معصومه طالبی؛ علی مختاری
چکیده
ﺩﺭ کار حاضر، با استفاده از محاسبات ابتدابه‌ساکن، پروسکایت‌های دوگانه هالیدی دارای تهی‌جای منظم Cs2TiX6 (X = Cl, Br and I) را شبیه‌سازی کرده‌ایم. خواص ساختاری و الکترونی این پروسکایت‌های بر پایه Ti ، پایداری بالا و گاف نواری مناسبی برای آنها نشان می‌دهد. گاف نواری مستقیمی که محاسبات پیش‌بینی می‌کند، با افزایش شعاع اتمی هالید کاهش می‌یابد ...
بیشتر
ﺩﺭ کار حاضر، با استفاده از محاسبات ابتدابه‌ساکن، پروسکایت‌های دوگانه هالیدی دارای تهی‌جای منظم Cs2TiX6 (X = Cl, Br and I) را شبیه‌سازی کرده‌ایم. خواص ساختاری و الکترونی این پروسکایت‌های بر پایه Ti ، پایداری بالا و گاف نواری مناسبی برای آنها نشان می‌دهد. گاف نواری مستقیمی که محاسبات پیش‌بینی می‌کند، با افزایش شعاع اتمی هالید کاهش می‌یابد و توافق نسبتاً خوبی با مقادیر نظری و تجربی گزارش شده دارد. همچنین با محاسبه طیف جذب، تعدادی از ویژگیهای اپتیکی این مواد موردمطالعه قرار گرفته است که جذب اپتیکی عالی این ترکیبات، بهویژه پروسکایت یدید، را نشان می‌دهد. این خواص باعث میشود که این دسته پروسکایت‌های هالیدی نامزد مناسبی برای کاربردهای فتوولتائیکی باشند