صبا حسنلو؛ محمد کریمی؛ آرش فیروزنیا
چکیده
در سالهای اخیر، لایه نازک CdTe بعنوان لایهی جاذب در سلولهای خورشیدی که دارای بازده بالایی هستند، بطور وسیع استفاده میشود. در این کار با نوشتن برنامه های کامپیوتری لازم برای محاسبه عددی معادلات ترابردی حاکم بر سلولهای خورشیدی نامتجانس چند لایه، در محیط نرم افزار Maple ، عملکرد سلول خورشیدی بر پایه CdTe شبیه سازی و مورد مطالعه قرار ...
بیشتر
در سالهای اخیر، لایه نازک CdTe بعنوان لایهی جاذب در سلولهای خورشیدی که دارای بازده بالایی هستند، بطور وسیع استفاده میشود. در این کار با نوشتن برنامه های کامپیوتری لازم برای محاسبه عددی معادلات ترابردی حاکم بر سلولهای خورشیدی نامتجانس چند لایه، در محیط نرم افزار Maple ، عملکرد سلول خورشیدی بر پایه CdTe شبیه سازی و مورد مطالعه قرار گرفته است. در ابتدا پارامترهای عملکردی ساختار FTO/i-SnO2/CdS/CdTe/Cu2O به عنوان سلول مرجع محاسبه گردیده و سپس با تغییرتراکم اتم های ناخالصی پذیرنده و ثابت نگه داشتن سایر پارامترهای ساختاری سلول، تعداد لایه های جاذب را از یک به دو، چهار و هشت افزایش داده و تأثیر آن را روی پارامترهای عملکردی از جمله بازده سلول، محاسبه و بررسی نمودهایم. نتایج حاصل، نشان میدهند بازده سلول خورشیدی با هشت لایهی جاذب، نسبت به سلول خورشیدی دارای یک لایه جاذب، 13.35درصد افزایش یافته است.
سیمین مهنیا؛ آرش فیروزنیا
چکیده
در این مقاله، یک سیستم گرافینی متصل به دو کانال نیمه بینهایت را مدل سازی کرده و مورد مطالعه قرار دادهایم. نور (با قطبش های خطی و دایروی) بطور عمودی به سیستم میتابد. با فرض وجود جفت شدگیِ قابل تنظیمِ اسپین مدار راشبا، ناشی از حضور ولتاژ گیت، ترابرد الکترونی و اسپینی در سیستم مورد بررسی قرار گرفت. برای محاسبات ترابرد کوانتومی از ...
بیشتر
در این مقاله، یک سیستم گرافینی متصل به دو کانال نیمه بینهایت را مدل سازی کرده و مورد مطالعه قرار دادهایم. نور (با قطبش های خطی و دایروی) بطور عمودی به سیستم میتابد. با فرض وجود جفت شدگیِ قابل تنظیمِ اسپین مدار راشبا، ناشی از حضور ولتاژ گیت، ترابرد الکترونی و اسپینی در سیستم مورد بررسی قرار گرفت. برای محاسبات ترابرد کوانتومی از رهیافت تابع گرین غیرتعادلی و مدل تنگ بست استفاده شده است. با توجه به نتایج، مشاهده شد که پاسخ اسپینی برای نور با قطبش خطی در راستاهای X و Y متفاوت است در حالیکه دو قطبش دایروی راستگرد و چپگرد در تولید قطبش اسپینی رفتاری کاملا منطبق بر هم دارند. همچنین مشاهده شد، در بایاس صفر، مقدار جریان الکتریکی ایجاد شده توسط نور کم بوده و قطبش اسپینی مقداری قابل ملاحظه دارد. نابرابری جریان اسپینی ایجاد شده در سیستم، با افزایش برهمکنش اسپین-مدار راشبا افزایش پیدا میکند. با توجه به علامت متفاوت جریان اسپینی برای قطبشهای خطی نور در راستای X و Y میتوان از آن بهعنوان آشکارساز اسپینی قطبش نور خطی استفاده کرد. همچنین مشاهده شد، برهمکنش راشبا تاثیر قابل ملاحظهای بر روی جریان الکتریکی تولید شده توسط نور، ندارد. در بایاس صفر نور میتواند جریان الکتریکی ضعیفی تولید نماید که جهت این جریان کاملا به قطبش نور فرودی بستگی دارد.