مریم عزیزی؛ حمدالله صالحی
چکیده
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می‌باشد، پرداخته می‌شود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه‌پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت‌ها ...
بیشتر
چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می‌باشد، پرداخته می‌شود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه‌پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت‌ها مقدار گاف نواری را eV 2/1،eV 4/1 و eV 37/2 به ترتیب در تقریب LDA، LDA+U و HSE با شبه‌پتانسیل بار پایسته بدست آمد. همچنین مقدار مدول حجمی نیز بترتیب GPa 81 در LDA و GPa 4/79 در LDA+U و GPa 5/76 در HSE به دست آمده است. در نهایت به بررسی خواص اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب ، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی پرداخته شد که از بررسی خواص اپتیکی مقدار گاف اپتیکی که از ضریب جذب بهدست میآید با مقدار گاف نواری انطباق خوبی دارد که مقدار ضرایب اپتیکی در راستاهای مختلف به دلیل ناهمسانگرد بودن ساختار، متفاوت است. مقدار گاف اپتیکی که از نمودار ضریب جذب خوانده شد در تقریب LDA، LDA+U و HSE به ترتیب eV 27/1 ، eV 4/1 و eV 37/2 به دست آمده از بررسی‌های اپتیکی مشخص گردید این ترکیب دارای قابلیت خوبی برای کاربرد در سلول خورشیدی و مواد اپتوالکترونیک است.
فاطمه کرمی؛ سارا محمدی بیلانکوهی؛ حسین غفوریان
چکیده
خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Ti2ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمام‌هویسلر است که بعد از بررسی‌های به عمل آمده، ساختاری با عنوان نوع a در حالت فرومغناطیس در نظر گرفته شد. این ترکیب برای اولین بار در این مقاله مورد ...
بیشتر
خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Ti2ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمام‌هویسلر است که بعد از بررسی‌های به عمل آمده، ساختاری با عنوان نوع a در حالت فرومغناطیس در نظر گرفته شد. این ترکیب برای اولین بار در این مقاله مورد مطالعه قرار گرفته است و در شرایط مورد بررسی، به عنوان یک نیمفلز فرومغناطیس با گاف نیم‌فلزی به اندازه 4/0 الکترون‌ولت شناخته شد. این ترکیب چند فاکتور مورد قبول برای کاربردی بودن در ساخت ابزار اسپینترونیک دارد. از جمله آنها، خاصیت نیم‌فلزی، دمای کوری بالا در حدود 1086 کلوین، پایدار بودن آن در حالت فرومغناطیس و پیروی از قانون اسلیتر-پایولینگ است. همچنین بررسی خواص اپتیکی نشان داد که ترکیب تمام-هویسلر Ti2ScGeمی‌تواند به عنوان جاذب امواج نیز مورد مطالعه بیشتر قرار بگیرد.
مجید ابراهیم زاده؛ معصومه سالکی
چکیده
با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری، دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربه‌فردی را می‌توانند از خود نشان دهند؛ بنابراین گزینه‌های بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. در این کار، خواص اپتیکی ...
بیشتر
با گسترش روزافزون دانش و فناوری در ابعاد نانومتری، دانش پلاسمونیک مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است. نانوذرات فلزی بیضوی شکل طلا و نقره به دلیل ساختار بیضوی شکل با تقارن خاص، خواص اپتیکی منحصربه‌فردی را می‌توانند از خود نشان دهند؛ بنابراین گزینه‌های بسیار مناسبی جهت استفاده در نسل جدید حسگرهای نوری هستند. در این کار، خواص اپتیکی نانوذرات بیضوی شکل فلزی طلا و نقره در محیط‌های دی الکتریک متفاوت و همچنین در اندازه‌های مختلف با برنامه متلب شبیه‌سازی گردید. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش قطر نانو ذرات بیضوی شکل (حالت پهن شده) طلا، قله طیف جذب، پراکندگی و خاموشی افزایش یافته است که مورد فوق می‌تواند گزینة خوبی برای کاربردهای پلاسمونیکی و ادوات اپتیکی باشد. همچنین در مقایسه با نانوذرات بیضوی شکل (حالت کشیده) بازدهی جذب و خاموشی دارای مقدار بالاتری است و قلة پراکندگی در طول موج‌های بالاتر ظاهر می‌شود؛ در حالی‌که برای حالت کشیده نانوذرات بیضوی شکل چنین موردی مشاهده نمی‌گردد. به دلیل کم بودن تعداد الکترون‌های رسانش در نانو ذرات و جابه‌جایی همگن بارهای آزاد در درون نانو ذره، تنها توزیع دو قطبی بارهای آزاد است که سبب ایجاد تک قله‌هایی در طیف خاموشی و جذب نانوذرات بیضوی شکل طلا و نقره می‌شود.
فاطمه کرمی
چکیده
بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Cr2ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالت‌ها یک گاف نیم‌فلزی به اندازه 07/0 الکترون‌ولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده نمی‌شود. این ترکیب در حالت فرومغناطیس پایدار می‌باشد. Cr2ScSb دارای مغناطش کل 4 مگنتون ...
بیشتر
بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Cr2ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالت‌ها یک گاف نیم‌فلزی به اندازه 07/0 الکترون‌ولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده نمی‌شود. این ترکیب در حالت فرومغناطیس پایدار می‌باشد. Cr2ScSb دارای مغناطش کل 4 مگنتون بور می‌باشد و از رابطه اسلیتر-پائولینگ پیروی میکند. بررسی خواص اپتیکی نشان می‌دهد که این ترکیب برای استفاده به عنوان جاذب امواج الکترومغناطیسی گزینه مناسبی است.
ثمین ابراهیمی؛ سید علی هاشمی‌زاده عقداء
دوره 1، شماره 1 ، شهریور 1395، ، صفحه 21-28
چکیده
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است.
در نهایت ...
بیشتر
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است.
در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج بهدستآمده از ساختار الکترونی و نواری را تأیید کرد. همچنین متوجه شدیم که VBM این آلیاژها از GaN در گاف نوار ثابت بالاتر است؛ بنابراین انتظار میرود این آلیاژها خیلی راحتتر بهعنوان نیمرساناهای نوع p آلاییده شوند.