مجتبی غلامی؛ بهاره آذروند حسن فرد
چکیده
در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ ...
بیشتر
در این مقاله با دوپینگ جایگزینی فلزات دوره های 3d،4d و5d روی تک لایه PdS2خواص الکترونی مورد مطالعه قرار کرفته است.نتایج بدست آمده نشان میدهد که در دوپینگ جایگزینی فلزات 3d(Sc,Fe) ،4d(Y,Ru,Rh) و 5d(Os) به جای یک اتم Pd سطح فرمی یا به داخل VBM شیفت پیدا کرده یا اینکه زیر CBM و نزدیک آن واقع شده است بنابراین ساختار رفتار نیمه هادی پذیرنده دارد.اما برای دوپینگ فلزات 3d(Ti,Cr,Co) ،4d(Zr,Mo) و 5d(Hf,W,Ir,Au) سطح فرمی به داخل CBM نفوذ کرده یا اینکه بالای VBM و نزدیک آن واقع شده است در این حالت ساختار دوپینگ شده نقش نیمه هادی دهنده بازی می کند.اما ساختارالکترونی PdS2 در اثر دوپینگ فلزات 3d(Ni,Zn) ،4d(Pd,Cd) و 5d(Pt,Hg) تغییر کرده و همچنان نیمه هادی داتی باقی می ماند بگونه ای که بیشترین گاف انرژی مربوط به همین فلزات می باشد.دوپینگ فلزات 3d(V,Mn,Cu) ،4d(Nb,Tc,Ag) و5d(Ta,Re) ساختار الکترونی سیستم را به کلی تغییر داده و سیستم تبدیل به رسانا می شود.این تغییرات متنوع می تواند اساس ایده های علمی برای ساخت وسایل اسپینرونیک تلقی شود.
مجتبی غلامی؛ مهدی ابراهیمی سرائی؛ مهلا حسن پور
چکیده
القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیل‌های بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی می‌باشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1T-NiTe2 پرداخته شد.نتایج نشان میدهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی می‌کند. بیشترین ...
بیشتر
القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیل‌های بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی می‌باشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1T-NiTe2 پرداخته شد.نتایج نشان میدهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی می‌کند. بیشترین و کمترین مقدار مغناطش القا شده بترتیب مربوط به اتم Cr و اتم Fe می‌باشد. اتم Cr با اتمهای نیکل مجاور پوشش فرومغناطیس (FM) و با اتمهای تلورید هیبرید انتی فرومغناطیس (AFM) برقرار میکنند. در حالی که اتم Fe با اتمهای نیکل و تلورید مجاور هیبرید انتی فرومغناطیس دارند که باعث میشود مغناطش کمتری در ساختار ایجاد شود.
مجتبی غلامی؛ حمید رحیم پور سلیمانی
چکیده
خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی Pd2S4 از طریق دوپینگ غیرفلزات NM(N,P,As,O,Se,F,Cl,Br) و با بکارگیری محاسبات اساسی اولیه انجام شد.نتایج نشان میدهد که غیرفلزاتی که دارای عدد فرد لایه ظرفیت هستند باعث مغناطیسی شدن ساختار می شود در حالی که غیرفلزات دارای عدد زوج در لایه ظرفیت خاصیت مغناطیسی درسیستم القا نمی کند.بیشترین مقدار مغناطش تولیده شده ناشی ...
بیشتر
خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی Pd2S4 از طریق دوپینگ غیرفلزات NM(N,P,As,O,Se,F,Cl,Br) و با بکارگیری محاسبات اساسی اولیه انجام شد.نتایج نشان میدهد که غیرفلزاتی که دارای عدد فرد لایه ظرفیت هستند باعث مغناطیسی شدن ساختار می شود در حالی که غیرفلزات دارای عدد زوج در لایه ظرفیت خاصیت مغناطیسی درسیستم القا نمی کند.بیشترین مقدار مغناطش تولیده شده ناشی از دوپینگ اتم های گروه هفتم و بویژه اتم Br با مقدار0.81µB می باشد. در گروه پنجم،از بالا به پایین(افزایش دوره) مقدارجدایی اسپینی اوربیتال pکاهش پیدا می کند که کاهش مقدار مغناطش را به همرا دارد.در حالی که مقدار جدایی اسپینی اوربیتال P اتم های گروه هفتم با افزایش دوره زیاد می شود بنابراین مقدار مغناطش اتم های گروه هفتم از بالا به پایین جدول تناوبی زیاد می شود. در گروه هفتم برعکس گروه پنجم مغناطش اتم سولفور همسایه ی اول از اتم های غیرفلزات دوپینگی بیشتر است. یافتههای بهدستآمده در این کار میتواند اکتشاف آزمایشی را آغاز کند و کاربرد مغناظش غیر فلزات را در ابزارهای اسپین‌ترونیک را گسترش دهد.