دوره 6 (1402-1403)
دوره 5 (1401-1402)
دوره 4 (1400-1401)
دوره 3 (1399-1400)
دوره 2 (1396)
دوره 1 (1395)
کلیدواژه‌ها = خواص مغناطیسی
تعداد مقالات: 4
اثر تهی جای اتمهای P به صورت غیر نقطه ای و غیر فعال کردن ساختار فسفرین با اتم های H روی خواص الکترونیکی و مغناطیسی آن
دوره 6، شماره 1 ، آذر 1402، ، صفحه 25-32
چکیده
در این مطالعه، خواص الکترونیکی و مغناطیسی فسفرین تک لایه به کمک نظریه تابعی چگالی اسپینی مورد بررسی قرار گرفت. فسفرین تک لایه یک نیمه رسانای ذاتی نوع p است که خاصیت مغناطیسی ندارد. فسفرین کاربردهای بسیاری در ادوات الکترونیکی مانند ترانزیستورها و یا باطری های یونی دارد. اما فسفرین اولیه به دلیل نداشتن خاصیت مغناطیسی، دارای کاربردهای ... بیشترمطالعۀ ریزساختار و خواص مغناطیسی آلیاژ آمورف Fe-Si-B-Cu با جایگزینی جزئی C به جای B
دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 37-48
چکیده
در تحقیق حاضر تأثیر جایگزینی مقدار جزئی کربن به جای بور بر روی ریزساختار، خواص مغناطیسی و برهمکنش‌های فوق‌ریز شیشه فلزی Fe–Si–B–Cu بررسی شد. به این منظور نمونه‌های نواری با ترکیبات Fe83.3Si4B12Cu0.7 و Fe83.3Si4B11Cu0.7C1 با استفاده از تکنیک مذاب‌ریسی تهیه شد. سپس آزمون‌های تجربی پراش پرتو ایکس، گرماسنجی روبشی تفاضلی، آنالیز حرارتی افتراقی ... بیشترالقای مغناطیسی قابل تنظیم تک لایۀ 1T-NiTe2 از طریق الایش اتمی فلزات واسطه V ،Cr ،Mn و Fe
دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 65-72
چکیده
القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیل‌های بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی می‌باشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1T-NiTe2 پرداخته شد.نتایج نشان می‌دهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی می‌کند. بیشترین ... بیشترمطالعۀ ساختار الکترونی و ویژگی‌های مغناطیسی ترکیب هسلر Co2TaGa
دوره 3، شماره 2 ، شهریور 1400، ، صفحه 19-26