شبیه‌سازی دریچه‌های منطقی تمام نوری AND و NOT با استفاده از بلور فوتونی دو بعدی

مریم دشتی درویش زاده؛ تهمینه جلالی

دوره 3، شماره 1 ، اسفند 1399، ، صفحه 89-98

https://doi.org/10.30473/jphys.2021.56514.1097

چکیده
  با طراحی ساختارهای تناوبی بلورهای فوتونی، امواج الکترومغناطیسی را می‌توان در محدوده فرکانسی معینی از سطح آنها منعکس کرد. با استفاده از ویژگی فوق می‌توان امواج الکترومغناطیسی موجود در موجبر طراحی شده را در داخل ساختار شبکه بلوری فوتونی هدایت کرد. یکی از مهم‌ترین کاربردهای بلورهای فوتونی در ساخت دریچه‌های منطقی است. بنابراین در ...  بیشتر

بررسی درهم تنیدگی حالت های چلانده با استفاده از تحلیل تابع ویگنر

سید علی هاشمی زاده عقدا؛ مرضیه عزیزی

دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 89-96

https://doi.org/10.30473/jphys.2023.66742.1134

چکیده
  در این مقاله به بررسی حالت‌های چلانده فوتونی با حالت اولیه مورد نظر می‌پردازیم. بدین منظور ابتدا یک حالت اولیه‌ی خاص دو مد را در نظر می‌گیریم، سپس یک یا دو مد را چلانده می‌کنیم. در ادامه روشی را بر اساس تابع ویگنر برای محاسبه میزان درهم تنیدگی سیستم بیان می-کنیم، ابتدا حالت سیستم را با استفاده از تابع ویگنر در فضای فاز می نویسیم و ...  بیشتر

بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژ نیم-هویسلر PtFeBi و سطوح (001) آن به روش نظریه تابعی چگالی

حامد رضازاده؛ محمد رضا حنطه زاده؛ آرش بوچانی

دوره 3، شماره 2 ، شهریور 1400، ، صفحه 97-104

https://doi.org/10.30473/jphys.2021.62028.1102

چکیده
  با این فرض که آلیاژ نیم هویسلر PtFeBi می‌تواند در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک به کار رود، با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب گرادیان شبه تعمیم یافته (GGA)، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژ نیم- هویسلر PtFeBi در حالت بالک و سطوح (001) و برای پایانش‌های FeBi و PtPt مورد مطالعه قرار گرفت. قطبش اسپینی ...  بیشتر

طراحی و شبیه سازی دروازه منطقی تمام نوری AND با استفاده از بلور فوتونی دو بعدی

مرتضی پیش بینی

دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 97-104

https://doi.org/10.30473/jphys.2023.67031.1135

چکیده
  در این مقاله، دروازه‌‌های منطقی تمام نوری AND با استفاده از بلور‌های فوتونی دو بعدی مورد طراحی و شبیه‌سازی قرار گرفته است. در دروازه تمام نوری AND پیشنهادی، بلور‌های فوتونی در شبکه مربعی با میله‌‌های دی الکتریک در بستر هوا قرار داشته که با نقص شبه "H" شکل به منظور دستیابی به الزامات شبکه‌‌های پرسرعت، طراحی گردیدند. همچنین عملکرد ...  بیشتر

بررسی اثر حضور ناهمگنی پلاتین- استخوان بر میزان دز دریافتی بافت در پروتون‌تراپی با بهره‌گیری از سیستم کالریمتر تداخل‌سنجی تمام‌نگاری: مدل‌سازی

امیرمحمد بیگ زاده؛ هادی اردینی

دوره 5، شماره 1 ، اسفند 1401، ، صفحه 97-108

https://doi.org/10.30473/jphys.2023.68369.1148

چکیده
  این مطالعه چگونگی تأثیر وجود ناهمگنی پلاتین-استخوان بر دز دریافتی بافت در پروتون‌درمانی، با استفاده از یک سیستم کالریمتر تداخل سنجی تمام‌نگاری انجام شد. کالریمترهای تداخل سنجی تمام نگاری ابزارهای موثری هستند که در کاربردهای پرتودرمانی برای اندازه‌گیری تغییرات در دز سپارش شده از پرتوهای یون‌ساز در طول درمان استفاده می‌شوند. ...  بیشتر

تاثیر گرادیان ضخامت خطی بر بلور فوتونی گرافنی تنظیم‌پذیر در ناحیۀ تراهرتز

مرضیه رنجبر؛ علیرضا جنگجو

دوره 3، شماره 1 ، اسفند 1399، ، صفحه 99-109

https://doi.org/10.30473/jphys.2021.62303.1106

چکیده
  با استفاده از روش ماتریس انتقال، خواص اپتیکی دو ساختار بلور فوتونی تنظیم‌پذیر یک بعدی بررسی و با یکدیگر مقایسه شده است. ساختار بلور فوتونی اول شامل لایه‌های متناوب دو دی الکتریک SiO2 و Si است که لایه‌های گرافنی بین لایه‌های دی الکتریک قرار گرفته‌اند. با افزودن پلیمر پلی استایرن به عنوان لایه نقص به ساختار بلور فوتونی، مد نقص در محدودۀ ...  بیشتر

بررسی مدهای نقص در بلور فوتونی سه لایه ای یک بعدی متقارن

مرضیه دادخواه؛ تورج غفاری

دوره 3، شماره 2 ، شهریور 1400، ، صفحه 105-113

https://doi.org/10.30473/jphys.2020.56501.1096

چکیده
  در این مقاله، بلور فوتونی سه لایه ای 1 بعدی (1-DTPC ) با هندسه متقارن را بررسی می‌کنیم. حالت‌های نقص برای قطبش میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی با تغییر طول موج بررسی می‌شوند. در این حالت، دو قله تشدید در نوار گاف فوتونی (PBG ) وجود دارد که مربوط به حالت نقص است. در قطبش میدان الکتریکی عرضی، با افزایش زوایای فرودی، حالت‌های نقص به ...  بیشتر

خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی دی کالکوژنید Pd2S4 تحت دوپینگ اتم های مجاور اتم سولفور

مجتبی غلامی؛ حمید رحیم پور سلیمانی

دوره 4، شماره 1 ، اسفند 1400، ، صفحه 105-111

https://doi.org/10.30473/jphys.2022.65181.1121

چکیده
  خواص مغناطیسی و الکترونی تک لایه ی Pd2S4 از طریق دوپینگ غیرفلزات NM(N,P,As,O,Se,F,Cl,Br) و با بکارگیری محاسبات اساسی اولیه انجام شد.نتایج نشان میدهد که غیرفلزاتی که دارای عدد فرد لایه ظرفیت هستند باعث مغناطیسی شدن ساختار می شود در حالی که غیرفلزات دارای عدد زوج در لایه ظرفیت خاصیت مغناطیسی درسیستم القا نمی کند.بیشترین مقدار مغناطش تولیده شده ناشی ...  بیشتر

بررسی اثر اندازۀ نانوذرات فلزی بر افزایش خواص اپتیکی شیشه‌ها به روش تی- ماتریس

حسین شاهمیرزایی؛ عبدالرسول قرائتی؛ عبدالرضا کمال د ار

دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 105-113

https://doi.org/10.30473/jphys.2023.67295.1136

چکیده
  هدف از این پژوهش ارائۀ روشی برای بررسی اثر سایز نانوذرات فلزی طلا، نقره و مس بر خواص اپتیکی شیشه‌ها است. بدین ترتیب که نانوذرات کروی با کسر حجمی کمتر از 1/0 (به منظور چشم پوشی از برهم کنش بین آنها) در شیشه‌ها توزیع می‌شوند و با استفاده از روش تی- ماتریس ضریب دی‌الکتریک مؤثر آنها به صورت تابعی از اندازه (شعاع) نانوذرات و کسر حجمی آنها در ...  بیشتر

مطالعه خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژهای هویسلر معکوس Ti2ScX (X=Si,Sn): رهیافت نظریه تابعی چگالی

فاطمه کرمی؛ احمد اسدی محمدآبادی

دوره 5، شماره 1 ، اسفند 1401، ، صفحه 109-118

https://doi.org/10.30473/jphys.2023.68454.1149

چکیده
  در این تحقیق، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژهای هویسلر معکوس Ti2ScX (X=Si,Sn) با استفاده از بسته نرم‎افزاری کوانتوم اسپرسو بر پایه نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج حاصل از بررسی خواص الکترونی نشان دادند که هر دو آلیاژ در ثابت شبکه تعادلی خود نیم‎فلز و دارای قطبش اسپینی 100% در اطراف تراز فرمی هستند. مقادیر گاف نیم‎فلزی ...  بیشتر

شناسایی تاثیر پارامترهای فیزیکی مدل جیلز-آترتون بر روی حلقه هیسترزیس به روش اجزاء محدود

مریم روزبهی؛ علی کاظم پور؛ سمیه پیری

دوره 5، شماره 1 ، اسفند 1401، ، صفحه 119-125

https://doi.org/10.30473/jphys.2023.68092.1144

چکیده
  معادلات مدل جایلز- آترتون به طور کسترده‌ای در توصیف حلقه‌های هیسترزیس مواد فرومغناطیس، فروالکتریک و پیزوالکتریک استفاده شده است. مزیت اصلی این مدل ایجاد ارتباط بین حلقه هیسترزیس با پارامترهای فیزیکی مواد مغناطیسی است. در این مطالعه منحنی پسماند مغناطیسی با استفاده از روش المان محدود و توسط کد کامسول ارائه شده است. معادلات مدل جایلز- ...  بیشتر

دو اتم برهم‌کنش دار در پتانسیل تله ای ناهماهنگ دو بعدی

ابراهیم صادقی؛ سید حسین گنجی پور

مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 07 بهمن 1402

https://doi.org/10.30473/jphys.2023.69879.1177

چکیده
  در این پژوهش یک سیستم دو اتمی بوزونی در حضور پتانسیل ناهماهنگ دو بعدی و یک پتانسیل بین اتمی کوتاه برد بطور دقیق بررسی شده است. توابع موج و انرژی قسمت هماهنگ بطور تحلیلی و تاثیر جمله ناهماهنگ پتانسیل بر انرژی به ازای شدت‌ برهم‌کنش‌های مختلف محاسبه شده است. نتایج بدست آمده نشان دهنده رفتارهای متفاوت برای حرکت نسبی و انرژی تصحیحی بر ...  بیشتر

آنالیز و شبیه سازی مقایسه ای یک راکتور سد تخلیه دی الکتریک با استفاده از روش المان محدود

نوشین داداش زاده؛ الناز پوررضا

مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 07 بهمن 1402

https://doi.org/10.30473/jphys.2024.69563.1172

چکیده
  در این مطالعه مقایسه ای، هدف ما طراحی یک راکتور تخلیه سد دی الکتریک (DBD) تحت فشار اتمسفر است. نیاز فعلی مشخص کردن پلاسما و بهینه سازی سیستم پلاسمای طراحی شده در شرایط متغیر است. شبیه سازی تک بعدی وابسته به زمان یک دستگاه DBD، هدایت شده توسط یک ولتاژ RF سینوسی با دامنه 755 کیلو ولت در 52 کیلوهرتز، در گاز آرگون نشان داده شده است. دستگاه DBD با دو ...  بیشتر

بررسی خواص ساختاری و اپتیکی ترکیب نیم‌رسانای کلکوژنیدی Ag2SiS3

مریم عزیزی؛ حمدالله صالحی

مقالات آماده انتشار، پذیرفته شده، انتشار آنلاین از تاریخ 15 اسفند 1402

https://doi.org/10.30473/jphys.2024.70377.1182

چکیده
  چکیده در این کار با استفاده از محاسبات نظری به بررسی خواص ساختاری و اپتیکی مانند ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب و رسانندگی اپتیکی ترکیب کلکوژنیدی Ag2SiS3 که دارای ساختار کریستالی مونوکلینیک می‌باشد، پرداخته می‌شود. در این کار از نظریۀ تابعی چگالی در تقریب LDA با روش شبه‌پتانسیل استفاده شده است که از نمودار چگالی حالت‌ها ...  بیشتر