مهرآسا آیت اللهی؛ مریم روزبهی
چکیده
چکیدهدر این پژوهش به بررسی موضوع پایداری در سیستم‌های نوسانگر هارمونیک می‌پردازیم. بدین منظور معادله دیفرانسیل توصیف‌کننده نوسانگر را با استفاده از متغیرهای مناسب به مدل فضای حالت تبدیل می‌کنیم تا امکان استفاده از روابط جبری ماتریسی به منظور طراحی یک کنترل‌کننده پایدارساز برای سیستم مورد مطالعه فراهم شود. در مدل فضای حالت می‌توانیم ...
بیشتر
چکیدهدر این پژوهش به بررسی موضوع پایداری در سیستم‌های نوسانگر هارمونیک می‌پردازیم. بدین منظور معادله دیفرانسیل توصیف‌کننده نوسانگر را با استفاده از متغیرهای مناسب به مدل فضای حالت تبدیل می‌کنیم تا امکان استفاده از روابط جبری ماتریسی به منظور طراحی یک کنترل‌کننده پایدارساز برای سیستم مورد مطالعه فراهم شود. در مدل فضای حالت می‌توانیم با به کار بردن ماتریسهای حالت و تکنیک تخصیص مقادیر ویژه، یک قانون کنترل مبتنی بر فیدبک حالت طراحی کنیم. پارامترهای این کنترل‌کننده به گونهای تنظیم می‌شوند که مقادیر ویژه سیستم حلقه بسته (که تعیینکننده پایداری هستند) در موقعیتهای مطلوبی از صفحه مختلط قرار گیرند تا در نهایت منجر به پایداری سیستم شود.
ناصر جهان بخشی زاده؛ محمود برهانی زرندی؛ بیتا نخعی؛ میلاد ثانی
چکیده
در این پژوهش تاثیر درمان لایه پروسکایت CH3NH3PbI3 با ضد حلال کلروبنزن در زمان‌های مختلف بر خواص ساختاری، پایداری و عملکرد فوتوولتائیک سلول خورشیدی پروسکایتی مزوپورس مورد بررسی و تحلیل قرار گرفت. بدین منظور و با استفاده از مشخصه‌یابی پراش پرتو ایکس (XRD)، زاویه تماس قطره آب و نمودار جریان-ولتاژ، پارامترهای ساختاری لایه پروسکایت شامل چگالی ...
بیشتر
در این پژوهش تاثیر درمان لایه پروسکایت CH3NH3PbI3 با ضد حلال کلروبنزن در زمان‌های مختلف بر خواص ساختاری، پایداری و عملکرد فوتوولتائیک سلول خورشیدی پروسکایتی مزوپورس مورد بررسی و تحلیل قرار گرفت. بدین منظور و با استفاده از مشخصه‌یابی پراش پرتو ایکس (XRD)، زاویه تماس قطره آب و نمودار جریان-ولتاژ، پارامترهای ساختاری لایه پروسکایت شامل چگالی نابجایی، اندازه بلورک، میکرو کرنش، ثابت‌های شبکه بلور و حجم سلول واحد شبکه و همچنین پارامترهای عملکردی سلول خورشیدی پروسکایتی شامل چگالی جریان، ولتاژ مدار باز، فاکتور پرشدگی، بازدهی و پایداری محیطی مورد بررسی قرار گرفت. مشخص شد که پارامترهای اندازه بلورک، چگالی نابجایی، میکرو کرنش و حجم سلول واحد شبکه برای نمونه‌ای که ضدحلال کلروبنزن در 10 ثانیه بعد از شروع فرایند لایه‌نشانی اعمال شده است به ترتیب nm 56.71، 10-4 × 3.11، 10-3 × 3.13 و A˚3 1016.5744 است که در مقایسه با مقدار همین پارامترها برای لایه پروسکایتی که ضدحلال در زمان‌های 7 و 13 ثانیه بعد از شروع لایه‌نشانی اعمال شده است، نشان دهنده نقص‌های شبکه‌ای کمتر و بلورینگی بیشتر بود. همچنین سلول خورشیدی پروسکایتی مربوط به نمونه اعمال ضد حلال 10 ثانیه بعد از شروع لایه نشانی بازدهی 10.21% را نشان داد که بعد از 720 ساعت 83% از بازدهی خود را حفظ کرد. نتایج این پژوهش می‌تواند در ساخت سلول‌های خورشیدی پروسکایتی کارامد و پایدار مورد استفاده قرار گیرد
سمانه سادات احمدی؛ سید علی هاشمی زاده عقدا
چکیده
در سال‌های اخیر، سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، گسترش سریع و بی‌نظیری را پشت سر گذاشته‌اند. از بین سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، سلول‌های خورشیدی پروسکایتی هالید فلزی به عنوان یکی از نوآوری‌های اخیر در حوزه انرژی تجدیدپذیر شناخته می‌شوند. این سلول‌ها به دلیل کارایی بالا، بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. یکی از مزایای اصلی این سلول‌ها، ...
بیشتر
در سال‌های اخیر، سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، گسترش سریع و بی‌نظیری را پشت سر گذاشته‌اند. از بین سلول‌های خورشیدی پروسکایتی، سلول‌های خورشیدی پروسکایتی هالید فلزی به عنوان یکی از نوآوری‌های اخیر در حوزه انرژی تجدیدپذیر شناخته می‌شوند. این سلول‌ها به دلیل کارایی بالا، بسیار مورد توجه قرار گرفته‌اند. یکی از مزایای اصلی این سلول‌ها، سهولت در تولید و امکان بهینه‌سازی خواص الکترونیکی آن‌هاست. همچنین، توانایی آنها در جذب نور در طول موج‌های مختلف، می‌تواند به افزایش کارایی تبدیل انرژی منجر شود. با این حال، چالش‌هایی نظیر پایداری و عدم عمر طولانی‌مدت همچنان وجود دارد که نیاز به تحقیقات بیشتری دارد. از آنجا که بازده سلول‌های خورشیدی پروسکایتی هالید فلزی با تغییر در شکاف نواری و ابعاد ساختار می‌تواند به طور قابل توجهی افزایش یابد، در این مقاله، با تغییر در ابعاد پروسکایت هالید فلز که در ساختار تمامی آنها سرب و ید وجود دارد، شکاف نواری را با استفاده از بسته نرم‌افزاری کوانتوم اسپرسو محاسبه و کاربرد هریک از پروسکایتها را در چهاربعد (صفر،یک، دو و سه) بررسی کرده و به چالش‌ها و جهت‌گیری‌های توسعه آتی مواد پروسکایتی با ابعاد مختلف در زمینه اپتوالکترونیک پرداخته‌ایم.