مریم دشتی درویش زاده؛ تهمینه جلالی
چکیده
با طراحی ساختارهای تناوبی بلورهای فوتونی، امواج الکترومغناطیسی را می‌توان در محدوده فرکانسی معینی از سطح آنها منعکس کرد. با استفاده از ویژگی فوق می‌توان امواج الکترومغناطیسی موجود در موجبر طراحی شده را در داخل ساختار شبکه بلوری فوتونی هدایت کرد. یکی از مهم‌ترین کاربردهای بلورهای فوتونی در ساخت دریچه‌های منطقی است. بنابراین در ...
بیشتر
با طراحی ساختارهای تناوبی بلورهای فوتونی، امواج الکترومغناطیسی را می‌توان در محدوده فرکانسی معینی از سطح آنها منعکس کرد. با استفاده از ویژگی فوق می‌توان امواج الکترومغناطیسی موجود در موجبر طراحی شده را در داخل ساختار شبکه بلوری فوتونی هدایت کرد. یکی از مهم‌ترین کاربردهای بلورهای فوتونی در ساخت دریچه‌های منطقی است. بنابراین در این مقاله با استفاده از شبیه‌سازی، انتشار امواج الکترومغناطیسی در داخل بلورهای فوتونی دوبعدی بررسی شده و ساختار شکاف نواری و توزیع میدانهای الکتریکی و مغناطیسی در ساختار شبکه بلوری فوتونی محاسبه میشود. نتایج نشان میدهد که با استفاده از ساختار منحصر به فرد بلور فوتونی طراحی شده که دارای نقص در شبکه است، می‌توان عملکرد دریچه‌های منطقی AND و NOT را مشاهده کرد.
تهمینه جلالی؛ محمد رستگار
دوره 2، شماره 2 ، آذر 1396، ، صفحه 57-67
چکیده
پاسخ‌های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی‌لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می‌باشند. آینه‌های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2 و Ta2O5 می‌باشد. ...
بیشتر
پاسخ‌های اپتیکی و مغناطواپتیکی بلورهای مغناطوفوتونی با لایه نقص مغناطیسی که در بین دو آینه براگ دی‌لکتریک احاطه شده است، مورد بررسی قرار گرفته است. این ساختارها دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای کاربرد در ابزارهای مغناطواپتیکی و اپتیک مدارهای مجتمع می‌باشند. آینه‌های براگ، متشکل از ساختارهای چندلایه از مواد SiO2 و Ta2O5 می‌باشد. با معرفی ماده Ce:YIG به عنوان لایه نقص مغناطیسی، افزایش عبور و زاویه دوران فارادی گزارش شده است. با استفاده از روش المان متناهی، توزیع میدان الکتریکی در طول بلورهای مغناطوفوتونی، را شبیه‌سازی کردایم. همچنین اثر ضخامت لایه نقص بر روی زاویه دوران فارادی، مورد بررسی قرار گرفته است. بر اثر جایگزیدگی نور در لایه نقص مغناطیسی و برهمکنش شدید بین نور و ماده در بلورهای مغناطوفوتونی، پاسخ‌های مغناطواپتیکی این ساختارها، در نزدیکی لبههای گاف نواری افزایش یافتهاند. ساختاری با ضخامت اپتیکی نصف طول موج، مناسبترین انتخاب برای کاربردهای عملی می‌باشد.