القای مغناطیسی قابل تنظیم تک لایۀ 1T-NiTe2 از طریق الایش اتمی فلزات واسطه V ،Cr ،Mn و Fe

مجتبی غلامی؛ مهدی ابراهیمی سرائی؛ مهلا حسن پور

دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 65-72

https://doi.org/10.30473/jphys.2022.66307.1131

چکیده
  القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیل‌های بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی می‌باشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1T-NiTe2 پرداخته شد.نتایج نشان می‌دهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی V ،Cr ،Mn و Fe ساختار را مغناطیسی می‌کند. بیشترین ...  بیشتر