دوره 6 (1402-1403)
دوره 5 (1401-1402)
دوره 4 (1400-1401)
دوره 3 (1399-1400)
دوره 2 (1396)
دوره 1 (1395)
کلیدواژه‌ها = اسپینترونیک
تعداد مقالات: 8
پیش‌بینی نیمه‌هادی های دهنده و پذیرنده برای کاربرد اسپینترونیک با دوپینگ فلز واسطه (3d, 4d, 5d) روی تک‌لایه نیمه‌هادی ذاتی PdS2
مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 17 مرداد 1403
چکیده
در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ ... بیشترتولید جریان قطبش اسپینی توسط نور قطبیده در گرافین بدون بایاس
دوره 5، شماره 2 ، مرداد 1402، ، صفحه 45-52
چکیده
در این مقاله، یک سیستم گرافینی متصل به دو کانال نیمه بی‌نهایت را مدل سازی کرده و مورد مطالعه قرار داده‌ایم. نور (با قطبش های خطی و دایروی) بطور عمودی به سیستم می‌تابد. با فرض وجود جفت شدگیِ قابل تنظیمِ اسپین مدار راشبا، ناشی از حضور ولتاژ گیت، ترابرد الکترونی و اسپینی در سیستم مورد بررسی قرار گرفت. برای محاسبات ترابرد کوانتومی از ... بیشترمطالعه خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژهای هویسلر معکوس Ti2ScX (X=Si,Sn): رهیافت نظریه تابعی چگالی
دوره 5، شماره 1 ، اسفند 1401، ، صفحه 109-118
چکیده
در این تحقیق، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژهای هویسلر معکوس Ti2ScX (X=Si,Sn) با استفاده از بسته نرمافزاری کوانتوم اسپرسو بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج حاصل از بررسی خواص الکترونی نشان دادند که هر دو آلیاژ در ثابت شبکه تعادلی خود نیمفلز و دارای قطبش اسپینی 100% در اطراف تراز فرمی هستند. مقادیر گاف نیم‌فلزی ... بیشتربررسی خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی آلیاژهای هویسلر Ir2VZ (Z=Si, Ge, Sn) در دو ساختار فرضی XA و L21: محاسبات اصول اولیه
دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 9-16
چکیده
در این تحقیق، خواص ساختاری، الکترونی و مغناطیسی آلیاژهای تمام هویسلر جدید Ir2VZ (Z=Si,Ge,Sn)، با استفاده از بسته نرمافزاری کوانتوم اسپرسو بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفت. با تعویض موقعیت مکانی اتمها، محاسبات برای دو ساختار فرضی XA و L21 انجام شد. نتایج به دست آمده نشان میدهد که ساختار XAی آلیاژهای مذکور غیرمغناطیسی اما ... بیشتربررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Ti2ScGeبا استفاده از نظریه تابعی چگالی
دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 49-56
چکیده
خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Ti2ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمام‌هویسلر است که بعد از بررسی‌های به عمل آمده، ساختاری با عنوان نوع a در حالت فرومغناطیس در نظر گرفته شد. این ترکیب برای اولین بار در این مقاله مورد ... بیشتربررسی خواص الاستیک، مکانیکی، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب نیم هویسلر NbBiCs به روش نظریه تابعی چگالی
دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 57-64
چکیده
با استفاده از نظریه تابعی چگالی پیش‌بینی شد که آلیاژ نیم هویسلر NbBiCs می‌تواند کاندیدای بالقوه‌ای برای به کار رفتن وسایل در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک باشد. با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب گرادیان شبه تعمیم یافته (GGA)، خواص الاستیک، مکانیکی، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب نیم ... بیشترخواص ترابرد اسپینی در نانوساختارهای نامتجانس مولکولی
دوره 4، شماره 1 ، اسفند 1400، ، صفحه 49-56
چکیده
در این تحقیق خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانو ساختار مولکولی از طریق یک پل مولکولی نامتجانس فولرن و مولکول پنتاسن به عنوان پذیرنده و دهندۀ الکترون، جفت شده با دو الکترود نیمه نهایی مس، مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور، هامیلتونی وابسته به اسپین، برای تک نوار تعیین شده و با استفاده از رهیافت تابع گرین در چارچوب ... بیشتربررسی ساختار الکترونی، خواص مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Cr2ScSb
دوره 3، شماره 2 ، شهریور 1400، ، صفحه 81-88