگیهای الکتریکی و حرارتی خاص خود، منجر به کاهش توان مصرفی میشود. نتایج حاصل از این مقاله میتواند در انتخاب بهینه مواد دیالکتریک برای طراحی سامانههای پلاسما با کارایی بالا در کاربردهای مختلف صنعتی، پزشکی و زیستمحیطی مفید واقع شود.
مریم اسرافیلیان
چکیده
چکیده
در این پژوهش با استفاده از تقریب بستگی قوی و تابع گرین بازگشتی، اثر تغییر عرض نانو نوار و دما را روی خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی نانونوارهای نامتجانس برمولیبدندی-سولفاید و تنگستندیتلوراید را در پیکربندی ارجح بررسی شد. کانال و دو الکترود نیمه بینهایت توسط نانونوارها به صورت دولایه در نظر گرفته شده است. خواص ترموالکتریکی ...
بیشتر
چکیده
در این پژوهش با استفاده از تقریب بستگی قوی و تابع گرین بازگشتی، اثر تغییر عرض نانو نوار و دما را روی خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی نانونوارهای نامتجانس برمولیبدندی-سولفاید و تنگستندیتلوراید را در پیکربندی ارجح بررسی شد. کانال و دو الکترود نیمه بینهایت توسط نانونوارها به صورت دولایه در نظر گرفته شده است. خواص ترموالکتریکی نظیر رسانش الکتریکی، توان ترموالکتریک )ضریب سیبک)، رسانندگی گرمایی، ضریب بهینگی محاسبه شد. اثر عرض نانو نوارها و دما در این پیکربندی روی خواص ترموالکتریکی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان میدهد ضخامت بیشتر، مطلوبترین خواص ترموالکتریکی را ایجاد میکند.
حامد علیزاده؛ محمد مفرح
چکیده
این مقاله یک طرح جدید از یک سیستم ارتباط نور مرئی (VLC ) را ارائه میدهد که توسط یک سطح بازتابنده هوشمند نوری (OIRS ) برای پشتیبانی از کاربردهای داخلی در مقیاس بزرگ بهبود یافته است. این سیستم از بازتابپذیری قابل برنامهریزی OIRS نوری برای بهینهسازی انتشار نور استفاده میکند و در نتیجه پوشش و کیفیت سیگنال را در محیطهای داخلی گسترده بهبود ...
بیشتر
این مقاله یک طرح جدید از یک سیستم ارتباط نور مرئی (VLC ) را ارائه میدهد که توسط یک سطح بازتابنده هوشمند نوری (OIRS ) برای پشتیبانی از کاربردهای داخلی در مقیاس بزرگ بهبود یافته است. این سیستم از بازتابپذیری قابل برنامهریزی OIRS نوری برای بهینهسازی انتشار نور استفاده میکند و در نتیجه پوشش و کیفیت سیگنال را در محیطهای داخلی گسترده بهبود میبخشد. یک مدل دقیق از سیستم، شامل ویژگیهای کانال VLC و خصوصیات کنترلپذیر OIRS توسعه داده شده است. از طریق تجزیه و تحلیل ریاضی و شبیهسازیهای گسترده، نشان داده شده است که سیستم پیشنهادی به طور قابل توجهی نسبت سیگنال به نویز (SNR ) افزایش داده شده و پوشش بهتری در مقایسه با سیستمهای VLC معمولی ارایه میدهد. نتایج بهدستآمده، اثربخشی سیستم VLC مبتنی بر IRS نوری را به عنوان یک راه حل قوی برای ارتباط بیسیم پرسرعت و قابل اعتماد در فضاهای داخلی بزرگ مانند انبارها، مراکز خرید و مراکز کنفرانس تأیید میکنند.
محسن روزبهانی؛ ناصر پرتوی شبستری؛ حمید قائمی بافقی
چکیده
توریهای پراش هولوگرافیک به عنوان عناصر نوری پاشنده در طیفسنجها، لیزرهای دیودی، فیلترهای نوری و سیستمهای ارتباطی نقش کلیدی ایفا میکنند.در این مقاله، طراحی و توسعه یک سامانهی پایدارساز فعال برای تثبیت نوارهای تداخلی در فرآیند ثبت توریهای تمامنگاری معرفی میگردد. در چیدمان تمامنگاری، نوارهای تداخلی تحت تأثیر عواملی ...
بیشتر
توریهای پراش هولوگرافیک به عنوان عناصر نوری پاشنده در طیفسنجها، لیزرهای دیودی، فیلترهای نوری و سیستمهای ارتباطی نقش کلیدی ایفا میکنند.در این مقاله، طراحی و توسعه یک سامانهی پایدارساز فعال برای تثبیت نوارهای تداخلی در فرآیند ثبت توریهای تمامنگاری معرفی میگردد. در چیدمان تمامنگاری، نوارهای تداخلی تحت تأثیر عواملی مانند ارتعاشات محیطی، تغییرات دما، جریان هوا و ناپایداری منبع لیزر دچار جابهجایی میشوند. برخی از این اختلالات، مانند ارتعاشات کاتورهای، تنها با روشهای فعال قابل کنترل هستند. در این مقاله، برای تثبیت نوارهای تداخلی از یک سامانه فیدبک فعال مبتنی بر کنترلکننده PID استفاده شده است. آشکارسازی نوارها توسط CCD انجام میشود و پس از تحلیل نرمافزاری، با تغییر مسیر یکی از باریکههای لیزر به کمک یک پیزوالکتریک متصل به آینه، جبران حرکت صورت میگیرد. پیزوالکتریک با اعمال ولتاژ مناسب کنترل میشود. این روش قادر است نوسانات محیطی را تا حدود 24/ λ (برای طولموج ۴۴۲ نانومتر) معادل حدود ۱۸ نانومتر، کاهش دهد.
ربابه طالب زاده؛ شبنم عندلیبی میاندواب
چکیده
در این مقاله ساختار لایه ای مبتنی بر بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایه های تناوبی از مواد سیلیس و هوا را در نظر گرفتیم که شامل کاواک محصور با نانوکامپوزیت های ابررسانای پایه بیسموت می باشد. با بهره گیری از روش ماتریس انتقال، طیف تراگسیل ساختار مورد مطالعه را بررسی کردیم. نشان دادیم که در طیف تراگسیل ساختار پیشنهادی می توان مدهای تشدیدی ...
بیشتر
در این مقاله ساختار لایه ای مبتنی بر بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایه های تناوبی از مواد سیلیس و هوا را در نظر گرفتیم که شامل کاواک محصور با نانوکامپوزیت های ابررسانای پایه بیسموت می باشد. با بهره گیری از روش ماتریس انتقال، طیف تراگسیل ساختار مورد مطالعه را بررسی کردیم. نشان دادیم که در طیف تراگسیل ساختار پیشنهادی می توان مدهای تشدیدی واضح برای هریک از نمونه های مختلف بافت مغزی یافت که موقعیت آنها به پارامترهای ساختار از جمله ضریب پرشدگی وابسته است. بنابراین مطالعه ساختار پیشنهادی می تواند به عنوان حسگر زیستی برای بیماری های مغزی در طراحی ادوات حسگری مفید واقع شود. با بهینه کردن پارامترهای مربوطه و استفاده از مواد ابررسانای دمای بالای پایه بیسموت (BSCCO)، حساسیت ساختار حسگر زیستی پیشنهادی را برای مثال برای نوعی بیماری مغزی موسوم به لیپپوما تا مقدار افزایش دادیم.
نصرتعلی وهابزاده
چکیده
در این پژوهش، خواص ساختاری، الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریک ماده دوبعدی MoSi₂N₄ با استفاده از محاسبات مبتنی بر نظریه تابع چگالی (DFT) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات انرژی–حجم نشان میدهند که MoSi₂N₄ از نظر ترمودینامیکی پایدار بوده و مدول بالک بالا، سختی مکانیکی و تراکمپذیری پایین این ماده را تأیید میکند. تحلیل ساختار نواری ...
بیشتر
در این پژوهش، خواص ساختاری، الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریک ماده دوبعدی MoSi₂N₄ با استفاده از محاسبات مبتنی بر نظریه تابع چگالی (DFT) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات انرژی–حجم نشان میدهند که MoSi₂N₄ از نظر ترمودینامیکی پایدار بوده و مدول بالک بالا، سختی مکانیکی و تراکمپذیری پایین این ماده را تأیید میکند. تحلیل ساختار نواری و چگالی حالات (DOS/PDOS) گاف نواری مستقیم با مقدار تقریبی ۲ الکترون ولت را آشکار میسازد که این ویژگی MoSi₂N₄ را برای کاربردهای اپتوالکترونیکی نویدبخش میسازد. بررسی طیف فونونی نیز پایداری دینامیکی ماده را تأیید کرده و نشان میدهد که ارتعاشات فونونی شرایط مناسبی برای هدایت حرارتی و برهمکنش الکترون–فونون فراهم میکنند. نتایج اپتیکی حاکی از ناهمسانگردی قابل توجه در ثابت دیالکتریک، تابع جذب و پاسخ پلاسمونی در محدوده مرئی و فرابنفش است. علاوه بر این، پارامترهای ترموالکتریک محاسبهشده نظیر ضریب سیبک و ضریب مریت ZT پتانسیل MoSi₂N₄ برای کاربرد در فناوریهای انرژی حرارتی–الکتریکی را برجسته میکنند. این یافتهها MoSi₂N₄ را بهعنوان یک مادهی دوبعدی چندمنظوره با قابلیتهای بالقوه در نانوالکترونیک، اپتوالکترونیک و انرژی معرفی میکنند.
مهرآسا آیت اللهی؛ مریم روزبهی
چکیده
چکیده
در این پژوهش به بررسی موضوع پایداری در سیستمهای نوسانگر هارمونیک میپردازیم. بدین منظور معادله دیفرانسیل توصیفکننده نوسانگر را با استفاده از متغیرهای مناسب به مدل فضای حالت تبدیل میکنیم تا امکان استفاده از روابط جبری ماتریسی به منظور طراحی یک کنترلکننده پایدارساز برای سیستم مورد مطالعه فراهم شود. در مدل فضای حالت میتوانیم ...
بیشتر
چکیده
در این پژوهش به بررسی موضوع پایداری در سیستمهای نوسانگر هارمونیک میپردازیم. بدین منظور معادله دیفرانسیل توصیفکننده نوسانگر را با استفاده از متغیرهای مناسب به مدل فضای حالت تبدیل میکنیم تا امکان استفاده از روابط جبری ماتریسی به منظور طراحی یک کنترلکننده پایدارساز برای سیستم مورد مطالعه فراهم شود. در مدل فضای حالت میتوانیم با به کار بردن ماتریسهای حالت و تکنیک تخصیص مقادیر ویژه، یک قانون کنترل مبتنی بر فیدبک حالت طراحی کنیم. پارامترهای این کنترلکننده به گونهای تنظیم میشوند که مقادیر ویژه سیستم حلقه بسته (که تعیینکننده پایداری هستند) در موقعیتهای مطلوبی از صفحه مختلط قرار گیرند تا در نهایت منجر به پایداری سیستم شود.
رضا مردانی قهفرخی؛ محسن قاسمی؛ ویشتاسب سلیمانیان
چکیده
در این پژوهش، سامانه چند لایهای رسانای شفاف ZnSe/Ag/CdTe (ZAC) طراحی و شبیهسازی شد. ضخامت بهینه برای لایهها به گونهای تعیین شد که تراگسیل بالا و مقاومت الکتریکی پایین بطور همزمان حاصل شود. برای بررسی خواص اپتیکی سامانه چند لایهای، طیف عبور، بازتاب و گاف انرژی موثر سامانه چند لایهای تعیین شد. ضخامت بهینه برای لایههای ZnSe ، Ag و CdTe ...
بیشتر
در این پژوهش، سامانه چند لایهای رسانای شفاف ZnSe/Ag/CdTe (ZAC) طراحی و شبیهسازی شد. ضخامت بهینه برای لایهها به گونهای تعیین شد که تراگسیل بالا و مقاومت الکتریکی پایین بطور همزمان حاصل شود. برای بررسی خواص اپتیکی سامانه چند لایهای، طیف عبور، بازتاب و گاف انرژی موثر سامانه چند لایهای تعیین شد. ضخامت بهینه برای لایههای ZnSe ، Ag و CdTe به ترتیب nm40، nm 12 و nm 35 محاسبه شد. نتایج نشان داد که سامانه طراحی شده می تواند به عنوان الکترود میان لایهای در سلولهای خورشیدی، استفاده شود. برای این منظور، سلول خورشیدی تاندم دو ترمیناله پروسکایت (CH3NH3PbI3) و سیلیکون با ساختار FTO/ TiO2/ Pervoskite (CH3NH3PbI3) / Spiro-OMeTAD/ ZAC/ C-Si (n)/ C-Si (p)/ C-Si (p+)/Mo با استفاده از نرمافزار SCAPS شبیهسازی شد. برای مقادیر ولتاژ مدار باز (Voc)، چگالی جریان (Jsc)، ضریب پر شدگی و بازده تبدیل توان (PCE) به ترتیب V62/1، mA/cm2 40/20، 30/89 و 51/29 درصد بدست آمد. بطور کلی نتایج نشان داد که سامانه طراحی شده ZAC پتانسیل مناسبی برای بهکارگیری در ادوات اپتوالکترونیکی دارد.
فاطمه نعمتی؛ رضا حبیب پور بی صفر؛ الهه جوان شور
چکیده
در این پژوهش، ویژگیهای ساختاری، الکترونیکی و نوری ترکیبات پروسکایتی Ba₃MBr₃ با عناصر نیتروژن و فسفر در جایگاه M، بهصورت سیستماتیک و با بهرهگیری از محاسبات نظریه تابع چگالی مورد بررسی قرار گرفتند. برای افزایش دقت در مدلسازی برهمکنشهای الکترونی، از تقریب گرادیان تعمیمیافته مرتبه دوم استفاده شد و محاسبات هم با و هم بدون در ...
بیشتر
در این پژوهش، ویژگیهای ساختاری، الکترونیکی و نوری ترکیبات پروسکایتی Ba₃MBr₃ با عناصر نیتروژن و فسفر در جایگاه M، بهصورت سیستماتیک و با بهرهگیری از محاسبات نظریه تابع چگالی مورد بررسی قرار گرفتند. برای افزایش دقت در مدلسازی برهمکنشهای الکترونی، از تقریب گرادیان تعمیمیافته مرتبه دوم استفاده شد و محاسبات هم با و هم بدون در نظر گرفتن اثرات جفتشدگی اسپین-مدار انجام شدند. بهمنظور بهبود پیشبینی شکاف نواری، از تابعی هیبریدی Heyd-Scuseria-Ernzerhof (HSE) بهره گرفته شد. نتایج نشان دادند که در غیاب SOC، ترکیب Ba₃NBr₃ دارای شکاف نواری غیرمستقیم 0/36 الکترونولت و Ba₃PBr₃ دارای شکاف 0/85 الکترونولت است. با اعمال تابعی HSE، این مقادیر بهترتیب به 0/92 و 1/40الکترونولت افزایش یافتند. با در نظر گرفتن SOC، شکاف نواری هر دو ترکیب اندکی کاهش یافت، که این کاهش در ترکیب نیتروژنی محسوستر بود. تحلیل چگالی حالتها نشان داد که اوربیتالهای p از Br نقش اصلی را در نوار ظرفیت ایفا میکنند، در حالی که نوار رسانش عمدتاً از اوربیتالهای d عنصر Ba تشکیل شده است. نقشههای چگالی الکترونی نیز وجود پیوندهای یونی-کووالانسی را تأیید کردند، بهطوریکه پیوند Ba–N نسبت به Ba–P دارای ویژگی کووالانسی قویتری است. در مجموع، این مطالعه نشان میدهد که نوع عنصر جایگزینشده در جایگاه M و همچنین اثرات نسبیتی، تأثیر چشمگیری بر ساختار الکترونیکی و شکاف نواری این مواد دارند. این یافتهها میتوانند راهگشای طراحی پروسکایتهای پایدار و بدون سرب برای کاربردهای نوین اپتوالکترونیکی باشند.
محمدصادق آخوندی خضرآباد؛ مریم مسعودی؛ علی اصغر شکری؛ صدیقه چوبینه
چکیده
در این مقاله، با بهرهگیری از محاسبات نظری مبتنی بر تابع چگالی (DFT)، اثر دما بر ویژگیهای نوری نانونوار گرافن آرمیچر-10 (10-AGNR) که با اتمهای نیتروژن و بور آلاییده شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. هدف اصلی، ارزیابی قابلیت این ساختار در طراحی آشکارسازهای نوری مادون قرمز(IR) در دماهای مختلف، بهویژه در محدوده دمایی 77 تا 300 کلوین است. ...
بیشتر
در این مقاله، با بهرهگیری از محاسبات نظری مبتنی بر تابع چگالی (DFT)، اثر دما بر ویژگیهای نوری نانونوار گرافن آرمیچر-10 (10-AGNR) که با اتمهای نیتروژن و بور آلاییده شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. هدف اصلی، ارزیابی قابلیت این ساختار در طراحی آشکارسازهای نوری مادون قرمز(IR) در دماهای مختلف، بهویژه در محدوده دمایی 77 تا 300 کلوین است. نتایج حاصل نشان میدهد که افزودن آلاینده نیتروژن به ساختار گرافن باعث افزایش بیشینه پاسخدهی نوری میشود. از سوی دیگر، افزایش دما در حضور آلاینده ها، منجر به کاهش تدریجی این پاسخدهی میگردد. با این حال، این کاهش نسبتاً محدود بوده و نشان میدهد که عملکرد دستگاه در برابر تغییرات دمایی تا حدی پایدار است. ترکیب ویژگیهای نوری مناسب و پایداری حرارتی نسبی،10-AGNR آلاییده شده را به گزینهای بالقوه برای استفاده در آشکارسازهای مادون قرمز در دمای محیط تبدیل میکند. این یافتهها میتوانند در طراحی نسل جدیدی از حسگرهای نوری با کارایی بالا مؤثر باشند.
اشکان صادقی؛ محمد سروش؛ هاراپراساد موندال
چکیده
در این پژوهش، یک حسگر مبتنی بر تشدید پلاسمون سطحی با ساختار BK7/ZnO/Ag/ZnO/WSe2 برای تشخیص ویروس دنگی بر پایه هموگلوبینهای خون برای کار در طول موج nm 633 پیشنهاد شده است. برای تزویج نور به درون ساختار از منشور BK7 استفاده شده است. چیدمان لایه های ساختار عبارت است از یک فیلم نقره به عنوان ماده اصلی پلاسمونی، دو لایه ZnO که فیلم نقره را محصور میکنند؛ ...
بیشتر
در این پژوهش، یک حسگر مبتنی بر تشدید پلاسمون سطحی با ساختار BK7/ZnO/Ag/ZnO/WSe2 برای تشخیص ویروس دنگی بر پایه هموگلوبینهای خون برای کار در طول موج nm 633 پیشنهاد شده است. برای تزویج نور به درون ساختار از منشور BK7 استفاده شده است. چیدمان لایه های ساختار عبارت است از یک فیلم نقره به عنوان ماده اصلی پلاسمونی، دو لایه ZnO که فیلم نقره را محصور میکنند؛ اولی برای جبران اتصال ضعیف نقره و منشور، و دومی برای محافظت از نقره در برابر اکسیداسیون و خوردگی و نیز بهبود حساسیت و یک لایه از ماده دو بعدی WSe2 برای بهبود حساسیت و افزایش برهمکنش زیست مولکولی. ساختار در نرمافزار کامسول طراحی و شبیهسازی شده است. مقادیر بدست آمده برای پارامترهای حسگر عبارتند از حساسیت °/RIU 49/287، پهنای کل در نصف حداکثر ° 669/2، صحت آشکارسازی deg-1 3747/0 ضریب کیفیت RIU-1 72/107 و سیگنال به نویز 77/3. تاثیر ضخامت لایههای Ag و ZnO و تعداد لایههای WSe2 بر عملکرد حسگر بررسی شده اند.
این نشریه در پایگاه استنادی علوم جهان اسلام ISC نمایه گردیده است. 
این نشریه با همکاری انجمن اپتیک و فوتونیک ایران منتشر می شود. *تفاهم نامه*
دانلود مقاله از سایت فصلنامه رایگان است CC By 4.0. .png)
)
