ناصر جهان بخشی زاده؛ محمود برهانی زرندی؛ بیتا نخعی؛ میلاد ثانی
چکیده
در این پژوهش مشخصات اپتیکی لایه پروسکایت CH3NH3PbI3 که با استفاده از پیش مادههای سرب یدید (PbI2) و متیل آمونیوم یدید (MAI) در حلال های DMF و DMSO به روش تک مرحله ای با ضد حلال کلروبنزن لایه نشانی شده است، مورد بررسی و تحلیل قرار گرفت. برای این منظور با اعمال ضد حلال کلروبنزن در زمان های 7، 10 و 13 ثانیه بعد از شروع فرایند لایه نشانی، پارامترهای اپتیکی ...
بیشتر
در این پژوهش مشخصات اپتیکی لایه پروسکایت CH3NH3PbI3 که با استفاده از پیش مادههای سرب یدید (PbI2) و متیل آمونیوم یدید (MAI) در حلال های DMF و DMSO به روش تک مرحله ای با ضد حلال کلروبنزن لایه نشانی شده است، مورد بررسی و تحلیل قرار گرفت. برای این منظور با اعمال ضد حلال کلروبنزن در زمان های 7، 10 و 13 ثانیه بعد از شروع فرایند لایه نشانی، پارامترهای اپتیکی لایه پروسکایت شامل ضریب جذب، گافهای اپتیکی مستقیم و غیرمستقیم، ثابت خاموشی، ضریب شکست، رسانندگی نوری و انرژی اورباخ محاسبه شد. برای لایه پروسکایت که ضدحلال در 10 ثانیه بعد از شروع لایهنشانی اعمال شده بود، گاف های اپتیکی مستقیم و غیر مستقیم به ترتیب 1.61 و eV 1.55 بدست آمد که همین کمیت ها برای نمونه 7 ثانیه به ترتیب 1.57 و eV 1.51 و برای نمونه 13 ثانیه به ترتیب 1.54 و eV 1.48 بود. انرژی اورباخ برای لایه پروسکایت با زمان اعمال ضدحلال در 10 ثانیه بعد از شروع لایهنشانی مقدار eV 0.05 بدست آمد که کمتر بودن آن در مقایسه با مقدار این پارامتر برای نمونههای 7 و 13 ثانیه که به ترتیب 0.095 و eV 0.119 بودند، نشان دهنده تشکیل بلورپروسکایت با کیفیت بهتر و نقصهای شبکهای کمتر بود. نتایج این پژوهش میتواند در طراحی و بهینهسازی اپتیکی سلولهای خورشیدی با لایه جاذب پروسکایت مورد استفاده قرار گیرد.
سعیده رمضانی ثانی
چکیده
چکیده
در این پژوهش، خواص اپتیکی سیلیکون متخلخل با درصدهای مختلف تخلخل مورد بررسی قرار گرفته است. نمونهها با تخلخلهای متفاوت تهیه شده و رفتار اپتیکی آنها در بازه طولموج مرئی با تمرکز بر ضریب دیالکتریک مؤثر، ضریب شکست و گاف انرژی تحلیل شده است. بخش حقیقی و موهومی ضریب دیالکتریک مؤثر بهمنظور بررسی پاسخ قطبشی و تلفات اپتیکی ...
بیشتر
چکیده
در این پژوهش، خواص اپتیکی سیلیکون متخلخل با درصدهای مختلف تخلخل مورد بررسی قرار گرفته است. نمونهها با تخلخلهای متفاوت تهیه شده و رفتار اپتیکی آنها در بازه طولموج مرئی با تمرکز بر ضریب دیالکتریک مؤثر، ضریب شکست و گاف انرژی تحلیل شده است. بخش حقیقی و موهومی ضریب دیالکتریک مؤثر بهمنظور بررسی پاسخ قطبشی و تلفات اپتیکی ماده محاسبه گردید. نتایج نشان داد که با افزایش تخلخل، بخش حقیقی ضریب دیالکتریک کاهش مییابد که ناشی از افزایش سهم فاز هوا و کاهش چگالی مؤثر محیط است. همزمان، بخش موهومی ضریب دیالکتریک نیز کاهش قابلتوجهی از خود نشان میدهد که بیانگر کاهش جذب نوری و اتلاف انرژی در ساختارهای با تخلخل بالا است. تحلیل ضریب شکست نیز روند مشابهی را آشکار ساخت؛ بهطوریکه با افزایش تخلخل، مقدار ضریب شکست حقیقی کاهش یافته است و ضریب شکست موهومی در ناحیه مرئی به مقادیر بسیار کوچک نزدیک میشود. این رفتار نشاندهنده قابلیت مهندسی خواص اپتیکی سیلیکون متخلخل از طریق کنترل تخلخل است. علاوه بر این، باند گپ اپتیکی نمونهها با افزایش تخلخل از حدود 8/1 به 3/2 الکترونولت افزایش یافت که میتوان آن را به اثر محبوسسازی کوانتومی، کاهش اندازه مؤثر نواحی سیلیکونی و تغییر در ساختار الکترونی نسبت داد. در مجموع، نتایج این مطالعه نشان میدهد که افزایش تخلخل منجر به کاهش همزمان پاسخ دیالکتریک و جذب نوری و در عین حال افزایش باند گپ اپتیکی میشود. این ویژگیها سیلیکون متخلخل را به مادهای مناسب برای کاربردهای اپتوالکترونیکی، پوششهای ضدبازتاب و سامانههای فتوکاتالیستی با بازده نوری بالا تبدیل میکند.
رضا مردانی قهفرخی؛ محسن قاسمی؛ ویشتاسب سلیمانیان
چکیده
در این پژوهش، سامانه چند لایهای رسانای شفاف ZnSe/Ag/CdTe (ZAC) طراحی و شبیهسازی شد. ضخامت بهینه برای لایهها به گونهای تعیین شد که تراگسیل بالا و مقاومت الکتریکی پایین بطور همزمان حاصل شود. برای بررسی خواص اپتیکی سامانه چند لایهای، طیف عبور، بازتاب و گاف انرژی موثر سامانه چند لایهای تعیین شد. ضخامت بهینه برای لایههای ZnSe ، Ag و CdTe ...
بیشتر
در این پژوهش، سامانه چند لایهای رسانای شفاف ZnSe/Ag/CdTe (ZAC) طراحی و شبیهسازی شد. ضخامت بهینه برای لایهها به گونهای تعیین شد که تراگسیل بالا و مقاومت الکتریکی پایین بطور همزمان حاصل شود. برای بررسی خواص اپتیکی سامانه چند لایهای، طیف عبور، بازتاب و گاف انرژی موثر سامانه چند لایهای تعیین شد. ضخامت بهینه برای لایههای ZnSe ، Ag و CdTe به ترتیب nm40، nm 12 و nm 35 محاسبه شد. نتایج نشان داد که سامانه طراحی شده می تواند به عنوان الکترود میان لایهای در سلولهای خورشیدی، استفاده شود. برای این منظور، سلول خورشیدی تاندم دو ترمیناله پروسکایت (CH3NH3PbI3) و سیلیکون با ساختار FTO/ TiO2/ Pervoskite (CH3NH3PbI3) / Spiro-OMeTAD/ ZAC/ C-Si (n)/ C-Si (p)/ C-Si (p+)/Mo با استفاده از نرمافزار SCAPS شبیهسازی شد. برای مقادیر ولتاژ مدار باز (Voc)، چگالی جریان (Jsc)، ضریب پر شدگی و بازده تبدیل توان (PCE) به ترتیب V62/1، mA/cm2 40/20، 30/89 و 51/29 درصد بدست آمد. بطور کلی نتایج نشان داد که سامانه طراحی شده ZAC پتانسیل مناسبی برای بهکارگیری در ادوات اپتوالکترونیکی دارد.
مریم عزیزی؛ حمدالله صالحی
چکیده
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک میباشد، پرداخته میشود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبهپتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالتها ...
بیشتر
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک میباشد، پرداخته میشود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبهپتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالتها مقدار گاف نواری را eV 2/1،eV 4/1 و eV 37/2 به ترتیب در تقریب LDA، LDA+U و HSE با شبهپتانسیل بار پایسته بدست آمد. همچنین مقدار مدول حجمی نیز بترتیب GPa 81 در LDA و GPa 4/79 در LDA+U و GPa 5/76 در HSE به دست آمده است. در نهایت به بررسی خواص اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب ، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی پرداخته شد که از بررسی خواص اپتیکی مقدار گاف اپتیکی که از ضریب جذب بهدست میآید با مقدار گاف نواری انطباق خوبی دارد که مقدار ضرایب اپتیکی در راستاهای مختلف به دلیل ناهمسانگرد بودن ساختار، متفاوت است. مقدار گاف اپتیکی که از نمودار ضریب جذب خوانده شد در تقریب LDA، LDA+U و HSE به ترتیب eV 27/1 ، eV 4/1 و eV 37/2 به دست آمده از بررسیهای اپتیکی مشخص گردید این ترکیب دارای قابلیت خوبی برای کاربرد در سلول خورشیدی و مواد اپتوالکترونیک است.
فاطمه کرمی؛ سارا محمدی بیلانکوهی؛ حسین غفوریان
چکیده
خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمامهویسلر Ti2ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمامهویسلر است که بعد از بررسیهای به عمل آمده، ساختاری با عنوان نوع a در حالت فرومغناطیس در نظر گرفته شد. این ترکیب برای اولین بار در این مقاله مورد ...
بیشتر
خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمامهویسلر Ti2ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمامهویسلر است که بعد از بررسیهای به عمل آمده، ساختاری با عنوان نوع a در حالت فرومغناطیس در نظر گرفته شد. این ترکیب برای اولین بار در این مقاله مورد مطالعه قرار گرفته است و در شرایط مورد بررسی، به عنوان یک نیمفلز فرومغناطیس با گاف نیمفلزی به اندازه 4/0 الکترونولت شناخته شد. این ترکیب چند فاکتور مورد قبول برای کاربردی بودن در ساخت ابزار اسپینترونیک دارد. از جمله آنها، خاصیت نیمفلزی، دمای کوری بالا در حدود 1086 کلوین، پایدار بودن آن در حالت فرومغناطیس و پیروی از قانون اسلیتر-پایولینگ است. همچنین بررسی خواص اپتیکی نشان داد که ترکیب تمام-هویسلر Ti2ScGeمیتواند به عنوان جاذب امواج نیز مورد مطالعه بیشتر قرار بگیرد.
مجید ابراهیم زاده؛ معصومه سالکی
چکیده
با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری، دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربهفردی را میتوانند از خود نشان دهند؛ بنابراین گزینههای بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. در این کار، خواص اپتیکی ...
بیشتر
با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری، دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربهفردی را میتوانند از خود نشان دهند؛ بنابراین گزینههای بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. در این کار، خواص اپتیکی نانوذرات بیضوی شکل فلزی طلا و نقره در محیطهای دی الکتریک متفاوت و همچنین در اندازههای مختلف با برنامه متلب شبیهسازی گردید. نتایج نشان میدهد که با افزایش قطر نانو ذرات بیضوی شکل (حالت پهن شده) طلا، قله طیف جذب، پراکندگی و خاموشی افزایش یافته است که مورد فوق میتواند گزینة خوبی برای کاربردهای پلاسمونیکی و ادوات اپتیکی باشد. همچنین در مقایسه با نانوذرات بیضوی شکل (حالت کشیده) بازدهی جذب و خاموشی دارای مقدار بالاتری است و قلة پراکندگی در طول موجهای بالاتر ظاهر میشود؛ در حالیکه برای حالت کشیده نانوذرات بیضوی شکل چنین موردی مشاهده نمیگردد. به دلیل کم بودن تعداد الکترونهای رسانش در نانو ذرات و جابهجایی همگن بارهای آزاد در درون نانو ذره، تنها توزیع دو قطبی بارهای آزاد است که سبب ایجاد تک قلههایی در طیف خاموشی و جذب نانوذرات بیضوی شکل طلا و نقره میشود.
فاطمه کرمی
چکیده
بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمامهویسلر Cr2ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالتها یک گاف نیمفلزی به اندازه 07/0 الکترونولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده نمیشود. این ترکیب در حالت فرومغناطیس پایدار میباشد. Cr2ScSb دارای مغناطش کل 4 مگنتون ...
بیشتر
بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمامهویسلر Cr2ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالتها یک گاف نیمفلزی به اندازه 07/0 الکترونولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده نمیشود. این ترکیب در حالت فرومغناطیس پایدار میباشد. Cr2ScSb دارای مغناطش کل 4 مگنتون بور میباشد و از رابطه اسلیتر-پائولینگ پیروی میکند. بررسی خواص اپتیکی نشان میدهد که این ترکیب برای استفاده به عنوان جاذب امواج الکترومغناطیسی گزینه مناسبی است.
ثمین ابراهیمی؛ سید علی هاشمیزاده عقداء
دوره 1، شماره 1 ، شهریور 1395، ، صفحه 21-28
چکیده
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دیالکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفتهاند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویتشدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است.
در نهایت ...
بیشتر
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دیالکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفتهاند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویتشدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است.
در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج بهدستآمده از ساختار الکترونی و نواری را تأیید کرد. همچنین متوجه شدیم که VBM این آلیاژها از GaN در گاف نوار ثابت بالاتر است؛ بنابراین انتظار میرود این آلیاژها خیلی راحتتر بهعنوان نیمرساناهای نوع p آلاییده شوند.