نرگس انصاری؛ فریناز قربانی؛ انسیه محبی
دوره 2، شماره 2 ، آذر 1396، ، صفحه 51-56
چکیده
لایه‌های دوبعدی دی‌کالکوجنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف‌های نواری مستقیم، افق جدیدی در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواری باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه‌ها در دستگاه‌های فوتوولتاییک می‌شود. قرارگیری این لایه‌ها روی زیرلایه به علت بازتاب‌های متوالی، بر طیف جذب اثر می‌گذارد. به طور متداول، ...
بیشتر
لایه‌های دوبعدی دی‌کالکوجنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف‌های نواری مستقیم، افق جدیدی در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواری باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه‌ها در دستگاه‌های فوتوولتاییک می‌شود. قرارگیری این لایه‌ها روی زیرلایه به علت بازتاب‌های متوالی، بر طیف جذب اثر می‌گذارد. به طور متداول، از SiO2 یاSi و یا ترکیب آنها به عنوان زیرلایه برای این تک لایه‌ها استفاده می‌شود. در این مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف جذب تک لایه‌های TMDC شامل MoSe2، WSe2،MoS2 و WS2 با حضور زیرلایۀ SiO2یاSi و یا دوتایی SiO2/Si با ضخامتهای مختلف لایۀ SiO2 بررسی شد. ضخامت 90 نانومتر لایۀ SiO2 در زیرلایۀ دوتایی به عنوان ضخامت بهینه انتخاب شد؛ چرا که روند کلی جذب را تغییر نمیدهد و باعث افزایش جذب در بعضی نواحی طول موجی می‌شود.
انسیه محبی؛ نرگس انصاری؛ فاطمه شهشهانی
دوره 2، شماره 1 ، شهریور 1396، ، صفحه 9-20
چکیده
امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری ...
بیشتر
امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غالب در ساختار مورد مطالعه است. نتایج مطالعات نظری حاکی از آن است که میزان جذب ساختار با تغییر دورۀ تناوب، قطبش، زاویۀ فرود و شدت نور فرودی تنظیمپذیر است. محاسبات نشان میدهد که در طول موج 818 نانومتر میتوان به دو مقدار جذب 99/0 و صفر به ترتیب در شدتهای کمتر از و در شدتهای بالاتر از دست یافت. بررسی نظری ساختار در ناحیۀ طول موج مرئی با روش ماتریس انتقال، TMM، انجام شده است.