سید علی هاشمی زاده عقداء؛ مریم مسعودی؛ معصومه عربی خواه؛ زهرا عباسی آزاد
دوره 2، شماره 2 ، آذر 1396، ، صفحه 25-32
چکیده
در این مقاله ویژگی‌های اپتیکی سه فروالکتریک BaTiO3/SrTiO3/ CaTiO3 از جمله ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب، تابع اتلاف و رسانندگی در پایدارترین فازشان به ترتیب در فازهای رمبوهدرال (p4mm)، مکعبی (m3m) و اورتورومبیک (pbnm) محاسبه و بررسی شده‌اند. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل با تقریب GGA در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی انجام شده است. ...
بیشتر
در این مقاله ویژگی‌های اپتیکی سه فروالکتریک BaTiO3/SrTiO3/ CaTiO3 از جمله ضریب شکست، ضریب خاموشی، ضریب جذب، ضریب بازتاب، تابع اتلاف و رسانندگی در پایدارترین فازشان به ترتیب در فازهای رمبوهدرال (p4mm)، مکعبی (m3m) و اورتورومبیک (pbnm) محاسبه و بررسی شده‌اند. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل با تقریب GGA در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی انجام شده است. مقادیر به دست آمده برای ثابتهای شبکه پس از بهینهسازی، ثابت دی‌الکتریک استاتیک، ضریب شکست استاتیک و فرکانس پلاسمایی توافق خوبی با نتایج تجربی و کارهای تئوری دیگر دارد. با توجه به مقادیر ثابت دی‌الکتریک و ضریب جذب اپتیکی مناسب در بازه eV12-4، این اکسیدهای پروسکایت دیالکتریکهای خوبی محسوب میشوند. در انرژیهای بیشتر از eV13 هر سه ترکیب شفاف هستند و ماکزیمم رسانندگی برای سه ترکیب در بازه انرژی eV5 اتفاق میافتد. همچنین مقدار ضریب D از طریق معادله گلاستون -دل برای سه ترکیب محاسبه شده است.
ثمین ابراهیمی؛ سید علی هاشمی‌زاده عقداء
دوره 1، شماره 1 ، شهریور 1395، ، صفحه 21-28
چکیده
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است.
در نهایت ...
بیشتر
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است.
در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج بهدستآمده از ساختار الکترونی و نواری را تأیید کرد. همچنین متوجه شدیم که VBM این آلیاژها از GaN در گاف نوار ثابت بالاتر است؛ بنابراین انتظار میرود این آلیاژها خیلی راحتتر بهعنوان نیمرساناهای نوع p آلاییده شوند.