نوع مقاله : پژوهشی

نویسنده

• محبوبه شهری ناصری

استادیار، گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران

چکیده

نانوالکترونیک شامل مطالعه خواص الکترونیکی و مغناطیسی سیستم‌هایی با ابعاد در محدوده نانو، یعنی زیر 100 نانومتر، است. الکترونیک اسپینی زیرشاخه ی مهمی از نانوالکترونیک را تشکیل می‌دهد. نیمرساناهای آلی بدلیل طول پخش اسپینی خیلی بالا که بنظر می رسد بدلیل جفت شدگی ضعیف اسپین- مدار بوده، ابزاری مناسب برای ترابرد اسپینی می باشند. در این مقاله، مدل ترابرد پخش- نفوذ بمنظور ارزیابی جریان اسپینی در ساختار نیمرسانای آلی / فرومغناطیس مورد مطالعه قرار می گیرد. اثرات رسانندگی مرزی وابسته به اسپین و دما روی جریان اسپینی در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. آنچه ملاحظه شده این است که میدان های الکتریکی و مغناطیسی جریان اسپینی را بطور چشمگیری افزایش می دهند.

کلیدواژه‌ها

• ترابرد وابسته به اسپین
• ساختارهای نانوالکترونیک
• میدان الکتریکی
• میدان مغناطیسی