نوع مقاله : پژوهشی
نویسندگان
1 استادیار،گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران.
2 دانشیار،گروه فیزیک، واحد یاسوج، دانشگاه آزاد اسلامی، یاسوج، ایران.
3 استاد، گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران، ایران.
چکیده
در این مطالعه خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی برمولیبدن دی سولفاید و تنگستن دی تلوراید را در سه ترکیب با دو نانو نوار یکسان مولیبدن دی سولفاید و تنگستن دی تلوراید را در لایه بالا وپایین و همچنین ساختاری با دو لایه متفاوت یکی مولیبدن‌دی سولفاید ودیگری تنگستن دی تلوراید بررسی می کنیم این خواص شامل ضریب رسانش الکتریکی (G)، رسانندگی گرمایی (κe)، ضریب سیبک یا توان ترموالکتریکی (S) و ضریب بهینگی (ZTe) می باشند که برای طراحی ادوات ترموالکترونیکی مناسب هستند. اثر نوع ترکیبات ساختارهای ناهمگون دو بعدی و دما روی خواص ترمودینامیکی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می-دهند، پیکربندی مولیبیدن دی سولفاید/ تنگستن دی تلوراید با ساختار لبه آرمچیرمطلوب ترین خواص ترموالکتریکی را دارد. نتایج این مقاله می‌تواند در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر لایه‌های دو بعدی مفید باشد.
کلیدواژه‌ها
)