حبیب خلیل پور؛ حسین غفوریان
چکیده
در چارچوب مدل نانو پلاسما، اندرکنش پالسهای لیزری پرشدت با نانو خوشههای نئون مورد مطالعه قرار گرفته است. در شبیهسازی حاضر، انبساط خوشة اتمی به وسیلة پالس لیزری پر شدت فمتو ثانیه با در نظر گرفتن فرایندهای یونیزاسیون و گرمایش مورد بررسی قرار میگیرد. اثرهای شدت لیزر و دیرش زمانی پالس لیزر روی تحول زمانی چگالی الکترونها و یونها، ...
بیشتر
در چارچوب مدل نانو پلاسما، اندرکنش پالسهای لیزری پرشدت با نانو خوشههای نئون مورد مطالعه قرار گرفته است. در شبیهسازی حاضر، انبساط خوشة اتمی به وسیلة پالس لیزری پر شدت فمتو ثانیه با در نظر گرفتن فرایندهای یونیزاسیون و گرمایش مورد بررسی قرار میگیرد. اثرهای شدت لیزر و دیرش زمانی پالس لیزر روی تحول زمانی چگالی الکترونها و یونها، حالتهای بار و شعاع خوشه، دمای الکترونها و فشار هیدرودینامیکی الکترونها بررسی شده است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که وقتی که شدت لیزر و دیرش زمانی پالس لیزر افزایش مییابد، چگالی یونی در خوشه کاهش پیدا میکند؛ در حالیکه شعاع خوشه و میانگین بار خوشه افزایش مییابد. همچنین چگالی الکترونها، دما و فشار هیدرودینامیکی الکترونها با افزایش شدت لیزر افزایش مییابد.
سیدمجتبی علوی صدر؛ زهره دادی گیو
چکیده
در مطالعه حاضر، ویژگیهای ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ساختارهای بلوری AlCu2Mn و CuHg2Ti از ترکیب هسلر کامل Co2TaGa، با استفاده از محاسبات اصول اولیه در چارچوب نظریه تابعی چگالی مطالعه شدند. نتایج نشان میدهند که حالت پایة این ترکیب دارای ساختار بلوری از نوع AlCu2Mn با نظم فرومغناطیسی و گشتاور مغناطیسی µB00/2 است. نتایج محاسبات ساختار الکترونی ...
بیشتر
در مطالعه حاضر، ویژگیهای ساختاری، الکترونی و مغناطیسی ساختارهای بلوری AlCu2Mn و CuHg2Ti از ترکیب هسلر کامل Co2TaGa، با استفاده از محاسبات اصول اولیه در چارچوب نظریه تابعی چگالی مطالعه شدند. نتایج نشان میدهند که حالت پایة این ترکیب دارای ساختار بلوری از نوع AlCu2Mn با نظم فرومغناطیسی و گشتاور مغناطیسی µB00/2 است. نتایج محاسبات ساختار الکترونی نشان میدهند که حالت پایه دارای خاصیت نیمه فلزی با گاف نواری eV 48/0 و قطبش اسپینی 100% است. بر اساس نتایج این پژوهش، ترکیب هسلر Co2TaGa میتواند به عنوان ماده جدیدی برای اهداف اسپینترونیکِ آینده توصیه شود.
فاطمه ابراهیمی تزنگی؛ سیده هدی حکمت آرا؛ جمیله سیدیزدی
چکیده
در این مقاله ابتدا اکسیدگرافن کاهش یافته (RGO) به روش هامرز سنتز شد؛ سپس ترکیب دوگانه RGO/SiO2 و در نهایت ترکیب سه گانه RGO/SiO2/Fe3O4 به روش همرسوبی تهیه شدند.خواص مغناطیسی ذرات به وسیلة آنالیز VSM و ریختشناسی نمونهها به وسیلة تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. ساختار بلوری و ویژگیهای پیوندی نانوساختارها به ترتیب ...
بیشتر
در این مقاله ابتدا اکسیدگرافن کاهش یافته (RGO) به روش هامرز سنتز شد؛ سپس ترکیب دوگانه RGO/SiO2 و در نهایت ترکیب سه گانه RGO/SiO2/Fe3O4 به روش همرسوبی تهیه شدند.خواص مغناطیسی ذرات به وسیلة آنالیز VSM و ریختشناسی نمونهها به وسیلة تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد بررسی قرار گرفت. ساختار بلوری و ویژگیهای پیوندی نانوساختارها به ترتیب با استفاده از الگوی پراش پرتوی ایکس و طیفسنجی تبدیل فوریه فروسرخ مورد مطالعه قرار گرفت. اندازة نانوذرات اکسیدآهن، اکسیدگرافن کاهش یافته/ اکسیدسیلیکون و اکسیدآهن/ا کسیدگرافن کاهش یافته/ اکسیدسیلیکون به ترتیب 9/11، 44/10 و 17/11 نانومتر به دست آمد. مغناطش اشباع نانوذرات اکسیدآهن و ترکیب سه تایی به ترتیب emu/g72 و emu/g 2/31 به دست آمد که نشان دهنده این واقعیت است که وقتی سطح نانوذرات اکسیدآهن با مواد غیرمغناطیسی پوشانده شود، مغناطش اشباع کاهش مییابد. فعالیت فوتوکاتالیستی کامپوزیت سنتزشده نیز بر پایة میزان تخریب متیل نارنجی (MO) بهعنوان مدل آلاینده در مجاورت آن و در حضور امواج فرابنفش بررسی شد. کامپوزیت RGO/SiO2/Fe3O4 قابلیت تخریب آلاینده متیل نارنجی با بازده 59/51 درصد، به عنوان یک فوتوکاتالیست مؤثر در حذف متیل نارنجی را دارا بود.
مهسا خادم صدیق
چکیده
هدف از این کار تجربی، بررسی اثرهای برهمکنشی محیط احاطه کنندة مولکول بر روی ویژگیهای جذب غیرخطی مرتبة سوم آن است. به همین منظور رفتار غیر خطی رنگینهای از خانوادة گروه آزو در غلظتهای مختلف در سه گروه مختلف از حلالها با ویژگیهای قوی دهندگی و گیرندگی پیوند هیدروژنی و تمایل ضعیف برای تشکیل پیوند هیدروژنی مورد بررسی قرار گرفت. ...
بیشتر
هدف از این کار تجربی، بررسی اثرهای برهمکنشی محیط احاطه کنندة مولکول بر روی ویژگیهای جذب غیرخطی مرتبة سوم آن است. به همین منظور رفتار غیر خطی رنگینهای از خانوادة گروه آزو در غلظتهای مختلف در سه گروه مختلف از حلالها با ویژگیهای قوی دهندگی و گیرندگی پیوند هیدروژنی و تمایل ضعیف برای تشکیل پیوند هیدروژنی مورد بررسی قرار گرفت. بدین ترتیب محلولهای حاوی رنگینه آزو با غلظت و قطبیت متفاوت در چیدمان تجربی جاروب Z روزنه باز قرار گرفتند. مطابق نتایج به دست آمده، نوع فرایند جذب غیرخطی مرتبة سوم و مقادیر آن به شدت وابسته به غلظت و ویژگیهای بر همکنشی محیط احاطه کنندة مولکول است. در این حالت، رفتار متضاد مشاهده شده از محلولهای حاوی رنگینة آزو در دو غلطت متفاوت به دلیل برهمکنشهای متفاوت بین مولکولی است. در این شرایط، در غلظتهای پایین اندازة ضریب جذب غیر خطی در محیطهایی با دهندگی قوی پیوند هیدروژنی مانند متانول بیشترین مقدار و در غلظتهای بالاتر، محیطهایی با گیرندگی قوی پیوند هیدروژنی مانند دی متیل فرمامید منجر به افزایش مقادیر ضریب جذب غیرخطی گردید.بدین ترتیب با تغییر غلظت و برهمکنش بین مولکولی میتوان مقادیر و فرایند نوری جذب غیرخطی مرتبة سوم مواد نوری مورد مطالعه را کنترل کرد. در نتیجه رنگینة آزو مورد مطالعه با ویژگیهای جذب اشباع و اشباع معکوس قابل کنترل میتواند نقش مهمی در طراحی ادوات نوری بازی کند.
فاطمه شرفی؛ پروانه ایرانمنش
چکیده
در این پژوهش از روش شیمیایی هیدروترمال برای سنتز نانوذرات دی سولفید مولیبدن خالص و آلاییده شده با مس استفاده شد. برای شناسایی نانوذرات از طیف سنج تبدیل فوریه فروسرخ، پراش سنج پرتو ایکس، طیفسنج جذبی UV-Vis و آنالیز TEM استفاده شد. طیف تبدیل فوریه فروسرخ به خوبی تشکیل پیوند MoS2خالصوآلاییده شده را نشان میدهد. نتایج طرحهای پراش پرتو x، ...
بیشتر
در این پژوهش از روش شیمیایی هیدروترمال برای سنتز نانوذرات دی سولفید مولیبدن خالص و آلاییده شده با مس استفاده شد. برای شناسایی نانوذرات از طیف سنج تبدیل فوریه فروسرخ، پراش سنج پرتو ایکس، طیفسنج جذبی UV-Vis و آنالیز TEM استفاده شد. طیف تبدیل فوریه فروسرخ به خوبی تشکیل پیوند MoS2خالصوآلاییده شده را نشان میدهد. نتایج طرحهای پراش پرتو x، تشکیل ساختار بلوری و تک فاز بودن نمونههای سنتز شده را تایید کردند و همچنین از پهنشدگی قلههای XRDو تصاویر TEM، نانوساختار و نانوورقههای دی سولفید مولیبدن تایید شد. میتوان نتیجه گرفت که با نشاندن مس در ساختار بلوری (که در جایگاه بین شبکهای قرار گرفته است) مکان قلهها فقط تا حدود جزئی جابه جا شده است. تخریب رنگ متیلن بلو به وسیلة نانوذرات با تحریک نور فرابنفش به خوبی صورت گرفت که این تخریب به وسیلة نمونة آلاییده شده با مس تا حدود 95 درصد است.
مجید ابراهیم زاده؛ معصومه سالکی
چکیده
با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری، دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربهفردی را میتوانند از خود نشان دهند؛ بنابراین گزینههای بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. در این کار، خواص اپتیکی ...
بیشتر
با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری، دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربهفردی را میتوانند از خود نشان دهند؛ بنابراین گزینههای بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. در این کار، خواص اپتیکی نانوذرات بیضوی شکل فلزی طلا و نقره در محیطهای دی الکتریک متفاوت و همچنین در اندازههای مختلف با برنامه متلب شبیهسازی گردید. نتایج نشان میدهد که با افزایش قطر نانو ذرات بیضوی شکل (حالت پهن شده) طلا، قله طیف جذب، پراکندگی و خاموشی افزایش یافته است که مورد فوق میتواند گزینة خوبی برای کاربردهای پلاسمونیکی و ادوات اپتیکی باشد. همچنین در مقایسه با نانوذرات بیضوی شکل (حالت کشیده) بازدهی جذب و خاموشی دارای مقدار بالاتری است و قلة پراکندگی در طول موجهای بالاتر ظاهر میشود؛ در حالیکه برای حالت کشیده نانوذرات بیضوی شکل چنین موردی مشاهده نمیگردد. به دلیل کم بودن تعداد الکترونهای رسانش در نانو ذرات و جابهجایی همگن بارهای آزاد در درون نانو ذره، تنها توزیع دو قطبی بارهای آزاد است که سبب ایجاد تک قلههایی در طیف خاموشی و جذب نانوذرات بیضوی شکل طلا و نقره میشود.
مهدی پزشکیان؛ حسین شاهمیرزایی
چکیده
در این مقاله بررسی کاملی درزمینه دروازههای منطقی بلور نوری صورت گرفته است. همچنین چندین دروازه در طولموجهای فرابنفش و فروسرخ (محدوده مخابراتی 1500 نانومتر) طراحی و شبیهسازیشده است. در تمامی موارد شرایط مرزی جاذب کامل در نظر گرفتهشده است.در ابتدا نحوه ساخت موجبر ارائهشده است که از این موجبر طراحی شده برای ساخت تقسیمکننده ...
بیشتر
در این مقاله بررسی کاملی درزمینه دروازههای منطقی بلور نوری صورت گرفته است. همچنین چندین دروازه در طولموجهای فرابنفش و فروسرخ (محدوده مخابراتی 1500 نانومتر) طراحی و شبیهسازیشده است. در تمامی موارد شرایط مرزی جاذب کامل در نظر گرفتهشده است.در ابتدا نحوه ساخت موجبر ارائهشده است که از این موجبر طراحی شده برای ساخت تقسیمکننده استفاده میشود. سپس با کمک این موجبر یک حلقه تشدیدگر طراحی میگردد. در این شبیهسازی سعی بر این شده است که زمان عملگر دروازه را کاهش یابد. که برای این منظور از تقسیمکنندهها بهصورت ترکیبکننده سازنده امواج در مرکز دروازه استفاده کردهایم. این دروازهها پاسخ زمانی بسیار کوتاه در حدود 0.3فمتو ثانیه به پرتو نور ورودی میدهند. در محدوده مخابراتی از سیلیسیوم برای ساخت دروازه استفادهشده است. و همچنین در مرکز دروازه از تداخلسنج ماخ زندر بهجای ترکیبکننده توان استفادهشده است که زمان پاسخ را افزایش میدهد؛ و در این محدوده پاشندگی ماده سیلیسیوم در نظر گرفتهشده است. یکی دیگر از مزیت های این دروازهها ورودی و خروجی در یک سمت میباشند که میتوان در مدارات مجتمع از آن استفاده نمود. برای شبیهسازی دروازه و مشاهده و تجزیهوتحلیل نتایج از نرمافزار قدرتمند RSOFT استفاده شده است. همچنین محاسبات شکاف باند روش بسط موج تخت PWE با همین نرمافزار انجامگرفته است و در محاسبات طولموج خروجی دروازه از روش تفاضل متناهی حوزه زمان از FDTD استفادهشده است.
امیرمحمد بیگ زاده؛ محمدرضا با سعادت؛ محمدرضا رشیدیان وزیری
چکیده
اصول کار کالریمترهای مورد استفاده برای دزیمتری تابشهای یونساز، اندازهگیری تغییرات دمایی ایجاد شده در ماده جاذب به سبب انرژی گرمایی سپارش انرژی باریکه یونساز در ماده جاذب است. در سالهای اخیر، یکی از این روشهای دزیمتری، روش کالریمتری نوری تمام نگاری با استفاده از باریکههای لیزر بوده است. یکی از مسائلی که دقت عملکرد کالریمترهای ...
بیشتر
اصول کار کالریمترهای مورد استفاده برای دزیمتری تابشهای یونساز، اندازهگیری تغییرات دمایی ایجاد شده در ماده جاذب به سبب انرژی گرمایی سپارش انرژی باریکه یونساز در ماده جاذب است. در سالهای اخیر، یکی از این روشهای دزیمتری، روش کالریمتری نوری تمام نگاری با استفاده از باریکههای لیزر بوده است. یکی از مسائلی که دقت عملکرد کالریمترهای مورداستفاده برای دزیمتری را تحت تاثیر قرار میدهد مساله انتقال حرارت در قلب ماده جاذب آن است. این پدیده بر روی سنجش درست دز جذبی تأثیرگذار است. در این کار با استفاده از روش حل عددی با کد فرترن به بررسی تغییر نیمرخ دز ایجاد شده در ماده معادل بافت پلیمتیل متاآکریلات کالریمتر تداخلسنجی تمامنگاری در اثر پدیده انتقال حرارت پرداخته شده و نتایج آن با نتایج روش المان محدود مورد مقایسه قرار گرفته است.
فاطمه کرمی
چکیده
بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمامهویسلر Cr2ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالتها یک گاف نیمفلزی به اندازه 07/0 الکترونولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده نمیشود. این ترکیب در حالت فرومغناطیس پایدار میباشد. Cr2ScSb دارای مغناطش کل 4 مگنتون ...
بیشتر
بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمامهویسلر Cr2ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالتها یک گاف نیمفلزی به اندازه 07/0 الکترونولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده نمیشود. این ترکیب در حالت فرومغناطیس پایدار میباشد. Cr2ScSb دارای مغناطش کل 4 مگنتون بور میباشد و از رابطه اسلیتر-پائولینگ پیروی میکند. بررسی خواص اپتیکی نشان میدهد که این ترکیب برای استفاده به عنوان جاذب امواج الکترومغناطیسی گزینه مناسبی است.
نازنین مروت نژاد؛ سیده هدی حکمت آرا؛ جمیله سیدیزدی
چکیده
در این پژوهش نانوذرات اکسید آهن (مگنتیت) به روش همرسوبی و نانوکامپوزیت دوتایی TiO2-Fe3O4 و در نهایت نانوکامپوزیت سه تایی Fe3O4-rGO-TiO2 که با GTF نامگذاری میگردد، به روش هیدروترمال سنتز شدند. ساختار بلوری و پیوندهای موجود در نانوکامپوزیتها به ترتیب با استفاده از آنالیز پراش پرتوی ایکس (XRD) و آنالیز فوریه فروسرخ (FTIR) مورد مطالعه قرار گرفتند. ...
بیشتر
در این پژوهش نانوذرات اکسید آهن (مگنتیت) به روش همرسوبی و نانوکامپوزیت دوتایی TiO2-Fe3O4 و در نهایت نانوکامپوزیت سه تایی Fe3O4-rGO-TiO2 که با GTF نامگذاری میگردد، به روش هیدروترمال سنتز شدند. ساختار بلوری و پیوندهای موجود در نانوکامپوزیتها به ترتیب با استفاده از آنالیز پراش پرتوی ایکس (XRD) و آنالیز فوریه فروسرخ (FTIR) مورد مطالعه قرار گرفتند. ریخت شناسی نمونهها توسط تصویربرداری میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مورد بررسی قرار گرفت. اندازهی میانگین بلورکهای نانوکامپوزیت در حدود 3/12 نانومتر و مغناطش اشباع نمونه با استفاده از آنالیز VSM، برابر با emu/g26/40 به دست آمده است. فعالیت فوتوکاتالیستی نانوکامپوزیتها از تخریب رنگ متیل نارنجی در نمونه تحت تابش فرابنفش مشخص شد. درصد تخریب متیل نارنجی از نتایج به دست آمده برای نانوکامپوزیت سه تایی GTF برابر % 7/98 محاسبه شد که نسبت به نانوکامپوزیت دوتاییTiO2-Fe3O4 با درصد تخریب% 84 بهبود قابل توجهی داشته است.
حامد رضازاده؛ محمد رضا حنطه زاده؛ آرش بوچانی
چکیده
با این فرض که آلیاژ نیم هویسلر PtFeBi میتواند در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک به کار رود، با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب گرادیان شبه تعمیم یافته (GGA)، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژ نیم- هویسلر PtFeBi در حالت بالک و سطوح (001) و برای پایانشهای FeBi و PtPt مورد مطالعه قرار گرفت. قطبش اسپینی ...
بیشتر
با این فرض که آلیاژ نیم هویسلر PtFeBi میتواند در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک به کار رود، با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب گرادیان شبه تعمیم یافته (GGA)، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژ نیم- هویسلر PtFeBi در حالت بالک و سطوح (001) و برای پایانشهای FeBi و PtPt مورد مطالعه قرار گرفت. قطبش اسپینی در سطح فرمی برای بالک عدد %7/77- و برای پایانشهای FeBi و PtPt به ترتیب اعداد %5/70- و %2/70- به دست آمد. بخش حقیقی تابع دیالکتریک برای نور فرودی در هر دو راستای xx و zz برای انرژیهای بیشتر از 8 eV برای هر دو پایانش یاد شده، مشابه هم هستند و برای انرژیهای بیشتر از 15 eV به عدد یک همگرا شدهاند که نشان میدهد این پایانشها به عنوان یک عایق ایزوتروپیک رفتار میکنند. همچنین ضریب شکست برای انرژیهای بیشتر از7.5 eV کمتر از عدد یک شده که معرف پدیدۀ فوقالعاده درخشان است.
مرضیه دادخواه؛ تورج غفاری
چکیده
در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای 1 بعدی (1-DTPC ) با هندسه متقارن را بررسی میکنیم. حالتهای نقص برای قطبش میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی با تغییر طول موج بررسی میشوند. در این حالت، دو قله تشدید در نوار گاف فوتونی (PBG ) وجود دارد که مربوط به حالت نقص است. در قطبش میدان الکتریکی عرضی، با افزایش زوایای فرودی، حالتهای نقص به ...
بیشتر
در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای 1 بعدی (1-DTPC ) با هندسه متقارن را بررسی میکنیم. حالتهای نقص برای قطبش میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی با تغییر طول موج بررسی میشوند. در این حالت، دو قله تشدید در نوار گاف فوتونی (PBG ) وجود دارد که مربوط به حالت نقص است. در قطبش میدان الکتریکی عرضی، با افزایش زوایای فرودی، حالتهای نقص به سمت طول موج کوتاهتر و در قطبش میدان مغناطیسی عرضی به سمت طول موج بزرگتر منتقل میشوند. ارتفاع مدهای نقص به زوایای فرودی ارتباطی ندارد. با افزایش تعداد سلول های واحد، پهنای حالت های نقص کاهش می یابد و این افزایش در موقعیت مکانی حالت نقص تأثیری ندارد. علاوه بر این، با افزایش ضریب شکست لایه نقص، حالتهای نقص به سمت مرکز نوار گاف برای قطبشهای میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی منتقل میشوند. مد نقص با طول موج کوتاهتر سریعتر از مد نقص با طول موج بزرگتر جابجا می شود. همچنین با افزایش ضخامت لایه نقص، مدهای نقص به سمت طول موج بزرگتر جا به جا می شود.