یعقوب نعیمی
چکیده
چکیدهما یک بررسی مقایسهای بر اساس نظریه تابع چگالی (DFT) را ارائه میدهیم که اثر تقریبهای مختلفی نظیر تابع تبادل-همبستگی، پتانسیل هابارد U، تصحیح TB-mBJ و کرنش ثابت شبکه بهینهشده بر روی خواص ساختاری و الکترونیکی ترکیب NaTiAs را بررسی میکند. در ابتدا، با استفاده از بستة WIEN2k مبتنی برDFT انرژی کل در برابر حجم سلول واحد را برای ساختارهای ...
بیشتر
چکیدهما یک بررسی مقایسهای بر اساس نظریه تابع چگالی (DFT) را ارائه میدهیم که اثر تقریبهای مختلفی نظیر تابع تبادل-همبستگی، پتانسیل هابارد U، تصحیح TB-mBJ و کرنش ثابت شبکه بهینهشده بر روی خواص ساختاری و الکترونیکی ترکیب NaTiAs را بررسی میکند. در ابتدا، با استفاده از بستة WIEN2k مبتنی برDFT انرژی کل در برابر حجم سلول واحد را برای ساختارهای نیمههویسلر فرومغناطیسی، آنتیفرومغناطیسی و غیرمغناطیسی مقایسه میکنیم تا فاز پیکربندی و حالت مغناطیسی پایدارتر را بدست آوریم. محاسبات نشان میدهند که ترکیب نیمههویسلر ما در فاز و حالت فرومغناطیسی پایدارتر است. سپس، ما خواص ساختاری و الکترونیکی را با استفاده از تابعهای تبادل-همبستگیLDA ، PBEsol، WC و PBE بررسی میکنیم. پس از رسم ساختار نواری برای حالت های اسپینی بالا و پایین نتایج ما نشان میدهند که هیچ یک از تابعهای تبادل-همبستگی نمیتوانند به نیمهفلزی بودن ترکیب منجر شوند. اما وقتی از دیدگاه و با پارامترسازی PBE استفاده میکنیم، نتایج نشان میدهند که در یکی از کانالهای اسپینی ساختار نواری سطح فرمی را قطع می کند و خاصیت فلزی از خود نشان می دهد اما در کانال اسپینی دیگر، ساختار نواری داری یک گاف انرژی میباشد و شبیه به یک نیمرسانا رفتار میکند، این رفتار نیمهفلزی ترکیب را نشان میدهد و مقدار گشتاور مغناطیسی کل برابر با میباشد. علاوهبراین، با اعمال حداقل 2 درصد کرنش به ثابت شبکه بهینهشده، به نیمهفلز تبدیل میشود. بررسی ضرایب الاستیک نشان می دهد که ترکیب یک ترکیب پایدار می باشد. این نوع ترکیبات کاندیدایی جهت ساخت وسایل اسپینترونیک میباشند.
زینب حاجی جمالی آرانی؛ تایماز فتح الهی خلخالی
چکیده
در این مقاله، به طراحی ساختار نوری موجبر نازکشده خطی معکوس ساخته شده از نیترید سیلیکون به عنوان متصلکننده موجبرهای چند میکرونی با موجبرهای چند دهم میکرونی در مدارهای مجتمع نوری پرداخته شده است. از آنجا که نحوه انتشار مدهای الکترومغناطیسی در ساختار موجبرها و به ویژه در موجبر نوری نازکشده، وابسته به عوامل مختلفی از جمله شکل و ...
بیشتر
در این مقاله، به طراحی ساختار نوری موجبر نازکشده خطی معکوس ساخته شده از نیترید سیلیکون به عنوان متصلکننده موجبرهای چند میکرونی با موجبرهای چند دهم میکرونی در مدارهای مجتمع نوری پرداخته شده است. از آنجا که نحوه انتشار مدهای الکترومغناطیسی در ساختار موجبرها و به ویژه در موجبر نوری نازکشده، وابسته به عوامل مختلفی از جمله شکل و ابعاد و جنس موجبر میباشد، تاثیر جنبههای مختلف ساختار هندسی موجبر طراحی شده مورد تجزیه و تحلیل قرار میگیرد و توزیع فضایی میدان الکترومغناطیسی مدهای هدایتشده در این ساختار نیز بررسی میشود. با توجه به اهمیت میزان طیف عبوری در یک موجبر برای طراحی مدارهای مجتمع نوری در کامپیوترهای کوانتومی، این طیف با استفاده از محاسبات عددی با روش تفاضل محدود در حوزه زمان (FDTD) سهبعدی، شبیهسازی میشود و ساختار مناسب پیشنهادی با بازده بهتر از میان ساختارهایی تکمدی با ابعاد میکرونی، برای استفاده در کامپیوتر کوانتومی، ساختاری با طول μm 100 و پهنای خروجی μm 1 و پهنای ورودی μm 3/0 میباشد.
مینا شیری؛ مهرداد قمی نژاد؛ محمدرضا پورکریمی
چکیده
در این مقاله ما یک سامانۀ دو کیوبیت بار ابررسانای یکسان را مدلسازی میکنیم که در آن اتصالات جوزفسون با یک خازن ثابت جفت شدهاند. در این مدل، تاثیرات دما، انرژی جوزفسون و انرژی جفتشدگی متقابل بین دو کیوبیت تحت افزایش یا کاهش همدوسی و ظرفیت کدگذاری چگال(DCC) مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاکی از آن است که افزایش دما به کاهش همدوسی ...
بیشتر
در این مقاله ما یک سامانۀ دو کیوبیت بار ابررسانای یکسان را مدلسازی میکنیم که در آن اتصالات جوزفسون با یک خازن ثابت جفت شدهاند. در این مدل، تاثیرات دما، انرژی جوزفسون و انرژی جفتشدگی متقابل بین دو کیوبیت تحت افزایش یا کاهش همدوسی و ظرفیت کدگذاری چگال(DCC) مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاکی از آن است که افزایش دما به کاهش همدوسی و DCC منجر میشود، درحالیکه انرژی جفتشدگی متقابل به افزایش این دو کمیت کمک میکند. از سوی دیگر انرژی جوزفسون تاثیری مخالف با انرژی جفتشدگی متقابل دارد و همدوسی و DCC را کاهش میدهد.
پریسا محمودی
چکیده
در بسیاری از فرآیندهای بیوشیمیایی، اختلاط موثر نمونه ها در زمان کم مورد نیاز می باشد. لیکن، اختلاط سریع و همگن سیال های مختلف در کانال های میکروفلوئیدیک، به دلیل عدد رینولدز پایین مرتبط با جریال سیال دشوار است. در این مقاله یک میکرومیکسر فعال با هندسۀ نامتقارن جانبی ارائه شده است، که به واسطۀ شکل آن امکان اعمال جریان الکترواسموتیک ...
بیشتر
در بسیاری از فرآیندهای بیوشیمیایی، اختلاط موثر نمونه ها در زمان کم مورد نیاز می باشد. لیکن، اختلاط سریع و همگن سیال های مختلف در کانال های میکروفلوئیدیک، به دلیل عدد رینولدز پایین مرتبط با جریال سیال دشوار است. در این مقاله یک میکرومیکسر فعال با هندسۀ نامتقارن جانبی ارائه شده است، که به واسطۀ شکل آن امکان اعمال جریان الکترواسموتیک نزدیک به ورودی و به ویژه در خروجی محفظۀ اختلاط میکسر فراهم می شود. در این پیکربندی، سیال های ورودی به ازای دامنۀ ولتاژهای بسیار کوچک، سریع تر و متمرکزتر تحت تاثیر اختلاط موثر قرار می گیرند. به این ترتیب کیفیت بالاتری از مخلوط آنها در طول محفظۀ اختلاط، تحت تاثیر گرداب های ناشی از تحریک الکترواسموتیک و همچنین لبه های تیز داخل محفظه، جاری می شود. کیفیت اختلاط حاصل بار دیگر به واسطۀ میدان الکتریکی دهانۀ خروجی محفظه، دستخوش تغییر می گردد. این عملکرد سبب کاهش زمان اختلاط موثر، کاهش دامنۀ ولتاژ اعمالی، بهبود شاخص اختلاط و ثبات و پایداری عملکرد میکسر در طول زمان می شود. طبق نتایج شبیه سازی المان محدود، به ازای ولتاژ تحریک 1/0 ولت، زمان اختلاط کمتر از 2 ثانیه و شاخص اختلاط 98/0 می باشد. درنتیجه، این طراحی برای کاربردهای آزمایشگاه بر تراشۀ میکروفلوئیدیک، که ماهیت نمونه ها در میکسرها باید بدون تغییر بماند، بسیار ایمن و کارآمد است.