نوع مقاله : پژوهشی
نویسنده
هیات علمی
چکیده
چکیده
در این پژوهش با استفاده از تقریب بستگی قوی و تابع گرین بازگشتی، اثر تغییر عرض نانو نوار و دما را روی خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی نانونوارهای نامتجانس برمولیبدن‌دی-سولفاید و تنگستن‌دی‌تلوراید را در پیکربندی ارجح بررسی شد. کانال و دو الکترود نیمه بینهایت توسط نانونوارها به صورت دولایه در نظر گرفته شده است. خواص ترموالکتریکی نظیر رسانش الکتریکی، توان ترموالکتریک )ضریب سیبک)، رسانندگی گرمایی، ضریب بهینگی محاسبه شد. اثر عرض نانو نوارها و دما در این پیکربندی روی خواص ترموالکتریکی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهد ضخامت بیشتر، مطلوبترین خواص ترموالکتریکی را ایجاد می‌کند.
کلیدواژه‌ها
)