نصرتعلی وهابزاده
چکیده
در این پژوهش، خواص ساختاری، الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریک ماده دوبعدی MoSi₂N₄ با استفاده از محاسبات مبتنی بر نظریه تابع چگالی (DFT) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات انرژی–حجم نشان میدهند که MoSi₂N₄ از نظر ترمودینامیکی پایدار بوده و مدول بالک بالا، سختی مکانیکی و تراکمپذیری پایین این ماده را تأیید میکند. تحلیل ساختار نواری ...
بیشتر
در این پژوهش، خواص ساختاری، الکترونیکی، اپتیکی و ترموالکتریک ماده دوبعدی MoSi₂N₄ با استفاده از محاسبات مبتنی بر نظریه تابع چگالی (DFT) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج محاسبات انرژی–حجم نشان میدهند که MoSi₂N₄ از نظر ترمودینامیکی پایدار بوده و مدول بالک بالا، سختی مکانیکی و تراکمپذیری پایین این ماده را تأیید میکند. تحلیل ساختار نواری و چگالی حالات (DOS/PDOS) گاف نواری مستقیم با مقدار تقریبی ۲ الکترون ولت را آشکار میسازد که این ویژگی MoSi₂N₄ را برای کاربردهای اپتوالکترونیکی نویدبخش میسازد. بررسی طیف فونونی نیز پایداری دینامیکی ماده را تأیید کرده و نشان میدهد که ارتعاشات فونونی شرایط مناسبی برای هدایت حرارتی و برهمکنش الکترون–فونون فراهم میکنند. نتایج اپتیکی حاکی از ناهمسانگردی قابل توجه در ثابت دیالکتریک، تابع جذب و پاسخ پلاسمونی در محدوده مرئی و فرابنفش است. علاوه بر این، پارامترهای ترموالکتریک محاسبهشده نظیر ضریب سیبک و ضریب مریت ZT پتانسیل MoSi₂N₄ برای کاربرد در فناوریهای انرژی حرارتی–الکتریکی را برجسته میکنند. این یافتهها MoSi₂N₄ را بهعنوان یک مادهی دوبعدی چندمنظوره با قابلیتهای بالقوه در نانوالکترونیک، اپتوالکترونیک و انرژی معرفی میکنند.
اصغر قادری؛ آرش بوچانی؛ علیرضا هژبری؛ فاطمه حاج اکبری
چکیده
بر اساس محاسبات تئوری تابعی چگالی، خواص الکترونیکی، نوری و ترموالکتریک نانولولههای (8، 0) WSe2 و (8، 0)WSeS بررسی شدهاند. نانولوله (8، 0) WSe2 دارای شکاف انرژی 2/0 الکترون ولت است و این شکاف با افزودن یک اتم Se در آن کاهش مییابد. ساختار نوار نشان میدهد که نانولوله (8، 0) WSe2 نیمه هادی نوع p و ترکیب (8، 0)WSeS از نوع n است. بخش موهومی تابع دیالکتریک ...
بیشتر
بر اساس محاسبات تئوری تابعی چگالی، خواص الکترونیکی، نوری و ترموالکتریک نانولولههای (8، 0) WSe2 و (8، 0)WSeS بررسی شدهاند. نانولوله (8، 0) WSe2 دارای شکاف انرژی 2/0 الکترون ولت است و این شکاف با افزودن یک اتم Se در آن کاهش مییابد. ساختار نوار نشان میدهد که نانولوله (8، 0) WSe2 نیمه هادی نوع p و ترکیب (8، 0)WSeS از نوع n است. بخش موهومی تابع دیالکتریک نشان میدهد که این دو ساختار در ناحیه مادون قرمز پاسخ اصلی به نور دارند و دارای شکافهای نوری کوچکی هستند، در حالی که توابع اتلاف انرژی نوری کمترین مقدار را در این ناحیه انرژی دارند. در دمای 200 کلوین، رقم ضریب مریت نانولوله (8، 0)WSeS بزرگتر از (8، 0) WSe2 است، اما در دماهای بالا ضریب توان نانولوله (8، 0) WSe2 بیشتر است، که نشان میدهد این مورد برای ژنراتورهای برق مناسب است.
نرگس نقدیانی؛ امیر عباس صبوری دودران
چکیده
فسفرین به عنوان یک بلور ناهمسانگرد توجه بسیاری را به خود جلب کرده است. از آنجا که ناهمسانگردی بلور به ویژگیهای ناهمسانگرد و کاربردهای وسیعی می انجامد، ما نیز برآن شدیم که ویژگی های گرمایی این ماده را مورد بررسی قرار دهیم. در این مقاله ساختار نواری و طیف فونونی بلور تک لایه محاسبه شده و سپس با استفاده از روش دینامیک مولکولی، چگالی ...
بیشتر
فسفرین به عنوان یک بلور ناهمسانگرد توجه بسیاری را به خود جلب کرده است. از آنجا که ناهمسانگردی بلور به ویژگیهای ناهمسانگرد و کاربردهای وسیعی می انجامد، ما نیز برآن شدیم که ویژگی های گرمایی این ماده را مورد بررسی قرار دهیم. در این مقاله ساختار نواری و طیف فونونی بلور تک لایه محاسبه شده و سپس با استفاده از روش دینامیک مولکولی، چگالی انرژی طیفی بدست آمده است. رسانندگی گرمایی فسفرین برای شاخه های مختلف فونونی بصورت مجزا محاسبه شده که نشان میدهد در راستای زیگزاگ شاخه LA و در راستای آرمچیر هر دو شاخه LA و TA نقش بسیار مهمی در رسانندگی گرمایی دارند. در بین شاخه های اپتیکی نیز B1g بیشترین تاثیر را در رسانندگی در هر دو راستا دارند. از سوی دیگر رسانندگی گرمایی الکترونی نیز مورد محاسبه قرار گرفته و این ماده بعنوان یک ترموالکتریک خوب به صنعت معرفی میگردد.