مریم اسرافیلیان؛ نادیا سلامی؛ علی اصغر شکری
چکیده
در این مطالعه خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی بر مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در سه ترکیب با دو نانونوار یکسان مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در لایه بالا و پایین و همچنین ساختاری با دو لایه متفاوت یکی مولیبدن دی‌سولفاید و دیگری تنگستن دی‌تلوراید بررسی می‌کنیم. این خواص شامل ضریب رسانش الکتریکی (G)، رسانندگی ...
بیشتر
در این مطالعه خواص ترموالکتریکی سیستم مبتنی بر مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در سه ترکیب با دو نانونوار یکسان مولیبدن دی‌سولفاید و تنگستن دی‌تلوراید را در لایه بالا و پایین و همچنین ساختاری با دو لایه متفاوت یکی مولیبدن دی‌سولفاید و دیگری تنگستن دی‌تلوراید بررسی می‌کنیم. این خواص شامل ضریب رسانش الکتریکی (G)، رسانندگی گرمایی (κe)، ضریب سیبک یا توان ترموالکتریکی (S) و ضریب بهینگی (ZTe) هستند که برای طراحی ادوات ترموالکترونیکی مناسب هستند. اثر نوع ترکیبات ساختارهای ناهمگون دو بعدی و دما روی خواص ترمودینامیکی بررسی شد. نتایج نشان میدهند، پیکربندی مولیبیدن دی‌سولفاید/ تنگستن دی‌تلوراید با ساختار لبه آرمچیر مطلوبترین خواص ترموالکتریکی را دارد. نتایج این مقاله میتواند در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر لایههای دو بعدی مفید باشد
اکبر خلج؛ علی اصغر شکری؛ نادیا سلامی
چکیده
در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه میشود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیمبینهایت فلزی در نظر میگیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب ...
بیشتر
در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه میشود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیمبینهایت فلزی در نظر میگیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب تقریب بستگی قوی، ضریب عبوردهی الکترون را در رهیافت تابع گرین در غلظتهای مختلف Al و طولهای متفاوت سیم کوانتمی ناحیه میانی به دست میآوریم. برای مطالعه اثر الکترون- فونون، یک نیروی واداشته تابع مکان و زمان را به هر اتم در یک زنجیرهی خطی در تقریب هماهنگ در نظر میگیریم. جابجایی هر اتم در انرژی پرش آن با همسایهها موثر است. نتایج محاسباتی این مقاله میتواند به درک ما از برهمکنش الکترون- فونون و تاثیر آن در خواص ترابرد الکتریکی کمک کند.