تهیه مگنتایت (Fe3O4) با نسبت نااستوکیومتری و تأثیر آن در بیناب رامان در حضور میدان مغناطیسی

مرجانه جعفری فشارکی؛ محدثه رضایی

دوره 4، شماره 2 ، شهریور 1401، ، صفحه 27-36

https://doi.org/10.30473/jphys.2022.65756.1123

چکیده
  نانوذرات Fe3O4 به روش هم‌رسوبی با نسبت استوکیومتری و نااستوکیومتری در اتمسفر هوا و دمای C ° 78 ساخته شد. بررسی ساختاری نمونه‌ها توسط الگوی پراش پرتو ایکس (XRD) انجام شد. خواص مغناطیسی نانو ذرات با استفاده از دستگاه مغناطش سنج شیب نیروی متناوب (AGFM) و ترازوی فارادی بررسی شد. الگوی XRD حاکی از تک فاز بودن نمونه‌ها و تشکیل فاز مکعبی اسپینل مگنتایت ...  بیشتر

محاسبه عددی ترازهای انرژی و احتمال گذار بین ترازها در نقطه و پاد نقطه کوانتومی در حضور میدان مغناطیسی

تورج غفاری؛ فاطمه رحیمی

دوره 4، شماره 1 ، اسفند 1400، ، صفحه 95-104

https://doi.org/10.30473/jphys.2022.61456.1101

چکیده
  در این تحقیق به بررسی تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی در نقطه کوانتومی  و پادنقطه کوانتومی  می‌پردازیم. محاسبات عددی که با استفاده از روش تفاضل محدود انجام گرفته است، نشان می‌دهند که تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی نقطه و پادنقطه کوانتومی کاملاً متفاوت است. همچنین در ادامه با استفاده از سه نوع قطبش خطی ( )، قطبش دایروی ...  بیشتر

تاثیر شعاع و تعداد لایه‌های پادنقطه کوانتومی بر ترازهای انرژی در حضور میدان مغناطیسی

فاطمه رحیمی؛ تورج غفاری؛ هادی خواجه آزاد؛ یعقوب نعیمی

دوره 3، شماره 1 ، اسفند 1399، ، صفحه 73-80

https://doi.org/10.30473/jphys.2021.62029.1103

چکیده
  در این مقاله ابتدا بر اساس نظریه اختلال ویژه مقدارهای انرژی پاد نقطه‌های کوانتومی دو، سه و چهار لایه به دست آورده می‌شوند و سپس با استفاده از محاسبات عددی تأثیرات میدان مغناطیسی، شعاع و تعداد لایه‌های این نانوساختارها را بر تراز‌های انرژی  و  مورد مطالعه قرار می‌دهیم. نتایج این تحقیق نشان می‌دهند که افزایش میدان مغناطیسی، ...  بیشتر

تأثیر میدان مغناطیسی خارجی بر ایجاد تبهگنی ترازهای انرژی در پاد نقطه کوانتومی

مجید ابراهیم زاده؛ مهناز غفاری؛ لادن غفاری

دوره 3، شماره 1 ، اسفند 1399، ، صفحه 81-88

https://doi.org/10.30473/jphys.2021.62213.1105

چکیده
  در این مقاله تأثیر میدان مغناطیسی بر ترازهای انرژی  در پاد نقطه کوانتومی  بررسی می‌شود. بدین منظور ابتدا بر اساس نظریه اختلال و در حضور میدان مغناطیسی خارجی، ویژه مقادیر انرژی  این نانو ساختار به‌ دست آورده می‌شود. سپس بر اساس پیش‌بینی‌های تئوریو همچنین با محاسبات عددی نشان داده خواهد شد که میدان مغناطیسی همیشه باعث از بین ...  بیشتر

بررسی اثر اسپین- مدار و میدان‌های خارجی بر شفافیت القایی الکترومغناطیسی در نقاط کوانتومی مکعبی نامتقارن

معصومه معینی؛ بهروز واثقی

دوره 2، شماره 1 ، شهریور 1396، ، صفحه 27-36

چکیده
  در این مقاله به بررسی شفافیت القایی الکترومغناطیس در یک نقطه کوانتومی مکعبی نامتقارن در حضور اثر اسپین- مدار که تحت تأثیر همزمان میدان‌های ثابت الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد، خواهیم پرداخت. برای بررسی شفافیت القایی الکترومغناطیسی، وابستگی ضرایب جذب و شکست محیط برای یک باریکه جستجوگر لیزری تحت برهمکنش اسپین- مدار، میدان‌های ...  بیشتر

افزایش طول دفازه شدن در شتاب‌دهندۀ میدان عقبه لیزری

مهدی عصری؛ ایمان کامل جهرمی

دوره 1، شماره 3 ، اسفند 1395، ، صفحه 17-26

چکیده
  با حل معادلات تولید میدان عقبه در حضور میدان مغناطیسی خارجی، مشاهده کردیم که طول دفازه شدن و انرژی نهایی الکترون‌های شتاب گرفته به وسیلۀ میدان عقبه به قطبش تپ و راستای اعمال میدان مغناطیسی وابسته است. به طوری‌که برای حالت اعمال میدان مغناطیسی در خلاف جهت انتشار تپ لیزری با قطبش راست‌گرد، طول دفازه شدن با افزایش نسبت به دیگر حالت‌ها ...  بیشتر