نوع مقاله : پژوهشی

نویسندگان

1 هیات علمی پیام نور

2 کارشناسی فیزیک هسته ای، دانشگاه گیلان

3 دانشجو، گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور،تهران ،ایران

10.30473/jphys.2022.66307.1131

چکیده

القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیل های بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی می باشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1T-NiTe2 پرداخته شد.نتایج نشان می دهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی می کند. بیشترین و کمترین مقدار مغناطش القا شده بترتیب مربوط به اتم Cr و اتم Fe می باشد. اتم Cr با اتم های نیکل مجاور پوشش فرومغناطیس (FM) و با اتم های تلورید هیبرید انتی فرومغناطیس (AFM) برقرار می کنند. در حالی که اتم Fe با اتم های نیکل و تلورید مجاور هیبرید انتی فرومغناطیس دارند که باعث می شود مغناطش کمتری در ساختار ایجاد شود.

کلیدواژه‌ها