سید حسین گنجی پور؛ ابراهیم صادقی
چکیده
در این پژوهش یک سیستم دو اتمی بوزونی در حضور پتانسیل ناهماهنگ دو بعدی و یک پتانسیل بین اتمی کوتاه برد به‌طور دقیق بررسی شده است. توابع موج و انرژی قسمت هماهنگ به‌طور تحلیلی و تاثیر جمله ناهماهنگ پتانسیل بر انرژی به‌ازای شدت برهم‌کنش‌های مختلف محاسبه شده است. نتایج به‌دست آمده نشان‌دهنده رفتارهای متفاوتی برای حرکت نسبی و انرژی ...
بیشتر
در این پژوهش یک سیستم دو اتمی بوزونی در حضور پتانسیل ناهماهنگ دو بعدی و یک پتانسیل بین اتمی کوتاه برد به‌طور دقیق بررسی شده است. توابع موج و انرژی قسمت هماهنگ به‌طور تحلیلی و تاثیر جمله ناهماهنگ پتانسیل بر انرژی به‌ازای شدت برهم‌کنش‌های مختلف محاسبه شده است. نتایج به‌دست آمده نشان‌دهنده رفتارهای متفاوتی برای حرکت نسبی و انرژی تصحیحی بر حسب شدت برهمکنش است. جهت بررسی دینامیک سیستم، کمیت فیدلیتی معرفی و به‌ازای شدت جفتشدگیهای مختلف محاسبه شده است. نتایج با سایر پژوهشها در توافق خوبی هستند
نوشین داداش زاده؛ الناز پوررضا
چکیده
در این مطالعه مقایسه‌ای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دی‌الکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی، مشخص کردن ویژگی‌های پلاسما و بهینه‌سازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. در این مقاله، شبیه‌سازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان ...
بیشتر
در این مطالعه مقایسه‌ای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دی‌الکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی، مشخص کردن ویژگی‌های پلاسما و بهینه‌سازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. در این مقاله، شبیه‌سازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان داده شده است. دستگاه DBD با دو الکترود پوشیده شده توسط ماده دی‌الکتریک و با ثابت دی‌الکتریک متغیر بین 2، 5 و 8 در نظر گرفته شد و پارامترهای تخلیه بر حسب زمان شبیه‌سازی شدند. در سراسر شکاف پلاسما برای یافتن یک ثابت دی‌الکتریک بهینه برای رسوب حداکثر توان، با استفاده از اعمال یک ولتاژ سینوسی به دستگاه DBD با ثابت دی‌الکتریک مختلف، پروفایلهای میدان الکتریکی، الکترون چگالی، دمای الکترون، کسر جرمی اتمهای آرگون، میانگین انرژی الکترون، چگالی جریان یون، چگالی جریان الکترون، پلاسما، جریان کل و رسوب توان نشان داده شدهاند
مریم عزیزی؛ حمدالله صالحی
چکیده
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می‌باشد، پرداخته می‌شود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه‌پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت‌ها ...
بیشتر
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می‌باشد، پرداخته می‌شود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه‌پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت‌ها مقدار گاف نواری را eV 2/1،eV 4/1 و eV 37/2 به ترتیب در تقریب LDA، LDA+U و HSE با شبه‌پتانسیل بار پایسته بدست آمد. همچنین مقدار مدول حجمی نیز بترتیب GPa 81 در LDA و GPa 4/79 در LDA+U و GPa 5/76 در HSE به دست آمده است. در نهایت به بررسی خواص اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب ، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی پرداخته شد که از بررسی خواص اپتیکی مقدار گاف اپتیکی که از ضریب جذب به‌دست میآید با مقدار گاف نواری انطباق خوبی دارد که مقدار ضرایب اپتیکی در راستاهای مختلف به دلیل ناهمسانگرد بودن ساختار، متفاوت است. مقدار گاف اپتیکی که از نمودار ضریب جذب خوانده شد در تقریب LDA، LDA+U و HSE به ترتیب eV 27/1 ، eV 4/1 و eV 37/2 به دست آمده از بررسیهای اپتیکی مشخص گردید این ترکیب دارای قابلیت خوبی برای کاربرد در سلول خورشیدی و مواد اپتوالکترونیک است.
مریم اسرافیلیان؛ نادیا سلامی؛ علی اصغر شکری
چکیده
در این مطالعه خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی بر مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در سه ترکیب با دو نانونوار یکسان مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در لایه بالا و پایین و همچنین ساختاری با دو لایه متفاوت یکی مولیبدن دی‌سولفاید و دیگری تنگستن دی‌تلوراید بررسی می‌کنیم. این خواص شامل ضریب رسانش الکتریکی (G)، رسانندگی ...
بیشتر
در این مطالعه خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی بر مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در سه ترکیب با دو نانونوار یکسان مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در لایه بالا و پایین و همچنین ساختاری با دو لایه متفاوت یکی مولیبدن دی‌سولفاید و دیگری تنگستن دی‌تلوراید بررسی می‌کنیم. این خواص شامل ضریب رسانش الکتریکی (G)، رسانندگی گرمایی (κe)، ضریب سیبک یا توان ترموالکتریکی (S) و ضریب بهینگی (ZTe) هستند که برای طراحی ادوات ترموالکترونیکی مناسب هستند. اثر نوع ترکیبات ساختارهای ناهمگون دو بعدی و دما روی خواص ترمودینامیکی بررسی شد. نتایج نشان می‌دهند، پیکربندی مولیبیدن دی‌سولفاید/ تنگستن دی‌تلوراید با ساختار لبه آرمچیر مطلوبترین خواص ترموالکتریکی را دارد. نتایج این مقاله می‌تواند در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر لایههای دو بعدی مفید باشد
آزاده احمدیان
چکیده
در این تحقیق، ما ویژگی‌های نوری شیشه‌های سرب بورات و بیسموت بورات را بررسی و مقایسه می‌کنیم. از ضریب شکست و شکاف باند انرژی استفاده کردیم؛ که با روش‌های تجربی در مرجع 22 تعیین شده بودند. دریافتیم شکست مولی و قطبش‌پذیری الکترونیکی رفتار مشابهی را نشان می‌دهند. متالیزاسیون از630/0 تا 568/0 برای شیشه‌های سرب بورات و از 526/0 تا 435/0 برای شیشه‌های ...
بیشتر
در این تحقیق، ما ویژگی‌های نوری شیشه‌های سرب بورات و بیسموت بورات را بررسی و مقایسه می‌کنیم. از ضریب شکست و شکاف باند انرژی استفاده کردیم؛ که با روش‌های تجربی در مرجع 22 تعیین شده بودند. دریافتیم شکست مولی و قطبش‌پذیری الکترونیکی رفتار مشابهی را نشان می‌دهند. متالیزاسیون از630/0 تا 568/0 برای شیشه‌های سرب بورات و از 526/0 تا 435/0 برای شیشه‌های بیسموت بورات با افزایش مقدار PbO/Bi2O3 متغیر است. ضریب انتقال (T) از 884/0 به 846/0 برای شیشه‌های PbB و از 818/0 به 751/0 برای شیشه‌های BiB کاهش یافت، در صورتی که ثابت دی‌الکتریک (ε) از 755/2 به 276/3 برای شیشه‌های PbB و از 094/3 به 884/4 برای شیشه‌های BiB افزایش یافت. الکترونگاتیویتی نوری () از 964/0 به 792/0 برای PbB و از 857/0 به 760/0 برای BiB کاهش یافت. حساسیت دی‌الکتریک خطی () از 139/0 به 181/0 برای شیشه‌های سرب بورات و از 214/0 به 309/0 برای شیشه‌های بیسموت بورات افزایش یافت. حساسیت دی‌الکتریک غیرخطی () از 13-10 647/0 تا 13-10 829/1 برای PbB و از 12-10 395/0 تا 12-10 551/1 برای BiB تغییر کرد؛ که افزایش 5 برابری را نشان می‌دهد. ضریب شکست غیرخطی () نیز از 12-10 470/1 به 12-10 810/3 برای شیشه‌های سرب بورات و از 11-10 704/0 به 11-10 646/2 برای شیشه‌های بیسموت بورات افزایش یافت. نتایج تایید می‌کند که بیسموت بورات برای کاربردهای نوری بهتر از سرب بورات است.
ندا احمدی
چکیده
در این مقاله، یک سلول خورشیدی پروسکایت دوگانه بدون سرب مورد مطالعۀ عددی قرار گرفته است و اثر آرایه‌های تناوبی نانوذرات کروی طلای پوشش داده شده با نانو میله‌های سیلیکا[1] و تیتانیا[2] روی کارایی سلول خورشیدی مطالعه شده و با اثر آرایۀ نانوذرات طلای خالص مقایسه شده است. ساختار سلول خورشیدی پروسکایت پیشنهادی به صورت p-i-n بوده و معماری آن ...
بیشتر
در این مقاله، یک سلول خورشیدی پروسکایت دوگانه بدون سرب مورد مطالعۀ عددی قرار گرفته است و اثر آرایه‌های تناوبی نانوذرات کروی طلای پوشش داده شده با نانو میله‌های سیلیکا[1] و تیتانیا[2] روی کارایی سلول خورشیدی مطالعه شده و با اثر آرایۀ نانوذرات طلای خالص مقایسه شده است. ساختار سلول خورشیدی پروسکایت پیشنهادی به صورت p-i-n بوده و معماری آن به صورتITO/PEDOT: PSS/ Cs2AgBiBr6/ TiO2/Ag است. در این مطالعه از روش تفاضل المان محدود در حوزه زمانی سه بعدی با استفاده از ماژول FDTD پکیج نرم‌افزاری Ansys-Lumerical استفاده شده است. این مطالعه در محدوۀ طول موج نور فرابنفش، 300 نانومتر تا مادون قرمز نزدیک، 1100 نانومتر انجام شده و طیف جذب نور، شدت میدان الکتریکی، نرخ تولید زوج الکترون- حفره، چگالی جریان اتصال کوتاه و جریان خروجی از سلول خورشیدی محاسبه گردیده است. در این تحقیق مشاهده شد که تاثیر Au@TiO2 در افزایش کارایی سلول خورشیدی بیشتر از بقیه نانوذرات است. نتایج این مطالعه نشان می‌دهد که به کار بردن نانوذرات Au@Tio2 باعث افزایش 8/17% جریان الکتریکی خروجی از سلول و افزایش 85/17% جریان اتصال کوتاه می‌شود. همچنین وجود این نانوذرات سبب افزایش 100 برابری ماکزیمم نرخ تولید الکترون- حفره شده است. این افزایش کارایی می‌تواند به دلیل میدان نزدیک پلاسمونی و نوع پراکندگی امواج از طریق این ذرات باشد. همچنین با تغییر مکان نانو آرایه Au@SiO2 در قسمت بالایی، میانی و پایینی لایه پروسکایت، تاثیر مکان نانوذرات بر روی کارایی سلول‌های خورشیدی مطالعه شد.
[1] Au@SiO2
[2] Au@TiO2