نوع مقاله : پژوهشی

نویسنده

• ربابه طالب زاده

گروه فیزیک، واحد تبریز، دانشگاه آزاد اسلامی، تبریز، ایران

چکیده

 در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، بطوری که لایه A دی الکتریک ( شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n ) و N تعداد تناوب لایه ها می باشد. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختار مانند فیلتر چندکاناله عمل می کند. طوری که در طیف تراگسیلی این فیلتر N-1 تا پیک تشدیدی تیز شانه-مانند به ازای N>1 ظاهر می شود. همچنین نتایج عددی نشان داد که فرکانس های تشدیدی با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی و چگالی الکترونی می توانند قابل تنظیم شوند به این صورت که افزایش میدان مغناطیسی و چگالی الکترونی به ترتیب منجر به جابجایی قرمز و آبی مدهای تشدیدی می شوند. فیلتر فابری پروی پیشنهادی در مقایسه با فیلترهای معمول چندکاناله مبتنی بر بلورهای فوتونی یک ساختار چند لایه ای بدون نقص می باشد.

کلیدواژه‌ها

• بلور فوتونی
• فابری پرو
• فیلتر
• نیمه هادی