نوع مقاله : پژوهشی
نویسندگان
گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران
چکیده
در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ فلزات 3d(Ti,Cr,Co) ،4d(Zr,Mo) و 5d(Hf,W,Ir,Au) سطح فرمی به داخل CBM نفوذ کرده یا اینکه بالای VBM و نزدیک آن واقع شده است در این حالت ساختار دوپینگ شده نقش نیمه هادی دهنده بازی می کند.اما ساختارالکترونی PdS2 در اثر دوپینگ فلزات 3d(Ni,Zn) ،4d(Pd,Cd) و 5d(Pt,Hg) تغییر کرده و همچنان نیمه هادی داتی باقی می ماند بگونه ای که بیشترین گاف انرژی مربوط به همین فلزات می باشد.دوپینگ فلزات 3d(V,Mn,Cu) ،4d(Nb,Tc,Ag) و5d(Ta,Re) ساختار الکترونی سیستم را به کلی تغییر داده و سیستم تبدیل به رسانا می شود.این تغییرات متنوع می تواند اساس ایده های علمی برای ساخت وسایل اسپینرونیک تلقی شود.
کلیدواژه‌ها
)