نوع مقاله : پژوهشی

نویسندگان

• فاطمه صمدی ¹
• نادر قبادی ²
• پویان غیاثی ³

¹ فیزیک/علوم پایه/دانشگاه ملایر/ ملایر/ایران

² فیزیک/علوم پایه/دانشگاه ملایر/ملایر/ایران

³ فیزیک/ علوم پایه/ دانشگاه ملایر/ملایر/ایران

چکیده

در پژوهش حاضر به بررسی دقیق تأثیر آلایش عنصر آلومینیوم بر خواص لایه‌های نازک نانوساختارِ سلنید مس در حین فرآیند رسوب‌گذاری اختصاص دارد. در این راستا، نانوساختارهای سلنید مس با غلظت‌های متفاوتی از ناخالصی آلومینیوم (معادل 03/0 و 05/0مولار) با بهره‌گیری از روش ساده‌ی رسوب‌گذاری در حمام شیمیایی سنتز گردیدند. نتایج نشان می‌دهد که ورود اتم‌های آلومینیوم به ساختار سلنید مس، به شکل‌گیری گذارهای الکترونی جدیدی منجر می‌شود که به فاز سلنید آلومینیوم نسبت داده می‌شوند. این پدیده، ظهور شکاف‌های انرژی چندگانه را در نمونه‌های آلاییده به همراه دارد. برای تحلیل و شناسایی خواص نمونه‌ها، از طیف‌سنجی جذبی به منظور محاسبه‌ی فاصله باند انرژی و همچنین برای آنالیز عنصری و آنالیز سطحی، از تکنیک‌های EDX و FESEM بهره برده شد. مشاهدات حاکی از آن است که در بسیاری از نمونه‌ها، وجود دو انتقال مجزا قابل تشخیص است که این انتقالات به ترتیب به گاف‌های نواری ذاتی سلنید مس و گاف نواری ناشی از حضور فاز سلنید آلومینیوم تعلق دارند. از این رو، به‌کارگیری یک رویکرد دقیق و عملی برای تعیین انرژی شکاف نواری که به فرضیات اولیه در مورد ساختار ماده نیمه‌رسانا وابسته نباشد، امری ضروری است. در این تحقیق، مدل Tauc به عنوان یک ابزار کارآمد و معتبر برای این منظور انتخاب و مورد استفاده قرار گرفت.

کلیدواژه‌ها

• آلایش آلومینیوم
• گذارهای الکترونی
• نانوساختار لایه های نازک
• انرژی اورباخ