خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی دی کالکوژنید Pd2S4 تحت دوپینگ اتم های مجاور اتم سولفور

غلامی, مجتبی; رحیم پور سلیمانی, حمید

doi:10.30473/jphys.2022.65181.1121

نوع مقاله : پژوهشی

نویسندگان

¹ 1. گروه فیزیک،دانشگاه پردیس،دانشگاه گیلان ،رشت،ایران 2. گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور،تهران ،ایران

² گروه فیزیک، دانشگاه گیلان، رشت، ایران

https://doi.org/10.30473/jphys.2022.65181.1121

چکیده

خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی Pd2S4 از طریق دوپینگ غیرفلزات NM(N,P,As,O,Se,F,Cl,Br) و با بکارگیری محاسبات اساسی اولیه انجام شد.نتایج نشان میدهد که غیرفلزاتی که دارای عدد فرد لایه ظرفیت هستند باعث مغناطیسی شدن ساختار می شود در حالی که غیرفلزات دارای عدد زوج در لایه ظرفیت خاصیت مغناطیسی درسیستم القا نمی کند.بیشترین مقدار مغناطش تولیده شده ناشی از دوپینگ اتم های گروه هفتم و بویژه اتم Br با مقدار0.81µB می باشد. در گروه پنجم،از بالا به پایین(افزایش دوره) مقدارجدایی اسپینی اوربیتال pکاهش پیدا می کند که کاهش مقدار مغناطش را به همرا دارد.در حالی که مقدار جدایی اسپینی اوربیتال P اتم های گروه هفتم با افزایش دوره زیاد می شود بنابراین مقدار مغناطش اتم های گروه هفتم از بالا به پایین جدول تناوبی زیاد می شود. در گروه هفتم برعکس گروه پنجم مغناطش اتم سولفور همسایه ی اول از اتم های غیرفلزات دوپینگی بیشتر است. یافته‌های به‌دست‌آمده در این کار می‌تواند اکتشاف آزمایشی را آغاز کند و کاربرد مغناظش غیر فلزات را در ابزارهای اسپینترونیک را گسترش دهد.

کلیدواژه‌ها

مراجع

[1] Gjerding, M. N. et al. Recent progress of the computational 2D materials database (C2DB). Materials 8, (2021)044002.

[2] X.B. Yuan, Y.L. Tian, X.W. Zhao, W.W. Yue, G.C. Hu, J.F. Ren, Appl. Surf. Sci. (2018), 439, 1158-1162.

[3] Schwierz F (2010) Graphene transistors. Nat Nanotechnol 5:487–496.

[4] Fiori G, Bonaccorso F, Iannaccone G, Palacios T, Neumaier D, Seabaugh A, Banerjee SK, Colombo L (2014) Erratum, Nat Nanotechnol 9(12):768–779.

[5] Ryder CR, Wood JD, Wells SA, Hersam MC ,(2016) ACS Nano 10:3900–3917.

[6] Jariwala D, Sangwan VK, Lauhon LJ, Marks TJ, Hersam MC (2014) ,ACS Nano 8(2):1102–1120

[7] K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov, , Sciences 306 (2004) 666e669.

[8] B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Single-layer MoS2 transistors, Nat. Nanotechnol. 6 (2011) 147e150.

[9] G.Q. Li, W.L. Wang, W.J. Yang, Y.H. Lin, H.Y. Wang, Z.T. Lin, S.Z. Zhou, a critical review, Rep. Prog. Phys. 79 (2016), 056501.

[10] N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, S. Yoshida, P, IEEE 98 (2010) 1151–1161.

[11] X. Li, J. Yang, First-principles design of spintronics materials, Natl. Sci. Rev. 3 (2016) 365e381.

[12] Lv .H.Y, Lu. W J, Shao .DF, Liu. Y, Sun. YP. Phys. Rev. B 92, 214419;2015

[14] Avsar. A, et al. Nat Nanotechnol 7, 674-678.2019

[15] Ma. Y, et al.,. Phys. Chem. Chem. Phys 13, 15546-15553;2011

[16] Zhang. J, Zheng. H, Han. R, Du. X, Yan. Y. Journal of Alloys and Compounds 647, 75-81;2015

[17] Yue. Q, Chang. Sh, Qin. Sh, Li. J. Physics Letters A 377, 1362–1367;2013

[18] Yang. B, Zheng. H, Han. R, Du. X, Yan. Y.. RSC Adv 4, 54335-54343.2014

[19] Hashemi. D, Lizuka. H. RSC Adv 11, 6182-6187.2021.

[20] Mojtaba Gholami, Zahra Golsanamlou & H. Rahimpour Soleimani Scientific Reports, 12: 10838, 2022.

[21] Gjerding, M. N. et al. Materials 8, 044002, 2021.

فصلنامه علمی اپتوالکترونیک

خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی دی کالکوژنید Pd2S4 تحت دوپینگ اتم های مجاور اتم سولفور

مراجع

مراجع

دوره 4، شماره 1 - شماره پیاپی 10
اسفند 1400
صفحه 105-111

خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی دی کالکوژنید Pd2S4 تحت دوپینگ اتم های مجاور اتم سولفور

مراجع

مراجع

دوره 4، شماره 1 - شماره پیاپی 10اسفند 1400صفحه 105-111

دوره 4، شماره 1 - شماره پیاپی 10
اسفند 1400
صفحه 105-111