@article { author = {Rashidian vaziri, MohammadReza and Mostafavi Hoseini, Afzal and Hasheimizadeh Oghada, Ali and Alimoradian, Narges}, title = {Monte Carlo simulation of the Pulsed Laser Deposition Process and Investigation of the Target-to-Substrate Distance Variations on the Characteristics of Thin Films}, journal = {Biquarterly Journal of Optoelectronic}, volume = {1}, number = {3}, pages = {9-16}, year = {2017}, publisher = {Payame Noor University}, issn = {2783-1752}, eissn = {2783-2562}, doi = {}, abstract = {In this paper, Pulsed Laser Deposition (PLD) process at the presence of a background gas was simulated using the Monte Carlo method. Specifically, growth of aluminum metal in xenon background gas at the pressure of 50 mTorr was simulated. Target-to-substrate distances of 10, 15, 20, 25 and 30 mm are used in simulations. Spatial and energy information of the ions in the ablated plasma plume that forms in this method, as well as the sputtered ions from the growing thin film were collected. Thickness profile of the growing thin films was calculated using the spatial information of the transmitted and the sputtered ions. The results showed the possibility of dip formation at the center of the grown thin films with this method and its intensification by decreasing the target-to-substrate distance. The simulation results demonstrated the effective role of the sputtered ions from the growing thin film in the formation of this type of dips.}, keywords = {Thin Films,Pulsed Laser Deposition,Monte Carlo Calculations}, title_fa = {شبیه‌سازی مونت کارلوی فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و بررسی تغییر فاصله هدف تا زیرلایه بر مشخصات لایه‌ها}, abstract_fa = {در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پس‌زمینه به روش مونت کارلو شبیه‌سازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پس‌زمینه و در فشار 50 میلی تور شبیه‌سازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیه‌سازی‌ها مورد استفاده قرار گرفته‌اند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یون‌های پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یون‌های کندوپاش شده از سطح لایه درحال رشد جمع‌آوری شده‌اند. توزیع ضخامتی لایه‌ها با استفاده از اطلاعات یون‌های عبوری و کندوپاش شده از سطح لایه محاسبه شده است. نتایج نشان‌دهندۀ احتمال شکل‌گیری حفره در مرکز لایه‌های درحال رشد به این روش و تشدید آن با کاهش فاصله هدف - زیرلایه است. نتایج شبیه‌سازی بیانگر نقش مؤثر یون‌های کندوپاش شده از سطح لایه در شکل‌گیری این نوع حفره‌ها است. }, keywords_fa = {لایه نشانی,لایه نشانی با لیزر پالسی,محاسبات مونت کارلو}, url = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3818.html}, eprint = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3818_6288062dd00e90ca8f567125a3de96f5.pdf} } @article { author = {Asri, Mehdi and Kamel Jahromi, Iman}, title = {The Dephasing Length Increment in Laser Wake Field Accelerator}, journal = {Biquarterly Journal of Optoelectronic}, volume = {1}, number = {3}, pages = {17-26}, year = {2017}, publisher = {Payame Noor University}, issn = {2783-1752}, eissn = {2783-2562}, doi = {}, abstract = {Solving of laser wakefield equations in the presence of external magnetic field, we observed that the dephasing length and final energy of accelerated electron by wakefield depend on polarization of laser pulse and applying direction of magnetic field. As for the case of applying magnetic field in the opposite direction of right polarized laser pulse propagation, the dephasing length with increment rather than other cases is about 5cm and final energy gained by electron reaches to about .}, keywords = {Dephasing Length,Magnetic field,Laser Wakefield,Electron Acceleration}, title_fa = {افزایش طول دفازه شدن در شتاب‌دهندۀ میدان عقبه لیزری}, abstract_fa = {با حل معادلات تولید میدان عقبه در حضور میدان مغناطیسی خارجی، مشاهده کردیم که طول دفازه شدن و انرژی نهایی الکترون‌های شتاب گرفته به وسیلۀ میدان عقبه به قطبش تپ و راستای اعمال میدان مغناطیسی وابسته است. به طوری‌که برای حالت اعمال میدان مغناطیسی در خلاف جهت انتشار تپ لیزری با قطبش راست‌گرد، طول دفازه شدن با افزایش نسبت به دیگر حالت‌ها حدود پنج سانتی متر می‌شود و انرژی نهایی کسب شده به وسیلۀ الکترون‌ها نیز به حدود  می‌رسد.}, keywords_fa = {طول دفازه شدن,میدان مغناطیسی,میدان عقبه لیزری,شتاب الکترون}, url = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3819.html}, eprint = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3819_54aa14f1a811b2de9ad1d2b97ec68fbd.pdf} } @article { author = {Ghaforyan, Hosein}, title = {Studying Simulation of Effective Parameters on Charge State of Ions in Interaction of High Power Laser with Argon Nano - Cluster}, journal = {Biquarterly Journal of Optoelectronic}, volume = {1}, number = {3}, pages = {27-34}, year = {2017}, publisher = {Payame Noor University}, issn = {2783-1752}, eissn = {2783-2562}, doi = {}, abstract = {In this paper we studied the interaction of femtosecond laser pulse with atomic cluster of Ar. Ionization, heating and expansion of the cluster was the results of this interaction. Following this process, hot and energetic electrons and high charge state of ions were produced. By changing the characteristics of the laser and cluster, it is possible to achieve high efficiency products. Simulation of this work done with the numerical method in Nano plasma model and the evolution of charge state of ions for the various intensity of laser, different pulse shape and different initial ion density are calculated. }, keywords = {Simulation,Laser,Argon Nanocluster}, title_fa = {بررسی شبیه‌سازی پارامتر‌های مؤثر در چگالی حالت‌های یونی در اندرکنش لیزر توان بالا با نانوخوشه‌های آرگون}, abstract_fa = {در این مقاله اندرکنش پالس‌های لیزری فمتوثانیه با خوشه‌های اتمی آرگون بررسی شده است. یونیزاسیون، گرم شدن و انبساط خوشه نتیجه‌ای از این اندرکنش است. به دنبال این فرایند‌ها الکترون‌های داغ و پرانرژی و یون‌های با بار زیاد تولید شده که با تغییر مشخصه‌های لیزر و خوشه دست‌یابی به محصولات با بازدهی بالا امکان‌پذیر است. شبیه‌سازی این کار از طریق روش‌های عددی در مدل نانو پلاسما انجام شده و تحولات حالت‌های یونی خوشه بر حسب شدت‌های لیزری، شکل پالس متفاوت و تغییرات چگالی اتم‌های اولیه خوشه محاسبه شده است.}, keywords_fa = {شبیه‌سازی,لیزر,نانوخوشه‌های آرگون}, url = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3820.html}, eprint = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3820_c1d89f231e34eb6846de54d30659e1e1.pdf} } @article { author = {Eyni, Zahra}, title = {Study of Localized Modes Between Defective Multilayer Structures and Conventional or LH Material}, journal = {Biquarterly Journal of Optoelectronic}, volume = {1}, number = {3}, pages = {35-42}, year = {2017}, publisher = {Payame Noor University}, issn = {2783-1752}, eissn = {2783-2562}, doi = {}, abstract = {In this paper, the TM localized waves produced at the interface of homogeneous media and defective photonic crystals has been studied. The considered homogeneous medium can be a left-handed or a conventional material. It was found that for the conventional medium, in case of defect in the refractive index of photonic crystal layer, two type's waves as surface and defect localized waves can be created. Where, for the case of LH medium, only defect waves can be formed. Moreover dependence of ATR spectrum of the TM localized waves on the defect position and refractive index of defective layer has been discussed.}, keywords = {Photonic crystals,Surface Waves,metamaterials}, title_fa = {مدهای جای‌گزیده TM در فصل مشترک ساختارهای تناوبی دارای نقص ضریب شکست و محیط همگن معمولی و متاماده}, abstract_fa = {در این مقاله امواج جای‌گزیده TM ایجاد شده در فصل مشترک میان ساختارهای تناوبی دارای نقص ضریب شکست و محیط همگن اعم از معمولی و متاماده بر اساس طیف ATR بررسی و نشان داده شده است در حالتی که محیط همگن هوا باشد، دو دره در طیف ATR ایجاد می‌شود که یکی نشانگر مد سطحی و دیگری مد جای‌گزیده نقص است. همچنین پیدایش این مدها هم به میزان تغییرات ضریب شکست لایۀ نقص بستگی دارد همین‌طور نشان داده شده است در حالتی‌که فصل مشترک ساختار تناوبی متاماده قرار بگیرد، فقط امکان تشکیل مد جای‌گزیده نقص وجود دارد. علاوه بر این وقتی متاماده به عنوان نقص در ساختار تناوبی قرار بگیرد، فقط یک دره در طیف ATR ایجاد می‌شود که بسته به مقدار تغییر ضریب شکست، یا مد سطحی و یا مد جای‌گزیده نقص خواهیم داشت.}, keywords_fa = {بلور فوتونی,امواج سطحی,متاماده}, url = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3821.html}, eprint = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3821_8baace2b694d52ad2e40325e13ec5e7c.pdf} } @article { author = {Salmani, reza and Navid, Ali}, title = {Control of molecular alignment and orientation by Two-color laser pulse}, journal = {Biquarterly Journal of Optoelectronic}, volume = {1}, number = {3}, pages = {43-50}, year = {2017}, publisher = {Payame Noor University}, issn = {2783-1752}, eissn = {2783-2562}, doi = {}, abstract = {In this paper, we present an effective scheme to control molecular alignment and orientation by interaction of molecule with Two-color femtosecond laser pulse. For this purpose, we use numerical solution of the time - dependent Schrodinger equation for a linear molecule of carbon monoxide to achieve the control of Molecular Alignment and Orientation. Afterward, by using the Genetic algorithm, optimization on parameters of laser pulse take place. A suitable cost function was introduced in Genetic algorithm and showed that we can improve the intended control in this approach.}, keywords = {Two-color Laser,Molecular Alignment,Genetic Algorithm}, title_fa = {کنترل امتداد و جهت‌مندی مولکولی به وسیلۀ پالس لیزر دورنگی}, abstract_fa = {در این مقاله روش مؤثری را برای کنترل امتداد و جهت‌مندی مولکولی، به وسیلۀ برهم کنش مولکول با پالس لیزر دورنگی فمتوثانیه، ارائه می‌دهیم. بدین منظور، با استفاده از حل عددی معادله شرودینگر وابسته به زمان برای مولکول خطی مونوکسید کربن به رابطه‌ای برای کنترل امتداد و جهت‌مندی مولکولی می‌رسیم. سپس با استفاده از الگوریتم ژنتیک، بر روی پارامترهای پالس لیزری بهینه‌سازی صورت می‌گیرد. تابع ارزش مناسبی در الگوریتم ژنتیک معرفی و نشان داده می‌شود که می‌توان از این طریق کنترل مورد نظر را بهبود بخشید.}, keywords_fa = {لیزر دو رنگی,جهت‌مندی مولکولی,الگوریتم ژنتیک}, url = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3822.html}, eprint = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3822_ce3c0cd19fff48374c1ca78fd411640d.pdf} } @article { author = {Sattari, farhad and Mirershadi, Soghra and Shokri, AmirMasoud and Mohammadi Sari Dargh4, Mahmoud}, title = {The Effect of the Halogen Atoms on the Tuning the Band Gap in the Perovskite Structurese}, journal = {Biquarterly Journal of Optoelectronic}, volume = {1}, number = {3}, pages = {51-58}, year = {2017}, publisher = {Payame Noor University}, issn = {2783-1752}, eissn = {2783-2562}, doi = {}, abstract = {According to the recent remarkable developments of lead halide perovskite solar cells, investigation of the optical and electronical properties of perovskite structures seems necessary. In this paper, firstly Organic–inorganic CH3NH3PbX3 perovskite hybrids with X= Cl, Br and I were prepared by solution chemistry method. The effect of halogen atom on the electronical properties in this structure was studied experimentally. Our study concludes that the band gap energy can be tuned by varying the halogen atoms. Thus we believe that our studies will be beneficial for the fabrication of electronic and optical devises.}, keywords = {Organic - Inorganic Hybrid,Band Gap Energy,Photoluminescence}, title_fa = {بررسی اثر نوع هالوژن بر تغییرگاف انرژی در ساختارهای پروسکایتی}, abstract_fa = {با توجه به اهمیت به کارگیری ساختارهای پروسکایتی در نسل جدید سلول‌های خورشیدی، مطالعه بر روی خواص الکترونیکی و اپتیکی این ساختارها ضروری به نظر می‌رسد؛ بنابراین در این مقاله ابتدا ساختار پروسکایتی آلی - معدنی CH3NH3PbX3 با هالوژن‌های مختلف Cl و Br ،I X= سنتز شده، سپس تأثیر نوع هالوژن در ساختار مذکور بر روی خواص الکترونیکی آنها به طور تجربی مطالعه شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که با تغییر نوع هالوژن، به راحتی گاف انرژی این ساختارها را می‌توان کنترل کرد. از این رو امید می‌رود که بتوان از این ساختارها در ادوات الکترونیکی و اپتیکی بهره برد.}, keywords_fa = {هیبرید آلی - معدنی,گاف انرژی,نورزایی}, url = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3824.html}, eprint = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3824_db2ada4f5db1eb272a81d33b4f9d323c.pdf} } @article { author = {Mojarrad, Zahra and Talebzadeh, Robabeh}, title = {Influence of the Orientation of Optical Axis on the Behavior of Anisotropic Photonic Band Gap}, journal = {Biquarterly Journal of Optoelectronic}, volume = {1}, number = {3}, pages = {59-66}, year = {2017}, publisher = {Payame Noor University}, issn = {2783-1752}, eissn = {2783-2562}, doi = {}, abstract = {In this study, the transmission spectrum of an anisotropic photonic crystal using a transfer matrix method for both of polarization state TE and TM. We showedthat the Bragg gap, so called, anisotropic Bragg gap is created in transmission spectrum due to existence of anisotropic layer in structure. The results showed that the anisotropic Bragg gap strongly anisotropic layer and the optical axis of the incident beam angle dependent. The structure of the study can be considered as reflecting all of the frequencies to be used in some way.}, keywords = {Photonic Crystal,Anisotropic Band Gap,Optical Axis}, title_fa = {تأثیر جهت‌گیری محور اپتیکی بر رفتار گاف باند ناهمسان‌گرد فوتونی}, abstract_fa = {در این مطالعه، طیف تراگسیل یک بلور فوتونی ناهمسان‌گرد یک بعدی با بهره‌گیری از روش ماتریس انتقال برای هر دو حالت قطبش TE و TM مطالعه شده است. نشان دادیم به دلیل وجود لایه ناهمسان‌گرد در ساختار بلور فوتونی مورد مطالعه، گاف براگ موسوم به گاف باند فوتونی ناهمسان‌گرد ایجاد می‌شود. نتایج نشان داد که گاف براگ ناهمسان‌گرد به شدت به جهت محور نوری لایه ناهمسان‌گرد و زاویه پرتوی فرودی وابسته است. ساختار مورد مطالعه می‌تواند به عنوان بازتابندۀ تمام سویه در بعضی از فرکانس‌ها مورد استفاده قرار گیرد.}, keywords_fa = {بلور فوتونی,گاف باند ناهمسان‌گرد,محور اپتیکی}, url = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3825.html}, eprint = {https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_3825_53c2508fcee3c2c3a0c63e88498fb1fc.pdf} }