اکبر خلج؛ علی اصغر شکری؛ نادیا سلامی
چکیده
در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه میشود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیمبینهایت فلزی در نظر میگیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب ...
بیشتر
در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه میشود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود را بین دو الکترود نیمبینهایت فلزی در نظر میگیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب تقریب بستگی قوی، ضریب عبوردهی الکترون را در رهیافت تابع گرین در غلظتهای مختلف Al و طولهای متفاوت سیم کوانتمی ناحیه میانی به دست میآوریم. برای مطالعه اثر الکترون- فونون، یک نیروی واداشته تابع مکان و زمان را به هر اتم در یک زنجیرهی خطی در تقریب هماهنگ در نظر میگیریم. جابجایی هر اتم در انرژی پرش آن با همسایهها موثر است. نتایج محاسباتی این مقاله میتواند به درک ما از برهمکنش الکترون- فونون و تاثیر آن در خواص ترابرد الکتریکی کمک کند.
سعید قنبری
چکیده
ما یک شبکه مغناطیسی دائمی سه لایه‌‌‌ای را برای اتمهای فراسرد معرفی می‌کنیم که توسط دو آرایه دو بعدی از بره‌های مربعی مغناطیسی به همراه یک میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی ایجاد میشود. سه آرایه دو بعدی مجزا از میکروتله‌های مغناطیسی، در بالای لایه‌ی بالایی بره‌های مغناطیسی، زیر لایه‌ی پایینی و بین آنها تولید میشود. ما عباراتی ...
بیشتر
ما یک شبکه مغناطیسی دائمی سه لایه‌‌‌ای را برای اتمهای فراسرد معرفی می‌کنیم که توسط دو آرایه دو بعدی از بره‌های مربعی مغناطیسی به همراه یک میدان مغناطیسی یکنواخت خارجی ایجاد میشود. سه آرایه دو بعدی مجزا از میکروتله‌های مغناطیسی، در بالای لایه‌ی بالایی بره‌های مغناطیسی، زیر لایه‌ی پایینی و بین آنها تولید میشود. ما عباراتی تحلیلی برای تعیین مکان کمینههای میدان مغناطیسی غیر صفر و همینطور برای مشخص کردن مقادیر فیزیکی دیگری، مانند اندازه میدان مغناطیسی (B)، خمیدگیها و بسامدهای تله در هر کمینه ارائه می‌کنیم. عبارتهای تحلیلی برای B با نتایج عددی هم-خوانی خوبی دارند. بنابراین، تمام عبارتهای تحلیلی به دستآمده از آنها قابل اعتماد هستند. برخی از کمیتهای فیزیکی مرتبط را می‌توان با استفاده از میدان مغناطیسی یکنواخت کنترل کرد. همچنین، بسامدهای تله بین لایههای مغناطیسی در یک شبکه سه لایه‌‌‌ای، در مقایسه با بسامدهای ایجاد شده توسط یک لایه از آهنرباها در یک شبکه دو لایه‌‌‌ای بالاتر هستند. بنابراین، از دست دادن اتمها کاهش مییابد و محدودسازی بهتری برای آنها فراهم میشود.
فهیمه بهزادی؛ سید محمد قاضی
چکیده
در این مطالعه، خواص الکترونیکی و مغناطیسی فسفرین تک لایه به کمک نظریه تابعی چگالی اسپینی مورد بررسی قرار گرفت. فسفرین تک لایه یک نیمه رسانای ذاتی نوع p است که خاصیت مغناطیسی ندارد. فسفرین کاربردهای بسیاری در ادوات الکترونیکی مانند ترانزیستورها و یا باطری های یونی دارد. اما فسفرین اولیه به دلیل نداشتن خاصیت مغناطیسی، دارای کاربردهای ...
بیشتر
در این مطالعه، خواص الکترونیکی و مغناطیسی فسفرین تک لایه به کمک نظریه تابعی چگالی اسپینی مورد بررسی قرار گرفت. فسفرین تک لایه یک نیمه رسانای ذاتی نوع p است که خاصیت مغناطیسی ندارد. فسفرین کاربردهای بسیاری در ادوات الکترونیکی مانند ترانزیستورها و یا باطری های یونی دارد. اما فسفرین اولیه به دلیل نداشتن خاصیت مغناطیسی، دارای کاربردهای محدود در ادوات اسپینترونیکی است. با اعمال نقص غیرنقطه ای تهی جای اتمها به صورت 6 تایی، نمونه خاصیت مغناطیسی پیدا می کند و این مساله مرتفع می گردد. برای این منظور، ما از یک سلول بزرگ 64 اتمی استفاده می کنیم. بعلاوه با اعمال نقص، گاف انرژی ساختار از 1.50eV به 0.33eV کاهش پیدا می کند و ساختار به نیمه رسانای نوع n تبدیل می گردد. با غیر فعال کردن پیوندهای آزاد نمونه دارای نقص با اتمهای H، گاف انرژی افزایش می یابد و به مقدار 1.73eV می رسد. نوع نیمه رسانای این نمونه، به نوع p بازمی گردد. با مهندسی ساختار می توان نمونه با گاف انرژی و خاصیت مغناطیسی دلخواه را طراحی و در آزمایشگاه جهت کاربرد مورد نظر ساخت.
الناز پوررضا؛ نوشین داداش زاده
چکیده
پلاسمای جفت شده القایی چکیده (ICP) به طور گسترده در کاربردهایی مانند پردازش مواد و ساخت ادوات میکروالکترونیک استفاده می شود. با این حال، خواص الکترومغناطیسی آنها به طور کامل بررسی نشده است. بنابراین، ما شبیه‌سازی‌های المان محدود (2 بعدی)، وابسته به زمان را در این پژوهش انجام دادیم. نمودارهای میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما را برای ...
بیشتر
پلاسمای جفت شده القایی چکیده (ICP) به طور گسترده در کاربردهایی مانند پردازش مواد و ساخت ادوات میکروالکترونیک استفاده می شود. با این حال، خواص الکترومغناطیسی آنها به طور کامل بررسی نشده است. بنابراین، ما شبیه‌سازی‌های المان محدود (2 بعدی)، وابسته به زمان را در این پژوهش انجام دادیم. نمودارهای میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما را برای گاز آرگون با اعمال توان متغیر 750 وات، 950 وات، 1100 وات و 1200وات انجام دادهایم. در یک مطالعه مقایسه ای، اثر تغییر توان ورودی بر پارامترهای پلاسما بررسی شد و نتایج مربوطه نشان داده شد. نشان داده شد که با افزایش توان، چگالی الکترون و دما در محفظه کار افزایش می یابد. در ادامه، با توان ثابت 1200 وات به عنوان یک توان بهینه شده، تأثیر جابجایی موقعیت سیم پیچها و کاهش ضخامت لایه دی الکتریک بر شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون و دما بررسی شد و نشان دادیم که با تغییر مکان سیم پیچها، شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون و دمای راکتور تغییری نمی کند.اما با کاهش ضخامت لایه دی الکتریک شار میدان مغناطیسی، چگالی الکترون، و دما به مقدار ناچیزی کاهش می یابد.
محمد جواد ملکی؛ محمد سروش؛ غلامرضا اکبری زاده
چکیده
در این پژوهش، با طراحی یک موج بر پلاسمونی با محدودکنندگی قوی، یک کلید کوچک الکترواپتیکی طراحی و شبیه سازی می شود. با استفاده از یک برجستگی سیلیکونی در نزدیکی گرافن و تنظیم پتانسیل شیمیایی آن، یک کانال پلاسمونی ایجاد می شود که بسته به مقدار پتانسیل شیمیایی گرافن، گذر سیگنال نوری را کنترل می کند. با اعمال پتانسیل شیمیایی 0/1 و 0/5 الکترونولت، ...
بیشتر
در این پژوهش، با طراحی یک موج بر پلاسمونی با محدودکنندگی قوی، یک کلید کوچک الکترواپتیکی طراحی و شبیه سازی می شود. با استفاده از یک برجستگی سیلیکونی در نزدیکی گرافن و تنظیم پتانسیل شیمیایی آن، یک کانال پلاسمونی ایجاد می شود که بسته به مقدار پتانسیل شیمیایی گرافن، گذر سیگنال نوری را کنترل می کند. با اعمال پتانسیل شیمیایی 0/1 و 0/5 الکترونولت، تلفات کانال به ازای بسامدهای 25 تا 45 تراهرتز از 78/03 تا 0/23 دسی بل بر میکرومتر تغییر می کند. اندازه ساختار برابر 0/057 میکرومتر مربع است که نسبت به ساختارهای مشابه کوچک تر است. اندازه کوچک ساختار یکی از نیازهای اساسی در طراحی مدار مجتمع نوری است. این ویژگی همراه با طول تزویج 218/2 میکرومتر و ضریب شایستگی 1246 نشان می دهد که پلاسمون های سطحی به خوبی در کانال طراحی شده محدود و هدایت می شوند. با توجه به نتایج به دست آمده، کلید پلاسمونی طراحی شده را برای کاربردهای آنالوگ و دیجیتالی مختلف می توان پیشنهاد داد.
سجاد هاشمی عباس آبادی؛ سید یحیی میرافضلی؛ حمیدرضا باغشاهی
چکیده
در ماشین‌های گرمایی کوانتومی با به کار بردن ماده‌کار کوانتومی می‌توان کار تولید کرد. در ماشین اتو کوانتومی اگر اختلاف بین سطوح انرژی در فرآیند بی‌دررو به صورت همسان تغییر کنند بازده این ماشین مشابه بازده همتای کلاسیکی خود است ولی اگر این اختلاف به صورت ناهمسان تغییر نماید بازده بیشتری نسبت به همتای کلاسیکی خود دارد. بعلاوه، با ...
بیشتر
در ماشین‌های گرمایی کوانتومی با به کار بردن ماده‌کار کوانتومی می‌توان کار تولید کرد. در ماشین اتو کوانتومی اگر اختلاف بین سطوح انرژی در فرآیند بی‌دررو به صورت همسان تغییر کنند بازده این ماشین مشابه بازده همتای کلاسیکی خود است ولی اگر این اختلاف به صورت ناهمسان تغییر نماید بازده بیشتری نسبت به همتای کلاسیکی خود دارد. بعلاوه، با استفاده از منبع غیرگرمایی (چلانده گرمایی یا همدوس گرمایی) به جای منبع گرمایی می‌توان بازده و کار بیشتری تولید کرد. در این پژوهش با استفاده از نوسانگر هماهنگ ساده به عنوان ماده‌کار برای ماشین اتو کوانتومی و اضافه کردن سد دلتا به منظور ایجاد اختلافی ناهمسان در سطوح انرژی و همچنین در نظر گرفتن منبع غیرگرمایی، بازده و کار خالص بررسی میشود. نتایج نشان میدهند که استفاده از این ماده‌کار و منبع غیرگرمایی باعث میشود در یک محدوده فرکانسی، بازده و کار خالص بیشتر گردد.