فاطمه صمدی؛ نادر قبادی؛ پویان غیاثی
چکیده
در این کار، اثر ناخالصی Fe بر لایه‌های نازک نانوساختار CuSe در طی فرآیند رسوب گذاری مورد بررسی قرار گرفته است. ناخالصی Fe وارد شده در نانوساختار CuSe با غلظت‌های مختلف 01/0، 02/0 و 03/0 مول به روش رسوب گذاری محلول شیمیایی ساده ساخته شده است. با وارد کردن ناخالصی Fe با غلظت‌های مختلف به CuSe باعث ایجاد گذارهای جدیدی مربوط به FeSe در آن می‌شود که گاف ...
بیشتر
در این کار، اثر ناخالصی Fe بر لایه‌های نازک نانوساختار CuSe در طی فرآیند رسوب گذاری مورد بررسی قرار گرفته است. ناخالصی Fe وارد شده در نانوساختار CuSe با غلظت‌های مختلف 01/0، 02/0 و 03/0 مول به روش رسوب گذاری محلول شیمیایی ساده ساخته شده است. با وارد کردن ناخالصی Fe با غلظت‌های مختلف به CuSe باعث ایجاد گذارهای جدیدی مربوط به FeSe در آن می‌شود که گاف نواری متعددی در نمونه میتوان مشاهده نمود. طیف جذبی برای تعیین فاصلهی باند انرژی روش FESEM و EDAX برای آنالیز عنصری استفاده شده است. در بسیاری از نمونهها دو انتقال به دلیل نقش آهن در CuSe وجود دارد بنابراین، انتقالهای نوریدو گاف نواری مربوط به FeSe و CuSe هستند. یک روش واقعی برای تعیین انرژی شکاف نواری بدون در نظر گرفتن مفروضات مربوط به ساختار نیمهرسانا ضروری است که مدل Tauc روشی مناسب برای تعیین فاصله گاف نواری است. همچنین از طیف جذبی نمونهها میتوان انرژی اورباخ را بدون نیاز به تعیین ضریب جذب با توجه به ضخامت لایهها مشخص کرد.