نوع مقاله : پژوهشی

نویسنده

گروه فیزیک، واحد نورآباد ممسنی، دانشگاه آزاد اسلامی، نورآباد ممسنی، ایران

10.30473/jphys.2022.66075.1127

چکیده

ما با استفاده از نظریه تابعی چگالی پیش‌ بینی کردیم که آلیاژ نیم هویسلر NbBiCs کاندیدای بالقوه‌ای برای بکار رفتن وسایل در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک باشد. با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی(DFT) با تقریب‌ گرادیان شبه تعمیم یافته (GGA) ، خواص الاستیک، مکانیکی، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب نیم هویسلر NbBiCs را در حالت انبوهه را مطالعه کردیم. قطبش اسپینی در سطح فرمی برای ترکیب نیم هویسلر NbBiCs، اعداد 97.6% و 100% به ترتیب با استفاده تقریب‌های GGA و GGA+mBJ بدست آمده است. بخش حقیقی تابع دی الکتریک برای ترکیب NbBiCs در فازα ‌ برای انرژی‌های بیشتر از 20 eV به عدد یک همگرا شده‌اند که نشان می‌دهد آن به عنوان یک عایق ایزوتروپیک رفتار می‌کند و همچنین ضریب شکست برای انرژی‌های بیشتر از 7. 5 eV کمتر از عدد یک شده است که این معرف پدیده فوق العاده درخشان است.

کلیدواژه‌ها