نوع مقاله : پژوهشی

نویسنده

استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور

چکیده

در این مقاله، نانوسیم‌های اکسید روی درون قالب نانوحفره‌ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله‌ای سنتز شدند. ویژگی‌های فیزیکی نانوسیم‌های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف‌سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهد که نانوسیم‌های اکسید روی دارای قطر 66 نانومتر و طول یک تا شش میکرومتر است و طبق طیف‌سنجی‌های انجام شده، نانوسیم‌های اکسید روی دارای ساختار شش گوشی ورتزایت با خلوص بالا هستند. همچنین مقاومت الکتریکی نانوسیم‌ها با دما تغییر می‌کند، به طوری‌که با افزایش دما، جریان عبوری از نانوسیم‌های اکسید روی افزایش یافته، در حالی‌که مقاومت الکتریکی کاهش می‌یابد.

کلیدواژه‌ها

[1] Wan Q, Li QH, Chen YJ, Wang TH, He XL, Li JP, Lin CL. Fabrication and ethanol sensing characteristics of ZnO nanowire gas sensors. Applied Physics Letters. 2004 May 3;84(18):3654-6.
[2] Lee CJ, Lee TJ, Lyu SC, Zhang Y, Ruh H, Lee HJ. Field emission from well-aligned zinc oxide nanowires grown at low temperature. Applied Physics Letters. 2002 Nov 4;81(19):3648-50.
[3] Yang P, Yan H, Mao S, Russo R, Johnson J, Saykally R, Morris N, Pham J, He R, Choi HJ. Controlled growth of ZnO nanowires and their optical properties. Advanced Functional Materials. 2002 May 17;12(5):323.
[4] Soci C, Zhang A, Xiang B, Dayeh SA, Aplin DP, Park J, Bao XY, Lo YH, Wang D. ZnO nanowire UV photodetectors with high internal gain. Nano letters. 2007 Apr 11;7(4):1003-9.
[5] Greene LE, Law M, Tan DH, Montano M, Goldberger J, Somorjai G, Yang P. General route to vertical ZnO nanowire arrays using textured ZnO seeds. NANO letters. 2005 Jul 13;5(7):1231-6.
[6] Hwang DK, Kang SH, Lim JH, Yang EJ, Oh JY, Yang JH, Park SJ. p-ZnO/n-GaN heterostructure ZnO light-emitting diodes. Applied Physics Letters. 2005 May 30;86(22):222101.
[7] Demir HV, Martínez PL, Govorov A. Förster-type Resonance Energy Transfer (FRET): Applications. InUnderstanding and Modeling Förster-type Resonance Energy Transfer (FRET) 2017 (pp. 1-40). Springer Singapore.
[8] Greene LE, Law M, Goldberger J, Kim F, Johnson JC, Zhang Y, Saykally RJ, Yang P. Low‐temperature wafer‐scale production of ZnO nanowire arrays. Angewandte Chemie International Edition. 2003 Jul 7;42(26):3031-4.
[9] Kim TW, Kawazoe T, Yamazaki S, Ohtsu M, Sekiguchi T. Low-temperature orientation-selective growth and ultraviolet emission of single-crystal ZnO nanowires. Applied physics letters. 2004 Apr 26;84(17):3358-60.
[10] Dai L, Chen XL, Wang WJ, Zhou T, Hu BQ. Growth and luminescence characterization of large-scale zinc oxide nanowires. Journal of Physics: Condensed Matter. 2003 Mar 24;15(13):2221.
[11] Zheng M, Li G, Zhang X, Huang S, Lei Y, Zhang L. Fabrication and structural characterization of large-scale uniform SnO2 nanowire array embedded in anodic alumina membrane. Chemistry of materials. 2001 Nov 19;13(11):3859-61.
[12] Masuda H, Fukuda K. Ordered metal nanohole arrays made by a two-step replication of honeycomb structures of anodic alumina. science. 1995 Jun 9;268(5216):1466.
[13] Li Y, Cheng GS, Zhang LD. Fabrication of highly ordered ZnO nanowire arrays in anodic alumina membranes. Journal of Materials Research. 2000 Nov 1;15(11):2305-8.