نوشین داداش زاده
چکیده
فناوری پلاسما در بسیاری از کشورها در زمینههای مختلفی مانند تولید ازن، تصفیه سطح، اصلاح سطح، پزشکی و غیره استفاده میشود. پلاسمای تولیدشده با امواجی مانند مایکروویو، یک فناوری امیدوارکننده و جالب برای ویژگیهای منحصر به فرد و همه کاره آن است. این ویژگیهای پلاسمای مایکروویو یک فناوری جایگزین در مقایسه با راکتورهای شیمیایی حرارتی ...
بیشتر
فناوری پلاسما در بسیاری از کشورها در زمینههای مختلفی مانند تولید ازن، تصفیه سطح، اصلاح سطح، پزشکی و غیره استفاده میشود. پلاسمای تولیدشده با امواجی مانند مایکروویو، یک فناوری امیدوارکننده و جالب برای ویژگیهای منحصر به فرد و همه کاره آن است. این ویژگیهای پلاسمای مایکروویو یک فناوری جایگزین در مقایسه با راکتورهای شیمیایی حرارتی سنتی به شرط رفع چالشهای فنی خاص آن است. در این مطالعه عددی، خواص پلاسمای مایکروویو با فرکانس 45/2 گیگاهرتز و گاز آرگون در فشار اتمسفر بررسی شد. با تغییر توان ورودی دستگاه در محدوده 10 وات تا 20 وات در حالت مغناطیسی و مد (TM)، پروفایلهای مقایسهای چگالی الکترون، دمای الکترون، میدان الکتریکی نشان داده میشود. نتایج شبیهسازی، تولید المانهای شیمیایی در پلاسمای مایکروویو را نشان میدهد. الکترونهای پرانرژی و چگالی الکترون بهعنوان عوامل اصلی مؤثر بر خواص پلاسمای مایکروویو در نظر گرفته شدهاند.
نوشین داداش زاده؛ الناز پوررضا
چکیده
در این مطالعه مقایسهای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دیالکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی، مشخص کردن ویژگیهای پلاسما و بهینهسازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. در این مقاله، شبیهسازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان ...
بیشتر
در این مطالعه مقایسهای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دیالکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی، مشخص کردن ویژگیهای پلاسما و بهینهسازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. در این مقاله، شبیهسازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان داده شده است. دستگاه DBD با دو الکترود پوشیده شده توسط ماده دیالکتریک و با ثابت دیالکتریک متغیر بین 2، 5 و 8 در نظر گرفته شد و پارامترهای تخلیه بر حسب زمان شبیهسازی شدند. در سراسر شکاف پلاسما برای یافتن یک ثابت دیالکتریک بهینه برای رسوب حداکثر توان، با استفاده از اعمال یک ولتاژ سینوسی به دستگاه DBD با ثابت دیالکتریک مختلف، پروفایلهای میدان الکتریکی، الکترون چگالی، دمای الکترون، کسر جرمی اتمهای آرگون، میانگین انرژی الکترون، چگالی جریان یون، چگالی جریان الکترون، پلاسما، جریان کل و رسوب توان نشان داده شدهاند