محمدرضا جلالی؛ حسین صلواتی؛ زهرا ممتاز
چکیده
با توجه به نظریه انعکاس و کاربردهای فراوان آینه، میتوان به آینههایی با پوششهای لایه نازک، فلز- دی الکتریک دست یافت؛ از این رو در این مقاله با در نظر گرفتن رهیافت بالا و با استفاده از مواد جدید، آینهای با حداکثر بازتاب نزدیک به 100% و با بسترهای از جنس فلز آلومینیوم ساخته شد. آینۀ فلزی ساخته شده یک انعکاس دهندۀ بسیار خوب در بازه ...
بیشتر
با توجه به نظریه انعکاس و کاربردهای فراوان آینه، میتوان به آینههایی با پوششهای لایه نازک، فلز- دی الکتریک دست یافت؛ از این رو در این مقاله با در نظر گرفتن رهیافت بالا و با استفاده از مواد جدید، آینهای با حداکثر بازتاب نزدیک به 100% و با بسترهای از جنس فلز آلومینیوم ساخته شد. آینۀ فلزی ساخته شده یک انعکاس دهندۀ بسیار خوب در بازه طول موجی 3 تا 5 میکرومتر است. لایه واسط مطلوب برای لایه نشانی بخار فلزات، اکسید آلومینیم است که پایداری بالاتری نسبت به بقیه مواد لایه واسط دارد. پس از بهینهسازی شرایط انباشت و محاسبه تعداد و ضخامت لایههای نازک و لایۀ واسط، مجموعه برآیندی به روش فیزیکی بخار فلزات (PVD) لایه نشانی و ضخامت همۀ لایهها به روش اپتیکی اندازهگیری میشود. با انجام آزمونهای کیفی و بررسی طیف انعکاسی، دوام و پایداری مجموعه بررسی میشود. آینه آلومینیومی حاصل در ناحیه فروسرخ، انعکاسی بالاتر از 99% دارد.
محمدرضا رشیدیان وزیری؛ افضل مصطفوی حسینی؛ علی هاشمیزاده عقدا؛ نرگس علیمرادیان
دوره 1، شماره 3 ، اسفند 1395، ، صفحه 9-16
چکیده
در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پسزمینه به روش مونت کارلو شبیهسازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پسزمینه و در فشار 50 میلی تور شبیهسازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیهسازیها مورد استفاده قرار گرفتهاند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یونهای ...
بیشتر
در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پسزمینه به روش مونت کارلو شبیهسازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پسزمینه و در فشار 50 میلی تور شبیهسازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیهسازیها مورد استفاده قرار گرفتهاند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یونهای پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یونهای کندوپاش شده از سطح لایه درحال رشد جمعآوری شدهاند. توزیع ضخامتی لایهها با استفاده از اطلاعات یونهای عبوری و کندوپاش شده از سطح لایه محاسبه شده است. نتایج نشاندهندۀ احتمال شکلگیری حفره در مرکز لایههای درحال رشد به این روش و تشدید آن با کاهش فاصله هدف - زیرلایه است. نتایج شبیهسازی بیانگر نقش مؤثر یونهای کندوپاش شده از سطح لایه در شکلگیری این نوع حفرهها است.