ثمین ابراهیمی؛ سید علی هاشمی‌زاده عقداء
دوره 1، شماره 1 ، شهریور 1395، ، صفحه 21-28
چکیده
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است.
در نهایت ...
بیشتر
در این مقاله خواص اپتیکی ترکیب AlInGaN از جمله قسمت حقیقی و موهومی تابع دی‌الکتریک، رسانندگی اپتیکی، ضریب شکست، ضریب خاموشی و تابع اتلاف انرژی مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته‌اند. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW) در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و با استفاده از بسته محاسباتی WIEN2k صورت گرفته است.
در نهایت نیز خواص اپتیکی این ترکیبات بررسی شد که نتایج بهدستآمده از ساختار الکترونی و نواری را تأیید کرد. همچنین متوجه شدیم که VBM این آلیاژها از GaN در گاف نوار ثابت بالاتر است؛ بنابراین انتظار میرود این آلیاژها خیلی راحتتر بهعنوان نیمرساناهای نوع p آلاییده شوند.