نوع مقاله : پژوهشی

نویسندگان

• محمود مرادی ¹
• رشید کیطان محمد الشلوحی ²
• غلامحسین بردبار ³

¹ بازنشسته هیات علمی دانشگاه شیراز

² دانشجوی دکترای فیزیک دانشگاه شیراز

³ استاد بخش فیزیک دانشگاه شیراز

چکیده

چکیده

سزیم قلع کلرید CsSnCl3)) ماده‌ایی جذاب برای جذب نور در سلول‌های خورشیدی پروسکایتیِ عاری از سرب است؛ با این حال، پتانسیل عملکردی آن هنوز به ‌طور کامل محقق نشده، زیرا روش‌های ساخت فعلی منجر به بروز انواع مختلفی از نقص‌ها در قطعه می‌شوند. پژوهش حاضر به بررسی سلول خورشیدی با لایه جاذب پروسکایت CsSnCl3و ساختار لایه‌ایی برای لایه‌های انتقال الکترون (ETL) مثل دولایه ایی ZnO/C60 که اکسید روی به صورت نانو سیم مورد نظر می باشد، و WSe2 به عنوان لایه‌ انتقال حفره(ETM) مورد استفاده قرار گرفته است. این لایه ها در پژوهش های قبلی، تک تک مورد بررسی قرار گرفته و عملکرد مناسب آنها جهت استفاده در سلول های خورشیدی پروسکایتی مورد تایید قرار گرفته است. جهت انجام محاسبات از روش و نرم افزارشبیه سازی SCAPS-1D استفاده می شود. بدین ترتیب محاسبات برای چند لایه ای سلول پروسکایتی ITO/ZnO/C60/CsSnCl3 (600 nm)/WSe2/Au انجام شد. ضخامت، آلایش لایه ها و چگالی عیوب هم برای لایه ها و هم برای مرز مشترک بهینه شدند تا بهترین بازدهی (35/34) برای سلول خورشیدی مورد نظر به دست آمد.

کلیدواژه‌ها

• نانوساختارها
• سلول خورشیدی پروسکایتی
• نانوسیم ZnO
• بازدهی بالا
• فصل مشترک با C60