مجتبی غلامی؛ مهدی ابراهیمی سرائی؛ مهلا حسن پور
چکیده
القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیلهای بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی میباشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1T-NiTe2 پرداخته شد.نتایج نشان میدهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی میکند. بیشترین ...
بیشتر
القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیلهای بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی میباشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1T-NiTe2 پرداخته شد.نتایج نشان میدهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی میکند. بیشترین و کمترین مقدار مغناطش القا شده بترتیب مربوط به اتم Cr و اتم Fe میباشد. اتم Cr با اتمهای نیکل مجاور پوشش فرومغناطیس (FM) و با اتمهای تلورید هیبرید انتی فرومغناطیس (AFM) برقرار میکنند. در حالی که اتم Fe با اتمهای نیکل و تلورید مجاور هیبرید انتی فرومغناطیس دارند که باعث میشود مغناطش کمتری در ساختار ایجاد شود.