نوع مقاله : پژوهشی

نویسندگان

• اصغر قادری ¹
• آرش بوچانی ²
• علیرضا هژبری ¹
• فاطمه حاج اکبری ³

¹ گروه فیزیک واحد کرج، دانشگاه آزاد اسلامی ،کرج،ایران

² گروه فیزیک واحد کرمانشاه،دانشگاه آزاد اسلامی ،کرمانشاه،ایران

³ عضو هیات علمی دانشگاه ازاد اسلامی واحد کرج- گروه فیزیک

چکیده

بر اساس محاسبات تئوری تابعی چگالی، خواص الکترونیکی، نوری و ترموالکتریک نانولوله‌های WSe2(8,0) و WSeS(8,0) مورد بررسی قرار گرفته‌اند. نانولوله WSe2(8,0) دارای شکاف انرژی 0.2eV است و این شکاف با افزودن یک اتم Se در آن کاهش می یابد. ساختار نوار نشان می دهد که نانولوله WSe2(8,0) نیمه هادی نوع p و ترکیب WSeS(8,0) از نوع n است. بخش موهومی تابع دی الکتریک نشان می دهد که این دو ساختار در ناحیه مادون قرمز پاسخ اصلی به نور دارند و دارای شکاف های نوری کوچکی هستند، در حالی که توابع اتلاف انرژی نوری کمترین مقدار را در این ناحیه انرژی دارند. در دمای 200 کلوین، رقم ضریب مریت نانولوله WSeS(8,0) بزرگتر از WSe2(8,0) است، اما در دماهای بالا ضریب توان نانولوله WSe2(8,0) بیشتر است. که نشان می دهد این مورد برای ژنراتورهای برق مناسب است.

کلیدواژه‌ها

• نظریه تابعی چگالی
• الکترونیک
• اپتیک