نوع مقاله : پژوهشی

نویسنده

• احمد کمالیان فر

دانشکده علوم پایه، دانشگاه فرهنگیان، تهران، ایران

چکیده

در این مقاله، نانو ساختار میله ای شکل اکسید روی و اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل بر روی زیر لایه سیلیکون، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (PLD) رشد داده شد. ویژگی های مورفولوژی، اپتیکی و الکتریکی نمونه ها با تکنیک های مختلف بررسی شد. تصویر مورفولوژی سطح زیر لایه نشان می دهد که نانومیله ها در جهت های کاتوره ای رشد یافته اند. ویژگی های اپتیکی مانند، میزان عبور نور، شکاف باند و فوتولومینسانس نمونه ها انجام شد. افزایش شکاف باند از 3.18 به 3.26 الکترون ولت و همچنین افزایش میزان عبور نور در نمودار اکسید روی دوپ شده با نیکل مشاهده می شود.

طیف فوتولومینسانس (PL) نمونه ها برای مطالعه عیوب در ساختارهای رشد داده شده انجام گرفت. در طیف PL نمونه ها، دو قله 410 و 482 نانومتر نمایان است که می تواند ناشی از تهی جای اکسیژن باشد. همچنین، عیوبی مانند تهی جای اکسیژن با توجه به قله های نمودار رمان (roman)، قابل مشاهده است. در نمودار رسانندگی بر حسب دما، برای دماهای بالای 300 درجه سانتیگراد، افزایش رسانندگی و حاملهای بار قابل توجه است.

نتایج نشان می دهد که اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل، ویژگی های اپتیکی ZNO را افزایش داده و کاندیدای مناسبی برای کاربردهای اپتیکی - الکتریکی است.

کلیدواژه‌ها

• اپتوالکترونیک
• نانو میله
• لایه نشانی لیزر پالسی
• دوپ نیکل در اکسید روی