دانشگاه پیام نور فصلنامه علمی اپتوالکترونیک 2783-1752 4 1 2022 02 20 Magnetic and electronic properties of Pd2S4 monolayer dichalcogenide under doping of atoms adjacent to sulfur atom خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی دی کالکوژنید Pd2S4 تحت دوپینگ اتم های مجاور اتم سولفور 105 111 9096 10.30473/jphys.2022.65181.1121 FA مجتبی غلامی 1. گروه فیزیک،دانشگاه پردیس،دانشگاه گیلان ،رشت،ایران 2. گروه فیزیک،دانشگاه پیام نور،تهران ،ایران حمید رحیم پور سلیمانی گروه فیزیک، دانشگاه گیلان، رشت، ایران Journal Article 2022 08 22 The magnetic and electronic properties of Pd2S4 monolayer were done through doping nonmetals NM(N,P,As,O,Se,F,Cl,Br) and by using first principal calculations. The results show that nonmetals with an odd number of valence layers motivate magnetization of the structure, while non-metals with an even number in the valence layer do not induce magnetic property in the system. The highest amount of magnetization generated is due to the doping of seventh group atoms and especially the Br atom with a value of 0.81 µB. In the fifth group, from top to bottom (increasing the period), the value of spin-orbital p separation decreases, which corresponds to a decrease in the value of magnetization. While the value of spin-orbital separation P of the atoms of the seventh group increases with the increase of the period, so the value of magnetization of the atom The seventh group increases from the top to the bottom of the periodic table. In the seventh group, in contrast to the fifth group, the magnetization of the first neighboring sulfur atom is higher than that of the doping non-metal atoms. The findings obtained in this work can initiate experimental exploration and expand the application of non-metal doping in spintronic devices. خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی Pd2S4 از طریق دوپینگ غیرفلزات NM(N,P,As,O,Se,F,Cl,Br) و با بکارگیری محاسبات اساسی اولیه انجام شد.نتایج نشان میدهد که غیرفلزاتی که دارای عدد فرد لایه ظرفیت هستند باعث مغناطیسی شدن ساختار می شود در حالی که غیرفلزات دارای عدد زوج در لایه ظرفیت خاصیت مغناطیسی درسیستم القا نمی کند.بیشترین مقدار مغناطش تولیده شده ناشی از دوپینگ اتم های گروه هفتم و بویژه اتم Br با مقدار0.81µB می باشد. در گروه پنجم،از بالا به پایین(افزایش دوره) مقدارجدایی اسپینی اوربیتال pکاهش پیدا می کند که کاهش مقدار مغناطش را به همرا دارد.در حالی که مقدار جدایی اسپینی اوربیتال P اتم های گروه هفتم با افزایش دوره زیاد می شود بنابراین مقدار مغناطش اتم های گروه هفتم از بالا به پایین جدول تناوبی زیاد می شود. در گروه هفتم برعکس گروه پنجم مغناطش اتم سولفور همسایه ی اول از اتم های غیرفلزات دوپینگی بیشتر است. یافته‌های به‌دست‌آمده در این کار می‌تواند اکتشاف آزمایشی را آغاز کند و کاربرد مغناظش غیر فلزات را در ابزارهای اسپینترونیک را گسترش دهد. https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_9096_cadfd508bcec8c8578c7e7b3feece934.pdf