امیرمحمد بیگ زاده؛ هادی اردینی
چکیده
فناوری هسته ای به سرعت در سراسر جهان در حال گسترش است. با این حال، مواد رادیواکتیو خطر بزرگی برای جوامع بشری و محیط زیست است. این به دلیل تهدیدات تروریسم، سوء استفاده یا حمل و نقل غیرمجاز است. بنابراین، ما نیاز به بهبود سیستم های تشخیص و ردیابی منبع رادیواکتیو داریم. این امر باعث تقویت امنیت و توقف اقدامات تروریستی خواهد شد. در این مقاله، ...
بیشتر
فناوری هسته ای به سرعت در سراسر جهان در حال گسترش است. با این حال، مواد رادیواکتیو خطر بزرگی برای جوامع بشری و محیط زیست است. این به دلیل تهدیدات تروریسم، سوء استفاده یا حمل و نقل غیرمجاز است. بنابراین، ما نیاز به بهبود سیستم های تشخیص و ردیابی منبع رادیواکتیو داریم. این امر باعث تقویت امنیت و توقف اقدامات تروریستی خواهد شد. در این مقاله، یک رویکرد جدید برای نقشهبرداری و آشکارسازی پرتوی با توسعه الگوریتمهایی بینایی ماشین و مدلسازی سامانههای آشکارسازی هستهای متشکل از آشکارسازهای کریستالی سوسوزن و لامپهای تقویتکننده نوری پیشنهاد میشود. هدف افزایش کارایی و دقت شناسایی و مکانیابی چشمههای پرتوزا خارج از کنترل در محیطهای پیچیده و داینامیک با بهرهگیری از روشهای نوین بینایی ماشین است. معادلات روش ردیابی از روش KLT پیروی میکند. سامانه مدل شده به طور همزمان تصاویر حرکتی را دریافت و پردازش کرده و مسیر حرکت اجسام را تشخیص میدهد و به طور همزمان دادههای پرتوی در آشکارساز ثبت میگردد. در نهایت با تلفیق دادههای مکانی و دادههای پرتوی با دقت خوبی چشمههای پرتوزا خارج از کنترل در میان سایر اشیای متحرک کشف گردید. ادغام این الگوریتمها در سامانههای تشخیص پرتو موجود این ظرفیت را دارد که اقدامات ایمنی را به میزان قابلتوجهی افزایش دهد و خطرات مرتبط با حوادث پرتوی را کاهش دهد.
داریوش مهرپرور؛ معصومه ناصری تکیه؛ رستم مرادیان؛ شهریار مهدوی
چکیده
در این تحقیق، نانوصفحات اکسید روی به روش سل-ژل با نمک پیش ماده نیترات روی تهیه و سپس با عناصر ناخالصی آهن و مس آلاییده شدند که نانوساختارهای خالص و آلاییده اکسید روی با مواد ارزان قیمت و به روشی آسان و در دسترس با تجهیزات آزمایشگاهی کم و در مدت زمان بسیار کوتاه سنتز شدند. خواص ساختاری و مورفولوژی نمونههای تهیه شده با پراش اشعه ایکس ...
بیشتر
در این تحقیق، نانوصفحات اکسید روی به روش سل-ژل با نمک پیش ماده نیترات روی تهیه و سپس با عناصر ناخالصی آهن و مس آلاییده شدند که نانوساختارهای خالص و آلاییده اکسید روی با مواد ارزان قیمت و به روشی آسان و در دسترس با تجهیزات آزمایشگاهی کم و در مدت زمان بسیار کوتاه سنتز شدند. خواص ساختاری و مورفولوژی نمونههای تهیه شده با پراش اشعه ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FESEM) و طیف مادون قرمز تبدیل فوریه (FT-IR) مشخص شدند. نتایج پراش اشعه ایکس نشان داد که نانوذرات اکسیدروی در تمامینمونهها در ساختار کریستالی ورتسایت بدون مشاهده هیچ پیک اضافی شکل گرفته اند. گروه عاملی و برهمکنشهای شیمیایی نمونههای اکسیدروی نیز در پیکهای مختلف با استفاده از دادههای طیف مادون قرمز تعیین شد که گروههای عاملی مربوط به باندهای Zn-O در نمونهها به تایید طیف پراش اشعه ایکس مشاهده شد. تجزیه و تحلیل میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که ناخالصی سبب ایجاد مورفولوژیهای متفاوتی برای هر نمونه شده است. میتوان نتیجه گرفت که نوع ناخالصیها سبب تغییر مورفولوژی میشود اما ساختار بدون تغییر میباشد. برای بررسی گاف نواری از آنالیز طیف بینی جذبی فرابنفش- مرئی (UV-Visible) استفاده شد که نشان داد گاف نواری نمونهها با افزایش ناخالصیها کاهش یافت.
مجتبی غلامی؛ بهاره آذروند حسن فرد
چکیده
در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ ...
بیشتر
در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ فلزات 3d(Ti,Cr,Co) ،4d(Zr,Mo) و 5d(Hf,W,Ir,Au) سطح فرمی به داخل CBM نفوذ کرده یا اینکه بالای VBM و نزدیک آن واقع شده است در این حالت ساختار دوپینگ شده نقش نیمه هادی دهنده بازی می کند.اما ساختارالکترونی PdS2 در اثر دوپینگ فلزات 3d(Ni,Zn) ،4d(Pd,Cd) و 5d(Pt,Hg) تغییر کرده و همچنان نیمه هادی داتی باقی می ماند بگونه ای که بیشترین گاف انرژی مربوط به همین فلزات می باشد.دوپینگ فلزات 3d(V,Mn,Cu) ،4d(Nb,Tc,Ag) و5d(Ta,Re) ساختار الکترونی سیستم را به کلی تغییر داده و سیستم تبدیل به رسانا می شود.این تغییرات متنوع می تواند اساس ایده های علمی برای ساخت وسایل اسپینرونیک تلقی شود.
عبدالرسول قرائتی؛ قاسم فروزانی؛ زینب رضائیان
چکیده
طراحی و شبیه سازی حسگرهای زیستی مبتنی بر بلور فوتونی دو بعدی به ویژه برای تشخیص زودهنگام و دقیق سرطانها لازم و ضروری می باشد. این بیوحسگرها قادرند تغییرات در ضریب شکست سلولهای سرطانی را اندازهگیری کنند که به دلیل افزایش غلظت پروتئین در این سلولها اتفاق میافتد. در این کار پژوهشی، بیوحسگرهای مبتنی بر بلور فوتونی دو بعدی با میله ...
بیشتر
طراحی و شبیه سازی حسگرهای زیستی مبتنی بر بلور فوتونی دو بعدی به ویژه برای تشخیص زودهنگام و دقیق سرطانها لازم و ضروری می باشد. این بیوحسگرها قادرند تغییرات در ضریب شکست سلولهای سرطانی را اندازهگیری کنند که به دلیل افزایش غلظت پروتئین در این سلولها اتفاق میافتد. در این کار پژوهشی، بیوحسگرهای مبتنی بر بلور فوتونی دو بعدی با میله های دی الکتریک از جنس ژرمانیوم مورد طراحی و شبیه سازی قرار گرفت. نتایج نشان میدهد که بیوحسگر مبتنی بر بلور فوتونی دو بعدی طراحی شده، دارای حساسیت و دقت بالایی در تشخیص سلولهای سرطانی روده بزرگ بودند. بیوحسگر پیشنهادی برای تشخیص سلول سرطانی روده بزرگ موسوم به LoVo با حساسیت nm/RIU 567 و فاکتور کیفیت 10615 نشان از عملکرد مؤثر در شناسایی سلولهای سرطانی روده بزرگ دارد و میتواند به طور بالقوه در کاربردهای پزشکی به کار گرفته شود.
احمد کمالیان فر
چکیده
در این مقاله، نانو ساختار میله ای شکل اکسید روی و اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل بر روی زیر لایه سیلیکون، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) رشد داده شد. ویژگی های مورفولوژی، اپتیکی و الکتریکی نمونه ها با تکنیک های مختلف بررسی شد. تصویر مورفولوژی سطح زیر لایه نشان می دهد که نانومیله ها در جهت های کاتوره ای رشد یافته اند. ویژگی های اپتیکی ...
بیشتر
در این مقاله، نانو ساختار میله ای شکل اکسید روی و اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل بر روی زیر لایه سیلیکون، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) رشد داده شد. ویژگی های مورفولوژی، اپتیکی و الکتریکی نمونه ها با تکنیک های مختلف بررسی شد. تصویر مورفولوژی سطح زیر لایه نشان می دهد که نانومیله ها در جهت های کاتوره ای رشد یافته اند. ویژگی های اپتیکی مانند، میزان عبور نور، شکاف باند و فوتولومینسانس نمونه ها انجام شد. افزایش شکاف باند از 3.18 به 3.26 الکترون ولت و همچنین افزایش میزان عبور نور در نمودار اکسید روی دوپ شده با نیکل مشاهده می شود.طیف فوتولومینسانس (PL) نمونه ها برای مطالعه عیوب در ساختارهای رشد داده شده انجام گرفت. در طیف PL نمونه ها، دو قله 410 و 482 نانومتر نمایان است که می تواند ناشی از تهی جای اکسیژن باشد. همچنین، عیوبی مانند تهی جای اکسیژن با توجه به قله های نمودار رمان (roman)، قابل مشاهده است. در نمودار رسانندگی بر حسب دما، برای دماهای بالای 300 درجه سانتیگراد، افزایش رسانندگی و حاملهای بار قابل توجه است. نتایج نشان می دهد که اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل، ویژگی های اپتیکی ZNO را افزایش داده و کاندیدای مناسبی برای کاربردهای اپتیکی - الکتریکی است.
محمد جواد ملکی؛ محمد سروش؛ راماکریشنان راجاسکار
چکیده
در این پژوهش، یک سوئیچ جدید مبتنی بر تشدیدگر حلقوی پلاسمونی برای پنجره سوم مخابراتی پیشنهاد شده است. ساختار طراحی شده از یک حلقه در بستر نقره تشکیل شده که طوق آن اکسید باریم با نانو ذرههای نقره است و ماده ای غیرخطی به شمار میرود. قرارگیری حلقه غیرخطی در فاصله 10 نانومتر از موجبر باعث میشود توان نور عبوری سبب تغییر ضریب شکست موثر ...
بیشتر
در این پژوهش، یک سوئیچ جدید مبتنی بر تشدیدگر حلقوی پلاسمونی برای پنجره سوم مخابراتی پیشنهاد شده است. ساختار طراحی شده از یک حلقه در بستر نقره تشکیل شده که طوق آن اکسید باریم با نانو ذرههای نقره است و ماده ای غیرخطی به شمار میرود. قرارگیری حلقه غیرخطی در فاصله 10 نانومتر از موجبر باعث میشود توان نور عبوری سبب تغییر ضریب شکست موثر حلقه شود و طول موج تشدید آن را تغییر دهد. وابستگی طول موج تشدید حلقه غیرخطی به توان پمپ نوری موجب تغییر در الگوی تداخلی موج درون حلقه با سیگنال عبوری میشود. این موضوع باعث میشود که بازده انتقال سیگنال قابل کنترل باشد و بتوان از ساختار به عنوان یک سوئیچ نوری استفاده کرد. نتایج شبیه سازی نشان میدهد که نسبت تمایز ساختار برابر 3/85dB است که نسبت به برخی کارهای قبلی بیشتر است. مساحت ساختار طراحی شده، 0/093µm2 است که در مقایسه با پژوهشهای پیشین یک ویژگی ممتاز به شمار میرود و در مدارهای مجتمع نوری مورد نیاز است.