فاطمه کرمی؛ سارا محمدی بیلانکوهی؛ حسین غفوریان
چکیده
خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Ti2ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمام‌هویسلر است که بعد از بررسی‌های به عمل آمده، ساختاری با عنوان نوع a در حالت فرومغناطیس در نظر گرفته شد. این ترکیب برای اولین بار در این مقاله مورد ...
بیشتر
خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمام‌هویسلر Ti2ScGe با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد بررسی و مطالعه قرار گرفت. اولین چیزی که باید مورد بررسی قرار بگیرد ساختار پایدار برای ترکیب تمام‌هویسلر است که بعد از بررسی‌های به عمل آمده، ساختاری با عنوان نوع a در حالت فرومغناطیس در نظر گرفته شد. این ترکیب برای اولین بار در این مقاله مورد مطالعه قرار گرفته است و در شرایط مورد بررسی، به عنوان یک نیمفلز فرومغناطیس با گاف نیمفلزی به اندازه 4/0 الکترونولت شناخته شد. این ترکیب چند فاکتور مورد قبول برای کاربردی بودن در ساخت ابزار اسپینترونیک دارد. از جمله آنها، خاصیت نیمفلزی، دمای کوری بالا در حدود 1086 کلوین، پایدار بودن آن در حالت فرومغناطیس و پیروی از قانون اسلیتر-پایولینگ است. همچنین بررسی خواص اپتیکی نشان داد که ترکیب تمام-هویسلر Ti2ScGeمیتواند به عنوان جاذب امواج نیز مورد مطالعه بیشتر قرار بگیرد.